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Distribution of Ge Self-Assembled Quantum Dots on Six Ge1 - x Buffer Layers

Journal of Rare Earths 2004年第z2期22卷 133-135页

作者： joonyeon chang hyungjun kim Nano Device Research Center Korea Institute of Science and TechnologySeoul 136-791Korea Department of Electrical EngireeringUniversity of California LosAngelesCA 90095-1595USA

The effect of buried misfit dislocation on the distribution of Ge self-assembled quantum dots (SAQDs) grown on a relaxed SiGe buffer layer was investigated. The strain field of arrays of buried dislocations in a relaxed SiGe buffer layer provided preferential nucleation sites for quantum dots. Burgers vector analysis using plan-view transmission electron microscopy (TEM) verified that the preferential nucleation sites of Ge SAQDs depended on the Burgers vector direction of corresponding dislocations. The measurement of the lateral distance between SAQDs and dislocations together with crosssection TEM observation clarified that the location of SAQDs was at the intersection of the dislocation slip plane and the top surface. The misfit strain should be an additional factor governing the uniformity in size, shape and distribution of Ge SAQDs.

关键词： misfit dislocation Ge self assembled quantum dots molecular beam epitaxy transmission electron microscopy

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