检索结果-南通市图书馆

npj Computational Materials 2021年第1期7卷 1842-1849页

作者： fengyuan xuan Su Ying Quek Centre for Advanced 2D Materials National University of Singapore6 Science Drive 2Singapore 117546Singapore Department of Physics National University of Singapore2 Science Drive 3Singapore 117551Singapore NUS Graduate School Integrative Sciences and Engineering Programme National University of SingaporeSingaporeSingapore Department of Materials Science and Engineering National University of SingaporeSingaporeSingapore

Carrier-doped transition metal dichalcogenide(TMD)monolayers are of great interest in valleytronics due to the large Zeeman response(g-factors)in these spin-valley-locked materials,arising from many-body *** develop an ab initio approach based on many-body perturbation theory to compute the interaction-enhanced g-factors in carrier-doped *** show that the g-factors of doped WSe2 monolayers are enhanced by screened-exchange interactions resulting from magnetic-field-induced changes in band *** interaction-enhanced g-factors g*agree well with *** traditional valleytronic materials such as silicon,the enhancement in g-factor vanishes beyond a critical magnetic field Bc achievable in standard *** identify ranges of g*for which this change in g-factor at Bc leads to a valley-filling instability and Landau level alignment,which is important for the study of quantum phase transitions in doped *** further demonstrate how to tune the g-factors and optimize the valley-polarization for the valley Hall effect.

关键词： effect interaction critical

Author Correction:Valley-filling instability and critical magnetic field for interaction-enhanced Zeeman response in doped WSe_(2)monolayers

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npj Computational Materials 2022年第1期8卷 15-16页

作者： fengyuan xuan Su Ying Quek Centre for Advanced 2D Materials National University of Singapore 6 Science Drive 2 Singapore 117546 Singapore Department of Physics National University of Singapore 2 Science Drive 3 Singapore 117551 Singapore NUS Graduate School Integrative Sciences and Engineering Programme National University of Singapore Singapore Singapore Department of Materials Science and Engineering National University of Singapore Singapore Singapore

The original version of the Supplementary Information associated with this Article contained an error in Supplementary Fig.2,in which the equation was incorrect.

关键词： critical Zeeman interaction

Light-matter interactions in high quality manganesedoped two-dimensional molybdenum diselenide

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Science China Materials 2021年第10期64卷 2507-2518页

作者： Sheng Liu Yaze Wu Xue Liu res Granados del Aguila fengyuan xuan Apoorva Chaturvedi Hua Zhang Su Ying Quek Qihua Xiong Division of Physics and Applied Physics School of Physical and Mathematical SciencesNanyang Technological UniversitySingapore 637371Singapore Department of Physics National University of Singapore2 Science Drive 3Singapore 117551Singapore School of Materials Science and Engineering Nanyang Technological UniversitySingapore 639798Singapore Department of Chemistry City University of Hong KongHong KongChina Hong Kong Branch of National Precious Metals Material Engineering Research Center(NPMM) City University of Hong KongHong KongChina Centre for Advanced 2D Materials National University of SingaporeSingapore 117546Singapore State Key Laboratory of Low-Dimensional Quantum Physics and Department of Physics Tsinghua UniversityBeijing 100084China

Introducing magnetic dopants into twodimensional transition metal dichalcogenides has recently attracted considerable attention due to its promising applications in spintronics and *** we realized manganese-doped molybdenum diselenide(MoSe_(2))single crystal via chemical vapor transport(CVT)reaction,containing up to 2.9%(atomic concentration)Mn dopants,and investigated the light-matter interaction in these *** observed a suppressed trion intensity,a longer photoluminescence lifetime,and prominent blue-and red-shift of E_(2g)^(2)(in-plane)and A_(1g)(out-of-plane)Raman modes,***,the Mn dopants increase the valley Zeeman splitting of the MoSe_(2) monolayer by~50%,while preserving the linear dependence on magnetic ***-principles calculations indicate that the spin-polarized deep level defect states are formed due to the Mn substitutional dopants in the Mo Se_(2) *** resulting defect potential favors the funnelling of excitons towards the *** Mn dopants reduce the magnitude of the interatomic force constants,explaining the red-shift of the A_(1g)*** Mn atoms and their immediate Mo and Se neighbors carry significant magnetic moments,which enhance the observed exciton g-factors due to the exchange interactions affecting defect-bound excitons.

