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Strain engineering in single-,bi-and tri-layer MoS_(2),MoSe_(2),WS_(2)and WSe_(2)

Nano Research 2021年第6期14卷 1698-1703页

作者： felix carrascoso Hao Li Riccardo Frisenda Andres Castellanos-Gomez Materials Science Factory Instituto de Ciencia de Materiales de MadridConsejo Superior de Investigaciones Cientificas28049MadridSpain

Strain is a powerful tool to modify the optical properties of semiconducting transition metal dichalcogenides like MoS_(2),MoSe_(2),WS_(2) and WSe_(2).In this work we provide a thorough description of the technical details to perform uniaxial strain measurements on these two-dimensional semiconductors and we provide a straightforward calibration method to determine the amount of applied strain with high *** then employ reflectance spectroscopy to analyze the strain tunability of the electronic properties of single-,bi-and tri-layer MoS_(2),MoSe_(2),WS_(2) and WSe_(2).Finally,we quantify the flake-to-flake variability by analyzing 15 different single-layer MoS_(2) flakes.

关键词： two-dimensional(2D)materials transition metal dichalcogenides strain engineering band gap differential reflectance

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Biaxial versus uniaxial strain tuning of single-layer MoS_(2)

引用

Nano Materials Science 2022年第1期4卷 44-51页

作者： felix carrascoso Riccardo Frisenda Andres Castellanos-Gomez Materials Science Factory Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid(ICMM-CSIC)28049Madrid Spain

Strain engineering has arisen as a powerful technique to tune the electronic and optical properties of twod imensional semiconductors like molybdenum disulfide(MoS_(2)).Although several theoretical works predicted that biaxial strain would be more effective than uniaxial strain to tune the band structure of MoS_(2),a direct experimental verification is still missing in the *** we implemented a simple experimental setup that allows to apply biaxial strain through the bending of a cruciform polymer *** used the setup to study the effect of biaxial strain on the differential reflectance spectra of 12 single-layer MoS_(2)flakes finding a redshift of the excitonic features at a rate between-40 meV/%and-110 meV/%of biaxial *** also directly compare the effect of biaxi al and uniaxial strain on the same single-layer MoS_(2)finding that the biaxial strain gauge factor is 2.3 times larger than the uniaxial strain one.

关键词： finding layer gauge

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