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Intermittency in Switching Power Converters:Theoretical Analysis

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Frontiers of Electrical and Electronic Engineering in China 2006年第1期1卷 92-98页

作者： ZHOU Yu-fei CHEN Jun-ning TSE Chi K QIU Shui-sheng ke dao-ming SHI Long-xing SUN Wei-feng Department of Electronic Engineering Anhui UniversityHefei 230039China Department of Electronic and Information Engineering The Hongkong Polytechnic UniversityKowloonHong KongChina School of Electronic and Information Engineering South China University of TechnologyGuangzhouGuangdong ProvinceChina Department of Electronic Engineering Southeast UniversityNanjingChina

In view of reasonable explanation of intermittent subharmonics and chaos that can be gained from coupling filter between circuits,this paper discusses a method that maps time bifurcation with parameter *** on this mapping method,the general analysis method of characteristic multiplier,which is originally aimed at parameter bifurcation,can be used for the study of intermittency,i.e.,time *** this paper,all researches coming from characteristic multipliers,parameter-bifurcation diagrams,and the largest Lyapunov exponent indicate the same results as those produced by simulation and ***,it is proved theoretically that the intermittency in switching power converter can be explained in terms of coupling of spurious interference.

关键词： switching power converters time bifurcation parameter bifurcation chaos subharmonics intermittency

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集成电容式传感器边界电极的静电电容值分析

电子学报 2010年第6期38卷 1410-1413页

作者：王阳陈军宁柯导明安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039 浙江万里学院电信学院浙江宁波315100

本文研究一种梳齿电极结构的集成电容式传感器,利用保角变换对其边界电极的静电电容值情况进行推导,给出了边界电极电容值的解析表达式,并利用Ansys软件对其进行仿真验证.结果显示解析公式得到的计算结果和软件仿真结果相吻合,说明得到... 详细信息

本文研究一种梳齿电极结构的集成电容式传感器,利用保角变换对其边界电极的静电电容值情况进行推导,给出了边界电极电容值的解析表达式,并利用Ansys软件对其进行仿真验证.结果显示解析公式得到的计算结果和软件仿真结果相吻合,说明得到的公式具有高的精度.利用所给的解析表达式可以为设计和应用该结构电容式传感器提供更好的理论基础.

关键词：电容式传感器静电电容值边界电极保角变换

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电流模式控制Boost变换器中的呼吸现象

电子学报 2005年第5期33卷 915-919页

作者：周宇飞陈军宁柯导明安徽大学电子工程系安徽合肥230039

　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状... 详细信息

　本文揭示了在电流模式控制Boost变换器中,由于存在内部或外部耦合电路引起的传导和辐射干扰,使得有可能产生呼吸现象,这是一种以较长的周期按顺序交替历经规则、分谐波和混沌状态的时间分叉现象,在功率变换电路中是一种非正常的工作状态.可以通过建立具有固定初相位的模拟干扰信号,并使其频率与变换器的开关频率相同,以便将呼吸现象(时间分叉)转换为参数分叉,并从分叉控制的角度来对这种呼吸现象进行合理解释和理论分析,从而给出变换器稳定设计的理论依据.理论分析结果与数值仿真是完全一致的,另外,在电路实验中也得到了印证.

关键词： Boost变换器电流模式控制呼吸功率变换电路辐射干扰耦合电路分叉现象混沌状态干扰信号工作状态开关频率分叉控制数值仿真分析结果稳定设计电路实验初相位时间

亚阈值下MOSFET氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型

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电子学报 2013年第11期41卷 2237-2241页

作者：韩名君柯导明王保童王敏徐春夏安徽大学电子信息工程学院安徽合肥230601 芜湖职业技术学院电子信息系安徽芜湖241000

本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小... 详细信息

本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开,把未知量求解转化成一组线性代数方程,得到了二维电势解析表达式,并给出了电势能极值点的计算方法.模型的优点是精度与数值解的精度相同,不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化,可直接用于电路模拟程序.文中讨论了亚阈值下NMOSFET的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响.结果表明,该模型与MEDICI结果极其吻合.