关键词： first-principles calculations exciton funnelling twodimensional semiconductor magnetic doping valley-Zeeman effect

Effect of source temperature on phase and metal–insulator transition temperature of vanadium oxide films grown by atomic layer deposition

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Chinese Physics B 2020年第10期29卷 433-437页

作者： Bingheng Meng Dengkui Wang Deshuang Guo Juncheng Liu xuan Fang Jilong Tang fengyuan Lin Xinwei Wang Dan Fang Zhipeng Wei State Key Laboratory o f High Power Semiconductor Laser Changchun University o f Science and TechnologyChangchun 130022China

Vanadium oxide films were grown by atomic layer deposition using the tetrakis[ethylmethylamino] vanadium as the vanadium precursor and H2O as the oxide source. The effect of the source temperature on the quality of vanadium oxide films and valence state was investigated. The crystallinity, surface morphology, film thickness, and photoelectric properties of the films were characterized by x-ray diffraction, atomic force microscope, scanning electron microscope, I–V characteristics curves, and UV–visible spectrophotometer. By varying the source temperature, the content of V6O11, VO2, and V6O13 in the vanadium oxide film increased, that is, as the temperature increased, the average oxidation state generally decreased to a lower value, which is attributed to the rising of the vapor pressure and the change of the ionization degree for organometallics. Meanwhile, the root-mean-square roughness decreased and the metal–insulator transition temperature reduced. Our study is great significance for the fabrication of vanadium oxide films by atomic layer deposition.

关键词： vanadium oxide films atomic layer deposition source temperature valence state

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基于霍夫变换的空间非合作目标点云配准算法

北京航空航天大学学报 2023年第8期49卷 2071-2078页

作者：石峰源郑循江姜丽辉潘迪刘轩上海航天控制技术研究所上海201109 上海市空间智能控制技术重点实验室上海201109

针对空间非合作目标点云配准过程中目标残缺、机动过快等问题,对飞行时间深度(TOF)相机点云配准过程进行研究。利用相机可同时获取灰度与深度图的特点,提出一种基于霍夫变换的点云配准算法,在提供精确初始位姿的同时,也加速了最近点搜... 详细信息

针对空间非合作目标点云配准过程中目标残缺、机动过快等问题,对飞行时间深度(TOF)相机点云配准过程进行研究。利用相机可同时获取灰度与深度图的特点,提出一种基于霍夫变换的点云配准算法,在提供精确初始位姿的同时,也加速了最近点搜索过程。对TOF相机摄得灰度图进行边缘检测,利用边缘点以随机霍夫变换的方法拟合椭圆中心,使待配准点云与参考点云中心配准。随后检测图像几何特征,与对应参考点特征相配,提高初始位姿精度,既避免所提算法陷入局部最小,也可解决目标点云缺失无法配准的难题。在最近点搜索过程中,引入kd-tree改进算法,以3σ准则剔除单次k邻近的离群点,提高了相机动态性能。以某实拍卫星模型对所提算法进行仿真分析,成功验证了其对于残缺目标配准的可行性与鲁棒性。同时,在完整与残缺点云目标下,所提算法较于常规霍夫变换法相比分别提速955.3%和440.4%,且精度相当,具有较为广泛的应用前景。

关键词：空间非合作目标点云配准 TOF相机霍夫变换残缺目标

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XLPE直流电缆典型缺陷局部放电特性研究

高压电器 2019年第7期55卷 173-180页

作者：宣耀伟胡凯杨丰源盛戈皞郑新龙乐彦杰国网浙江省电力公司舟山供电公司浙江舟山316021 上海交通大学电气工程系上海200240

局部放电是表征电力设备绝缘状态的最有效的手段之一,然而关于直流电压下XLPE电缆典型绝缘缺陷局部放电特征的研究较少。文中首先深入分析了直流下复合绝缘材料局部放电机理,总结了XLPE电缆常见缺陷类型及其原因。使用单芯XLPE电缆及其... 详细信息

局部放电是表征电力设备绝缘状态的最有效的手段之一,然而关于直流电压下XLPE电缆典型绝缘缺陷局部放电特征的研究较少。文中首先深入分析了直流下复合绝缘材料局部放电机理,总结了XLPE电缆常见缺陷类型及其原因。使用单芯XLPE电缆及其预制式接头制作了金属毛刺电晕缺陷、应力锥处半导电层沿面放电缺陷以及绝缘交界面气隙放电缺陷,在直流电压下进行阶梯式加压试验。基于高频电流法采集局部放电数据,获得了各缺陷不同放电严重阶段的多种典型特征,包括放电量-时间间隔-放电重复率三维图谱,前序放电量、前序放电时间间隔与当前放电量相关性散点图。提取了典型统计图谱的28个指纹特征,并使用RBF神经网络进行模式识别获得了较好识别正确率,从而验证了特征有效性。

