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Power Conversion Efficiency of Schottky Diode Fabricated on AIGaAs/GaAs Heterostructure

材料科学与工程（中英文版） 2010年第6期4卷 60-65页

作者： Parimon Norfarariyanti Mustafa Farahiyah Hashim abdui Manaf abd rahman shaharin fadzli abdul rahman abdul Rahim Osman Mohd Nizam abd Aziz Azlan Hashim Md. Roslan Material Innovations and Nanoelectronics Research Group Faculty of Electrical Engineering Universiti Teknologi MalaysiaSkudai 81310 Johor Malaysia Telekom Research ＆ Development TM Innovation Centre Cyberjaya 63000 Malaysia Nano-Optoelectronics Research Faculty of Physics Universiti Sains Malaysia Minden 11800 Penang Malaysia

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Open-Gate Undoped-AIGaN-GaN HEMT Structure for pH Sensing Application

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材料科学与工程（中英文版） 2010年第7期4卷 1-6页

作者： Sharifabad Maneea Eizadi Zainal Abidin Mastura Shafinaz Mustafa Farahiyah Hashim abdul Manaf abd rahman shaharin fadzli abdul rahman abdul Rahim Qindeel Rabia Omar Nurul Afzan Material Innovations and Nanoelectronics Research Group Faculty of Electrical Engineering Universiti Teknologi Malaysia Skudai 81310 Johor Malaysia Department of Physics Faculty of Science Universiti Teknologi Malaysia Skudai 81310 Johor Malaysia Telekom Research and Development TM Innovation Centre Cyberjaya 63000 Malaysia

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