关键词：金属氧化物半导体场效应管电势解析模型栅氧化层空间电荷区

基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型

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电子学报 2007年第5期35卷 844-848页

作者：代月花高珊柯导明陈军宁安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二... 详细信息

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects)和DIBL(drain-inducedbarrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.

关键词：复合多晶硅栅 LDMOS 阈值电压

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部分重叠双栅MOSFET特性的研究

安徽大学学报（自然科学版） 2012年第2期36卷 43-47页

作者：韩名君赵阳柯导明安徽大学电子信息工程学院安徽合肥230601

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电... 详细信息

研究一种具有部分重叠双栅结构MOSFET器件模型,并将其与类似的分裂双栅结构MOSFET及普通栅结构MOSFET器件进行比较,利用MEDICI软件对该结构进行仿真.通过仿真可知:部分重叠双栅MOSFET器件通过沟道电场的调节,可降低短沟效应和等效栅电容、提高击穿电压,跨导可由栅压调节,阈值电压随沟道缩短而下降的变化率在文中讨论的3种结构中最小.

关键词：部分重叠双栅分裂双栅短沟效应栅电容沟道表面电场

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用RLC互连线模型实现时钟电路的动态优化

中国科学技术大学学报 2006年第3期36卷 338-343页

作者：魏敬和陈军宁柯导明安徽大学电子科学与技术学院安徽合肥230039

根据RLC互连线的二极点模型,得到一个简单的估算信号延迟和上升沿的解析表达式,并利用其实现对高速时钟电路动态优化设计,以保证信号在传输过程中不失真;同时设计了一个模拟器来验证时钟电路的性能.模拟结果表明,我们的算法降低了计算... 详细信息

根据RLC互连线的二极点模型,得到一个简单的估算信号延迟和上升沿的解析表达式,并利用其实现对高速时钟电路动态优化设计,以保证信号在传输过程中不失真;同时设计了一个模拟器来验证时钟电路的性能.模拟结果表明,我们的算法降低了计算的复杂度,缩短了时钟电路优化的时间.

关键词：信号完整性互连线深亚微米缓冲器

考虑量子化效应的MOSFET阈值电压解析模型

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物理学报 2005年第2期54卷 897-901页

作者：代月花陈军宁柯导明孙家讹安徽大学电子科学与技术学院合肥230039

根据改进后的三角势阱场近似 ,并考虑量子化效应 ,提出了一种基于物理的阈值电压解析模型 ,给出了MOSFET的阈值电压解析表达式 ,并与经典理论和数值模拟结果进行了比较 .

关键词：阈值电压 MOSFET 量子化解析模型解析表达式经典理论势阱近似数值模拟物理

USB 3.0中新型弹性缓冲器的设计与实现

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计算机工程与科学 2017年第10期39卷 1794-1800页

作者：常红孟坚彭特柯导明安徽大学电子信息工程学院安徽合肥230601

弹性缓冲器一般是通过断点保存和指针跳跃来完成添加跳跃字符SKP(skip),针对这种实现方法带来复杂的异步逻辑电路设计并且可能存在的时序错误问题,提出了一种利用读指针暂停来实现SKP添加的新技术。首先利用阈值监测单元检测弹性缓冲器... 详细信息

弹性缓冲器一般是通过断点保存和指针跳跃来完成添加跳跃字符SKP(skip),针对这种实现方法带来复杂的异步逻辑电路设计并且可能存在的时序错误问题,提出了一种利用读指针暂停来实现SKP添加的新技术。首先利用阈值监测单元检测弹性缓冲器中的有效数据量,与添加阈值进行比较产生添加指令;然后读指针暂停并向输出数据中添加SKP字符,使弹性缓冲器中有效数据量增加,从而将弹性缓冲器维持在半满状态。实验结果表明,所设计的弹性缓冲器可正确实现SKP的添加和删除等功能,且读写频率均可达到500 MHz,满足通用串行总线USB 3.0的设计要求。

关键词： USB 3.0 弹性缓冲器读指针 SKP 时钟域