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Air-stable n-type transistors based on assembled aligned carbon nanotube arrays and their application in complementary metal-oxide-semiconductor electronics

引用

Nano research 2022年第2期15卷 864-871页

作者： Zhen Li katherine r.jinkins Dingzhou Cui Mingrui Chen Zhiyuan Zhao Michael S.Arnold Chongwu Zhou Ming Hsieh Department of Electrical Engineering Mork Family Department of Chemical Engineering and Materials Scienceand Department of Physics and AstronomyUniversity of Southern CaliforniaLos AngelesCalifornia 90089USA Department of Materials Science and Engineering University of Wisconsin-MadisonMadisonWisconsin 53706USA

Carbon nanotubes(CNTs)are ideal candidates for beyond-silicon nano-electronics because of their high mobility and low-cost ***,assembled massively aligned CNTs have emerged as an important platform for semiconductor ***,realizing sophisticated complementary nano-electronics has been challenging due to the p-type nature of carbon nanotubes in *** of n-type behavior field effect transistors(FETs)based on assembled aligned CNT arrays is needed for advanced CNT *** in this paper,we report a scalable process to make n-type behavior FETs based on assembled aligned CNT ***-stable and high-performance n-type behavior CNT FETs are achieved with high yield by combining the atomic layer deposition dielectric and metal contact *** also systematically studied the contribution of metal contacts and atomic layer deposition passivation in determining the transistor *** on these experimental results,we report the successful demonstration of complementary metal-oxide-semiconductor inverters with good performance,which paves the way for realizing the promising future of carbon nanotube nano-electronics.

关键词： carbon nanotube field effect transistor air-stable complementary metal-oxide-semiconductor

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