检索结果-南通市图书馆

电子与信息学报 2024年第5期46卷 1977-1985页

作者：马越马瑞谦杨炜伟林志缪晨吴文南京理工大学近程射频感知芯片与微系统教育部重点实验室南京210014 国防科技大学电子对抗学院合肥230037 陆军工程大学通信工程学院南京210007

该文首次研究了基于时间调制阵列(TMA)的共孔径干扰辅助短包隐蔽通信。首先提出并设计了共口径干扰的TMA架构,提出一种优化方法,能够在最大化目标方向信号增益的同时对非目标方向形成干扰。基于上述模型,推导出隐蔽性约束和隐蔽吞吐量... 详细信息

该文首次研究了基于时间调制阵列(TMA)的共孔径干扰辅助短包隐蔽通信。首先提出并设计了共口径干扰的TMA架构,提出一种优化方法,能够在最大化目标方向信号增益的同时对非目标方向形成干扰。基于上述模型,推导出隐蔽性约束和隐蔽吞吐量的闭合表达式。在此基础上,该文进一步对发送功率和数据包长进行联合优化,以最大化隐蔽吞吐量。仿真结果表明,存在一个使隐蔽吞吐量最大化的最优包长,所提方案相比基准方案实现了更好的隐蔽通信性能。

关键词：隐蔽通信时间调制阵列共口径干扰人工噪声

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

VTOL飞行器有限时间输出反馈跟踪控制

高技术通讯 2018年第9期28卷 861-866页

作者：邹立颖王红艳苗凤娟燕山大学电气工程学院秦皇岛066004 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院齐齐哈尔161006 齐齐哈尔大学机电工程学院齐齐哈尔161006

针对垂直起降(VTOL)飞行器的轨迹跟踪控制问题,提出了一种基于有限时间控制的输出反馈控制方案。首先,采用系统分解技术将原系统解耦成两个子系统,将原系统的输迹跟踪问题转化为两个子系统的镇定问题。对解耦后的系统,设计了有限时间状... 详细信息

针对垂直起降(VTOL)飞行器的轨迹跟踪控制问题,提出了一种基于有限时间控制的输出反馈控制方案。首先,采用系统分解技术将原系统解耦成两个子系统,将原系统的输迹跟踪问题转化为两个子系统的镇定问题。对解耦后的系统,设计了有限时间状态反馈控制律,所设计的控制器能够保证闭环系统有限时间稳定。然后,考虑部分状态不可测量情况下的VTOL飞行器轨迹跟踪控制问题,设计了一个有限时间快速收敛观测器,基于有限时间快速收敛观测器提出了有限时间输出反馈控制律。仿真结果表明,所提出的控制方法具有良好的跟踪性能,能够实现飞行器对给定参考轨迹的快速、准确跟踪。

关键词：垂直起降(VTOL)飞行器输出反馈有限时间控制欠驱动

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

风致驰振型电磁俘能器输出性能仿真分析

传感技术学报 2020年第3期33卷 388-396页

作者：王红艳胡嘉睿李明刘瑞苗凤娟齐齐哈尔大学机电工程学院黑龙江齐齐哈尔161006 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院黑龙江齐齐哈尔161006

对一种横风向驰振的电磁俘能器输出性能进行了研究。建立了风致驰振型电磁俘能器输出电流与输入风速关系数学模型,应用谐波平衡法求得了方程近似解析解。通过与龙格-库塔法数值解比较验证了解析解的正确性,随后仿真分析了激励风速和无... 详细信息

对一种横风向驰振的电磁俘能器输出性能进行了研究。建立了风致驰振型电磁俘能器输出电流与输入风速关系数学模型,应用谐波平衡法求得了方程近似解析解。通过与龙格-库塔法数值解比较验证了解析解的正确性,随后仿真分析了激励风速和无量纲负载电阻r对驰振频率和切入风速的影响关系,并研究了机电耦合系数、线圈电感和电阻对切入风速和平均功率的影响关系。结果表明,低r值时,受高切入风速制约,俘能器不易发生驰振。俘能器驰振后,最优r值不低于1,最优功率会随着机电耦合系数的增加而增大并逐渐趋于饱和。当r取值范围为[0.01,100]时,低风速条件下,增加线圈电感值可以降低系统在低r值处的切入风速,拓宽可驰振的r值范围,改善低r值处输出功率。高风速条件下,低于49.3 mH的线圈电感对输出功率几乎无影响,随后增加的线圈电感值能明显降低俘能器在低r值处的输出功率。增加线圈电阻值能提高俘能器在低r值处的输出功率,但过量增加线圈电阻会导致系统最优功率大幅下降。研究结果为风致驰振型电磁俘能器的设计提供理论参考。