关键词：局部放电 XLPE直流电缆高频电流法指纹特征

快速热退火对InGaAsSb/AlGaAsSb多量子阱材料发光特性的影响

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中国激光 2021年第7期48卷 188-195页

作者：申琳唐吉龙贾慧民王登魁房丹方铉林逢源魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光... 详细信息

I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱是1.8~3μm波段锑化物半导体激光器的首选材料,为进一步提升分子束外延生长的InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱材料的光学性能,本文对其进行了快速热退火处理,通过光致发光光谱研究了快速热退火对量子阱材料光致发光特性的影响。光致发光光谱测试结果表明,快速热退火会使量子阱结构中垒层、阱层异质界面处的原子互扩散,改善量子阱材料的晶体质量,促使结构释放应力,进而提高了量子阱材料的光学性能。随着退火温度升高,量子阱材料的室温光致发光谱峰位逐渐蓝移,在500,550,600℃退火后,量子阱材料光致发光谱的峰位分别蓝移了7,8,9 meV。通过变温及变功率光致发光光谱测试,确认了样品发光峰的来源,位于0.687 eV的发光峰为局域载流子的复合,位于0.701 eV的发光峰为自由激子的复合。对不同退火温度的样品进一步研究后发现,退火温度的升高降低了材料中局域态载流子复合的比例,在600℃退火温度下局域载流子与自由激子的强度比值降为500℃退火温度下的22.6%,这表明合适温度的快速热退火处理可以有效改善量子阱材料的光致发光特性。

关键词：光谱学光致发光 InGaAsSb/AlGaAsSb 量子阱快速热退火局域态

CdSe量子点敏化对GaAs发光特性的影响

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中国激光 2019年第8期46卷 290-296页

作者：刘展林逢源高美方铉房丹王登魁唐吉龙王晓华魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaA... 详细信息

为了探究量子点敏化对GaAs衬底发光性能的影响,采用化学沉积法制备了CdSe量子点,将量子点沉积在GaAs衬底上进行敏化。采用X射线衍射测试确认物相,利用扫描电子显微镜对量子点的形貌进行表征,并通过荧光光谱测试对CdSe量子点敏化后的GaAs衬底样品与未敏化的样品进行对比。结果表明:所制备的CdSe量子点大小均匀,尺寸约为20 nm,且均匀地附着在GaAs衬底上,CdSe量子点/GaAs形成了Ⅱ型能带结构。量子点敏化使GaAs衬底表面的载流子浓度升高。通过荧光光谱测试对各发光峰的来源进行了分析。测试数据显示,与敏化前相比,敏化后的GaAs衬底带边发光增强了2.25倍,缺陷发光增强了3倍。

关键词：光谱学 CdSe量子点敏化 GaAs 光致发光 Ⅱ型能带结构

低噪声InGaAs/InP雪崩光电二极管的模拟分析

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中国激光 2021年第17期48卷 10-16页

作者：崔星宇林逢源张志宏唐吉龙方铉房丹王登魁李科学魏志鹏长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室吉林长春130022

提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。... 详细信息

提出了一种吸收区-电荷区-倍增区分离(SACM)结构的InGaAs/InP雪崩光电二极管,利用碰撞电离工程(I^(2)E)设计了双电荷层双倍增层结构的InP雪崩光电二极管(APD),通过在倍增区中设置电离阈值能量的分级,控制碰撞电离的位置,从而降低噪声。采用器件仿真器Silvaco对器件进行建模,仿真计算了新结构器件的能带结构、电场分布、暗电流、光响应电流和增益等。新结构器件可以获得较低的噪声系数k(k=α/β,其中α、β分别为空穴与电子的电离系数),在30 V电压下,k=0.15。与常规的SACM InP APD相比,分析结果表明,新结构APD器件具有了较好的噪声特性。

关键词：材料 InGaAs/InP 碰撞电离工程(I^(2)E) 吸收区-电荷区-倍增区分离电离阈值能量过剩噪声

内镜黏膜下剥离术后行全腹腔镜远端胃切除术和直接行全腹腔镜远端胃切除术治疗早期胃癌的近期疗效

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中华消化外科杂志 2021年第5期20卷 519-527页

作者：李沣员宣哲徐皓汪未知王林俊张殿彩杨力徐泽宽南京医科大学第一附属医院胃肠外科中心 210029

目的探讨内镜黏膜下剥离术(ESD)后行全腹腔镜远端胃切除术(TLDG)和直接行TLDG治疗早期胃癌的近期疗效。方法采用倾向评分匹配及回顾性队列研究方法。收集2014年3月至2019年12月南京医科大学第一附属医院收治的623例早期胃癌病人的临床... 详细信息

