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检索条件"作者=li Deyao1. ZHANG Shuming1. WANG Jianfeng1. CHEN Jun1. CHEN lianghui2, CHONG Ming2, ZHU Jianjun1. zhao Degang1. liU Zongshun1. YANG Hui1.& liANG Junwu1.1. State Key Laboratory of Integrated Optoelectronics, institute of Semiconductors, chinese academy of Sciences, beijing 1.0083. china"
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Characteristics of InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes
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Science china(Technological sciences) 2006年 第6期49卷 727-732页
作者： li deyao1. zhang shuming1. wang jianfeng1. chen jun1. chen lianghui2, chong ming2, zhu jianjun1. zhao degang1. liu zongshun1. yang hui1.& liang junwu1.1. state key laboratory of integrated optoelectronics, institute of semiconductors, chinese academy of sciences, beijing 1.0083. china 2. Nano-optoelectronics laboratory, institute of semiconductors, chinese academy of sciences, beijing 1.0083. china state key laboratory of integrated optoelectronics Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing China Nano-optoelectronics laboratory Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing China
Studies on InGaN multiple quantum well blue-violet laser diodes have been reported. Laser structures with long-period multiple quantum wells were grown by metal-organic chemical vapor deposition. Triple-axis X-ray dif... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Material Growth and Device Fabrication of GaN-Based Blue-Violet Laser Diodes
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引用
Journal of semiconductors 2005年 第2期26卷 414-417页
作者： 杨辉 陈良惠 张书明 种明 朱建军 赵德刚 叶小军 李德尧 刘宗顺 段俐宏 赵伟 王海 史永生 曹青 孙捷 陈俊 刘素英 金瑞琴 梁骏吾 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室 北京100083 中国科学院半导体研究所纳米光电子学实验室 北京100083
Studies on first GaN-based blue-violet laser diodes(LDs) in china mainland are *** quality GaN materials as well as GaN-based quantum wells laser structures are grown by metal-organic chemical vapor deposition *** X-r... 详细信息
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