关键词：电磁俘能风激驰振输出性能谐波平衡方法

随机振动激励下的压电俘能器发电性能模拟与分析

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

传感技术学报 2019年第3期32卷 357-361页

作者：王红艳苗凤娟孙志龙荆丽秋齐齐哈尔大学机电工程学院黑龙江齐齐哈尔161006 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院黑龙江齐齐哈尔161006

对一种悬臂梁结构车载压电俘能器发电性能进行了研究。建立了两自由度1/4车辆垂向振动模型,使用仿真软件MATLAB/Simulink分析了路面随机激励下的车体振动响应,并以此作为激励源作用于压电俘能器上,使用有限元法分析了俘能器基频、外接... 详细信息

对一种悬臂梁结构车载压电俘能器发电性能进行了研究。建立了两自由度1/4车辆垂向振动模型,使用仿真软件MATLAB/Simulink分析了路面随机激励下的车体振动响应,并以此作为激励源作用于压电俘能器上,使用有限元法分析了俘能器基频、外接负载、车速、路面不平度对俘能器输出电压、电流和功率的影响关系。结果表明,当俘能器基频与车辆系统固有频率相匹配时,俘能器可以获得更高的输出电压。增加负载阻抗值,俘能器输出电压增加、输出电流减小,存在一个最优负载阻抗(约为200 kΩ)使俘能器输出功率达到最大。负载阻值相同时,提高车速和增加路面不平度系数均可以使俘能器获得更高的输出功率。当车辆以10 m/s速度行驶在B级路面上时,压电俘能器最大输出功率可到达0.5 mW。

关键词：路面不平度,1/4车辆模型随机振动压电梁

基于共振峰和梅尔倒谱的声纹特征提取SOC设计

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

传感技术学报 2023年第5期36卷 782-787页

作者：席青云邱长江陶佰睿关新宇苗凤娟内蒙古广播电视大学兴安盟分校内蒙古兴安盟乌兰浩特137400 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院黑龙江齐齐哈尔161006

反映声道(谐振器)物理特性且不易受环境影响的元音共振峰可以更好地反映说话人的声纹特征,为此提出了说话人共振峰自适应MFCC(梅尔倒谱系数)特征提取SOC(片上系统)设计。首先提取说话人语音元音的三组共振峰来设计Mel三角形滤波器组,并... 详细信息

反映声道(谐振器)物理特性且不易受环境影响的元音共振峰可以更好地反映说话人的声纹特征,为此提出了说话人共振峰自适应MFCC(梅尔倒谱系数)特征提取SOC(片上系统)设计。首先提取说话人语音元音的三组共振峰来设计Mel三角形滤波器组,并基于传统MFCC与共振峰改进MFCC矩阵参数比值设计自适应融合说话人语音特征以改进MFCC。在MATLAB中完成性能仿真,在QUARTUS II中完成VERILOG-HDL代码设计,在FPGA(现场可编程门阵列)开发板上完成SOC设计、编译、仿真和验证下载。结果表明,在较高信噪比环境下,基于自适应融合和共振峰改进的MFCC得到的特征向量比传统的MFCC具有更强的鲁棒性,此技术在说话人声纹身份识别传感器设计中有较大应用推广价值。

关键词：声纹识别共振峰梅尔频率自适应融合片上系统

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

基于纳米材料的无源RFID温度传感器设计

传感技术学报 2023年第7期36卷 1011-1016页

作者：陶佰睿韩月田朋博苗凤娟李晓勤齐齐哈尔大学通信与电子工程学院黑龙江齐齐哈尔161006

射频识别(RFID)技术与传感器的一体化设计,具有数据采集便捷和部署方便等优点,在智慧农业和食品溯源监测领域具有潜在应用价值。提出一种基于氧化锌(ZnO)/还原氧化石墨烯(RGO)的无源RFID一体化温度传感器设计,传感器天线和电极主要采用... 详细信息