目的探讨内镜黏膜下剥离术(ESD)后行全腹腔镜远端胃切除术(TLDG)和直接行TLDG治疗早期胃癌的近期疗效。方法采用倾向评分匹配及回顾性队列研究方法。收集2014年3月至2019年12月南京医科大学第一附属医院收治的623例早期胃癌病人的临床病理资料;男405例,女218例;中位年龄为62岁,年龄范围为26~86岁。623例病人中,25例为ESD后行TLDG,设为ESD+TLDG组;598例为直接行TLDG,设为TLDG组。观察指标:(1)倾向评分匹配情况及匹配后两组病人一般资料比较。(2)TLDG术中和术后情况。(3)ESD+TLDG组病人分层分析。倾向评分匹配按1∶2最近邻匹配法匹配。正态分布的计量资料以x±s表示,组间比较采用t检验。偏态分布的计量资料以M(范围)表示,组间比较采用Mann-Whitney U检验。计数资料以绝对数表示,组间比较采用χ^(2)检验或Fisher确切概率法。等级资料组间比较采用Mann-Whitney U检验。结果(1)倾向评分匹配情况及匹配后两组病人一般资料比较:623例病人中,75例配对成功,其中ESD+TLDG组25例,TLDG组50例。ESD+TLDG组病人倾向评分匹配前体质量指数(BMI),肿瘤长径(≤20 mm、21~30 mm、>30 mm),临床分期(Ⅰ期、Ⅱ期、Ⅲ期)分别为(22.3±3.6)kg/m^(2),16、6、3例,24、1、0例,TLDG组病人上述指标分别为(24.3±2.7)kg/m^(2),238、125、235例,312、126、160例,两组病人上述指标比较,差异均有统计学意义(t=2.744,Z=-2.834、-4.209,P30 mm),临床分期(Ⅰ期、Ⅱ期)分别为(22.3±3.6)kg/m^(2),16、6、3例,24、1例和(23.6±2.9)kg/m^(2),29、12、9例,48、2例,两组病人上述指标比较,差异均无统计学意义(t=1.542,Z=-0.597、0.000,P>0.05)。(2)TLDG术中和术后情况:倾向评分匹配后两组病人TLDG手术时间、术后引流管拔除时间分别为180 min(124~289 min)、6 d(4~13 d)和170 min(106~250 min)、6 d(4~9 d),两组病人上述指标比较,差异均有统计学意义(Z=-2.396,-3.039,P100 mL),淋巴结清扫数目,术后住院时间,围术期并发症(切口脂肪液化、术后胃瘫、吻合口出血、肺部感染)分别为7、9、9例,34枚(16~58枚),8 d(6~31 d),1、1、0、0例和170 min(106~250 min),18、26、6例,39枚(22~68枚),8 d(6~29 d),0、0、1、1例,两组病人上述指标比较,差异均无统计学意义(Z=-1.703、-1.958、-1.139,χ^(2)=0.033,P>0.05)。发生吻合口出血病人经内镜下止血后缓解,其余并发症病人经保守治疗后均缓解。(3)ESD+TLDG组病人分层分析:①5例ESD后≤14 d行TLDG病人与20例ESD后>14 d行TLDG病人,TLDG手术时间,术中出血量(100 mL),淋巴结清扫数目,术后引流管拔除时间,术后住院时间,围术期并发症分别为200 min(170~289 min),0、3、2例,36枚(9~57枚),7 d(5~9 d),8 d(7~9 d),1例和180 min(124~253 min),8、6、6例,34枚(8~78枚),6 d(4~13 d),8 d(6~31 d),1例,TLDG手术时间、术中出血量、淋巴结清扫数目、术后引流管拔除时间、术后住院时间比较,差异均无统计学意义(Z=-1.536,-1.993,-0.238,-0.932,-0.589,P>0.05),围术期并发症比较,差异无统计学意义(P>0.05)。②13例ESD后≤21 d行TLDG病人与12例ESD后>21 d行TLDG病人,TLDG手术时间,术中出血量(100 mL),淋巴结清扫数目,术后引流管拔除时间,术后住院时间,围术期并发症分别为200 min(145~289 min),2、6、5例,34枚(8~57枚),6 d(4~11 d),8 d(6~11 d),1例和179 min(124~240 min),6、3、3例,34枚(16~78枚),6 d(5~13 d),8 d(6~31 d),1例;TLDG手术时间比较,差异有统计学意义(Z=

关键词：胃肿瘤内镜黏膜下剥离术全腹腔镜远端胃切除术安全性近期疗效腹腔镜检查