Power Conversion Efficiency of Schottky Diode Fabricated on AIGaAs/GaAs Heterostructure
Power Conversion Efficiency of Schottky Diode Fabricated on AIGaAs/GaAs Heterostructure作者机构：Material Innovations and Nanoelectronics Research Group Faculty of Electrical Engineering Universiti Teknologi MalaysiaSkudai 81310 Johor Malaysia Telekom Research ＆ Development TM Innovation Centre Cyberjaya 63000 Malaysia Nano-Optoelectronics Research Faculty of Physics Universiti Sains Malaysia Minden 11800 Penang Malaysia
出 版 物：《材料科学与工程（中英文版）》 (Journal of Materials Science and Engineering)
年 卷 期：2010年第4卷第6期
页 面：60-65页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
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