射频识别(RFID)技术与传感器的一体化设计,具有数据采集便捷和部署方便等优点,在智慧农业和食品溯源监测领域具有潜在应用价值。提出一种基于氧化锌(ZnO)/还原氧化石墨烯(RGO)的无源RFID一体化温度传感器设计,传感器天线和电极主要采用微带贴片天线制作,天线及电极结构通过HFSS软件进行仿真设计及优化,然后利用热转印技术在环氧树脂覆铜板上通过化学刻蚀制备图形化电极;传感器的温敏材料为水热法制备的ZnO/RGO纳米复合材料。ZnO/RGO温敏材料阻抗随环境温度发生变化,从而引起RFID射频谐振中心频点偏移,以射频回波损耗和归一化频移来度量环境温度的变化,在10℃~60℃量程范围内,该传感器的温度灵敏度可达0.86 dB/℃,线性度R2=0.99。

关键词：无源RFID温度传感器氧化锌/还原氧化石墨烯温敏材料纳米复合材料射频回波损耗归一化频移

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

VTOL飞行器有限时间轨迹跟踪控制

高技术通讯 2018年第8期28卷 743-747页

作者：邹立颖王红艳苗凤娟王艳春燕山大学电气工程学院秦皇岛066004 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院齐齐哈尔161006 齐齐哈尔大学机电工程学院齐齐哈尔161006

针对VTOL飞行器的轨迹跟踪控制问题,提出一种基于有限时间控制的控制方案。鉴于VTOL飞行器系统是强耦合的非线性系统,首先采用系统分解技术将原系统解耦成两个子系统,将原系统的输出跟踪问题转化为两个子系统的镇定问题。对于解耦后的系... 详细信息

针对VTOL飞行器的轨迹跟踪控制问题,提出一种基于有限时间控制的控制方案。鉴于VTOL飞行器系统是强耦合的非线性系统,首先采用系统分解技术将原系统解耦成两个子系统,将原系统的输出跟踪问题转化为两个子系统的镇定问题。对于解耦后的系统,设计了有限时间控制律,所设计的控制器能够保证闭环系统有限时间稳定,克服了传统有限时间控制的弊端。仿真结果表明了所提出的控制方法具有良好的跟踪性能,能够实现飞行器对给定参考轨迹的快速、准确跟踪。

关键词：垂直起降(VTOL)飞行器输出跟踪有限时间控制欠驱动

PCA-VQ融合降维的SMO-SVM说话人识别研究

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

传感技术学报 2023年第2期36卷 275-279页

作者：席青云孙同日陶佰睿杨文博苗凤娟内蒙古广播电视大学兴安盟分校内蒙古兴安盟137400 黑河学院计算机与信息工程学院黑龙江黑河164300 齐齐哈尔大学通信与电子工程学院黑龙江齐齐哈尔161006

针对说话人语音原始梅尔频率倒谱系数(MFCC)特征参数维数较高造成的模型计算效率低以及不稳定的问题,基于序列最小优化(SMO)高效算法求解支持向量机(SVM)基本型的对偶问题,开展主成分分析-矢量量化(PCA-VQ)融合降维的SMO-SVM说话人识别... 详细信息

针对说话人语音原始梅尔频率倒谱系数(MFCC)特征参数维数较高造成的模型计算效率低以及不稳定的问题,基于序列最小优化(SMO)高效算法求解支持向量机(SVM)基本型的对偶问题,开展主成分分析-矢量量化(PCA-VQ)融合降维的SMO-SVM说话人识别算法研究。改进后的算法在MATLAB平台上仿真通过。仿真结果表明:通过PCA-VQ融合算法对MFCC特征参数进行优化降维后,SMO-SVM说话人识别模型的正确率提高3.77%,训练时间节省1.24 s,具有较好推广应用价值。

关键词：说话人识别主成分分析矢量量化序列最小优化支持向量机

Two-dimensional materials for future information technology: status and prospects

