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检索条件"作者=armando S Somintac Tomo Kikuchi Michiya Odawara Takashi Udagawa Motoi Wada Tadashi Ohachi"
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Growth of GaN/AlxGa1-xN (x=0.65) superlattices on si(111) substrates Using RF-MBE
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引用
Journal of Rare Earths 2006年 第Z1期24卷 1-3页
作者： armando s somintac tomo kikuchi michiya odawara takashi udagawa motoi wada tadashi ohachi Department of Electric Engineering Doshisha University 1-3 Miyakodani Tatara Kyotanabe Kyoto 610-0321 Japan Department of Electric Engineering Doshisha University 1-3 Miyakodani Tatara Kyotanabe Kyoto 610-0321 Japan Electronic Materials Division Electronics Section Showa Denko K.K. 1505 Shimokagemori Chichibu Saitama 369-1871 Japan Electronic Materials Division Electronics Section Showa Denko K.K. 1505 Shimokagemori Chichibu Saitama 369-1871 Japan Department of Electric Engineering Doshisha University 1-3 Miyakodani Tatara Kyotanabe Kyoto 610-0321 Japan Department of Electric Engineering Doshisha University 1-3 Miyakodani Tatara Kyotanabe Kyoto 610-0321 Japan
superlattices with varying GaN well widths (2, 3, 6, 9 nm) and fixed AlGaN barrier (8 nm) with high Al-content (x=0.65) were grown. streaky RHEED patterns indicated 2D growth mode for the superlattices. XRD measuremen... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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