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China(Information Sciences) 2024年第6期67卷 1-147页

作者： Hao QIU Zhihao YU Tiange ZHAO Qi ZHANG Mingsheng XU Peifeng LI Taotao LI Wenzhong BAO Yang CHAI Shula CHEN Yiqi CHEN Hui-Ming CHENG Daoxin DAI Zengfeng DI Zhuo DONG Xidong DUAN Yuhan FENG Yu FU Jingshu GUO Pengwen GUO Yue HAO Jun HE Xiao HE Jingyi HU Weida HU Zehua HU Xinyue HUANG Ziyang HUANG Ali IMRAN Ziqiang KONG Jia LI Qian LI Weisheng LI Lei LIAO Bilu LIU Can LIU Chunsen LIU Guanyu LIU Kaihui LIU Liwei LIU Sheng LIU Yuan LIU Donglin LU Likuan MA Feng miao Zhenhua NI Jing NING Anlian PAN Tian-Ling REN Haowen SHU Litao SUN Yue SUN Quanyang TAO Zi-Ao TIAN Dong WANG Hao WANG Haomin WANG Jialong WANG Junyong WANG Wenhui WANG Xingjun WANG Yeliang WANG Yuwei WANG Zhenyu WANG Yao WE... School of Electronic Science and engineering Nanjing University School of Integrated Circuits Interdisciplinary Research Center for Future Intelligent Chips (Chip-X)Nanjing University School of Integrated Circuit Science and engineering Nanjing University of Posts and Telecommunications State Key Laboratory of Infrared Physics Shanghai Institute of Technical Physics Chinese Academy of Sciences School of Physics and Key Lab of Quantum Materials and Devices of the Ministry of Education School of Electronic Science & EngineeringSoutheast University college of Integrated Circuits State Key Laboratory of Silicon and Advanced Semiconductor MaterialsZhejiang University Suzhou Laboratory State Key Laboratory of Integrated Chips and Systems School of MicroelectronicsFudan University Shaoxin Laboratory Department of Applied Physics The Hong Kong Polytechnic University Key Laboratory for Micro-Nano Physics and Technology of Hunan Province College of Materials Science and EngineeringHunan University college of Integrated Circuits Zhejiang University Shenzhen Geim Graphene Center Shenzhen Key Laboratory of Layered Materials for Value-Added ApplicationsTsinghua-Berkeley Shenzhen Institute & Institute of Materials ResearchTsinghua Shenzhen International Graduate SchoolTsinghua University State Key Laboratory of Extreme Photonics and Instrumentation College of Optical Science and EngineeringInternational Research Center for Advanced PhotonicsZijingang CampusZhejiang University National Key Laboratory of Materials for Integrated Circuits Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of Sciences CAS Key Laboratory of Nanophotonic Materials and Devices & Key Laboratory of Nanodevices and Applications i-LabSuzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics (SINANO)Chinese Academy of Sciences college of Chemistry and Chemical engineering Hunan University Key Laboratory of Quantum State Construction and Manipulation (Ministry of Education) Department of PhysicsRenmin University of China School

Over the past 70 years, the semiconductor industry has undergone transformative changes,largely driven by the miniaturization of devices and the integration of innovative structures and materials. Two-dimensional(2D) materials like transition metal dichalcogenides(TMDs) and graphene are pivotal in overcoming the limitations of silicon-based technologies, offering innovative approaches in transistor design and functionality, enabling atomic-thin channel transistors and monolithic 3D integration. We review the important progress in the application of 2D materials in future information technology, focusing in particular on microelectronics and optoelectronics. We comprehensively summarize the key advancements across material production, characterization metrology, electronic devices, optoelectronic devices, and heterogeneous integration on silicon. A strategic roadmap and key challenges for the transition of 2D materials from basic research to industrial development are outlined. To facilitate such a transition, key technologies and tools dedicated to 2D materials must be developed to meet industrial standards, and the employment of AI in material growth, characterizations, and circuit design will be essential. It is time for academia to actively engage with industry to drive the next 10 years of 2D material research.

关键词： two-dimensional (2D) materials information technology production technology standardization of characterization microelectronic devices optoelectronic devices multi-functional integration