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硅异质结电池界面处理关键工艺的研究

人工晶体学报 2013年第2期42卷 235-239页

作者：王楠张瑜周玉琴中国科学院研究生院北京100049

薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理;采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结;通过光发射谱(OES)研究... 详细信息

薄膜硅/晶体硅异质结(HIT)太阳电池是界面器件,其界面性质直接决定器件的性能。本文采用简化的RCA清洗并结合氧化膜保护工艺对硅片进行前期处理;采用等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)制备薄膜硅/晶体硅异质结;通过光发射谱(OES)研究了PECVD在不同的匹配速度下起辉基元浓度随时间的变化,证实了基元浓度的不稳定对电池界面性质有一定的影响;分析了退火工艺对异质结的界面特性的影响,在10-4Pa量级的背景真空和200℃下进行退火,可显著提高电池开路电压VOC和填充因子FF。本文结果表明:硅片前期处理的氧化膜保护工艺及后退火处理,皆可明显地改善HIT电池的界面性质、提高电池的转换效率。

关键词：硅异质结太阳电池钝化处理等离子体初期不稳性退火处理界面特性

后退火处理对铟锡氧化物表面等离激元共振特性的影响

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物理学报 2018年第17期67卷 269-275页

作者：蒋行周玉荣刘丰珍周玉琴中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄膜,通过不同条件... 详细信息

近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄膜,通过不同条件下的后退火处理改变铟锡氧化物薄膜的载流子浓度和载流子迁移率,并研究随着材料性质的改变其相应表面等离激元共振特性的变化规律.结果表明:退火处理均使铟锡氧化物薄膜的晶粒长大,光学透过率增加;在空气中退火会导致铟锡氧化物薄膜的载流子浓度减少,其表面等离激元共振峰红移;而真空退火则使铟锡氧化物薄膜的载流子浓度增加,共振峰蓝移.这些研究结果可为后续铟锡氧化物表面等离激元材料及器件的研究提供科学依据和实际指导.

关键词：表面等离激元共振纳米球阵列铟锡氧化物后退火处理

少数民族大学生国家认同的文化基因解析与教育场域调试——基于非民族院校的视角

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湖南师范大学教育科学学报 2015年第6期14卷 69-73页

作者：周玉琴长安大学马克思主义学院陕西西安710064

国家认同是少数民族大学生政治社会化的"支点中心"。而文化基因是维系国家认同的基本纽带,少数民族大学生在国家政治认同过程中,在某种程度上蕴含着一定的"自己—异己"对立的思维模式,表现出"与众不同"的个性特点。在"新全球化"时代,增... 详细信息

国家认同是少数民族大学生政治社会化的"支点中心"。而文化基因是维系国家认同的基本纽带,少数民族大学生在国家政治认同过程中,在某种程度上蕴含着一定的"自己—异己"对立的思维模式,表现出"与众不同"的个性特点。在"新全球化"时代,增强青年大学生对国家的政治认同感和归属感,我们应当构建多元互动的动态和谐文化场域,培育中华民族共同的文化符号,推进大学治理结构的现代转型,提升公共资源空间的"正能量"引导。

关键词：少数民族大学生国家认同文化基因机制调试

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对硝基氯苯与牛血清白蛋白的相互作用研究

化学试剂 2010年第9期32卷 774-778页

作者：周享春周玉琴长江大学化学与环境工程学院湖北荆州434023

在模拟动物体生理条件下,用荧光光谱、三维荧光光谱、同步荧光光谱、紫外-可见吸收光谱等方法研究了在不同温度下,对硝基氯苯(PCNB)与牛血清白蛋白(BSA)结合反应的光谱行为。试验发现,PCNB对BSA有较强的荧光猝灭作用。用Stern-Volmer和L... 详细信息

在模拟动物体生理条件下,用荧光光谱、三维荧光光谱、同步荧光光谱、紫外-可见吸收光谱等方法研究了在不同温度下,对硝基氯苯(PCNB)与牛血清白蛋白(BSA)结合反应的光谱行为。试验发现,PCNB对BSA有较强的荧光猝灭作用。用Stern-Volmer和Lineweaver-Burk方程及热力学方程分别处理试验数据,发现BSA与PCNB发生反应生成了新的复合物,属于静态荧光猝灭,得到了它们相互作用的生成常数KLB(1.557×104L/mol)、热力学参数(ΔHθ=-89.962kJ/mol,ΔSθ=-217.98J/K,ΔGθ=-23.93kJ/mol)和结合位点数(1.080)等。位点竞争实验结果显示PCNB与BSA的作用位置主要在BSA的SiteⅠ(Sub-domainⅡA)位。证明二者主要靠氢键和范德华力结合,同时用三维荧光光谱及同步荧光光谱法探讨了PCNB对BSA构象的影响,为研究PCNB的毒性和生物学效应提供了重要信息。

关键词：对硝基氯苯牛血清白蛋白荧光猝灭光谱三维荧光光谱热力学参数

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火灾高温下耐火保护钢梁设计荷载的分析

消防科学与技术 2012年第4期31卷 340-343页

作者：周煜琴姚斌西南科技大学环境与资源学院四川绵阳621010 中国科学技术大学火灾科学国家重点实验室安徽合肥230027

研究了火灾高温环境下耐火保护钢梁温度和结构的变化,运用有限元软件ANSYS模拟不同涂料厚度的耐火保护钢梁在标准温升模型、慢速和快速温升BFD模型3种温升曲线下,荷载作用不同时的最大挠度值,并与Robertson-Ryan准则中的最大挠度值比较... 详细信息

研究了火灾高温环境下耐火保护钢梁温度和结构的变化,运用有限元软件ANSYS模拟不同涂料厚度的耐火保护钢梁在标准温升模型、慢速和快速温升BFD模型3种温升曲线下,荷载作用不同时的最大挠度值,并与Robertson-Ryan准则中的最大挠度值比较,确定耐火保护钢梁的设计荷载值。结果表明,采用标准火灾模型代替自然火灾模型确定的设计荷载是不安全的;钢梁最高温度越高,设计荷载越低;随着涂料增厚,温升速率的改变对设计荷载值的影响逐渐明显。

关键词：防火涂料钢梁火灾设计荷载

基于氢等离子体处理改善氢化非晶硅/晶体硅界面钝化效果的工艺研究

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人工晶体学报 2019年第10期48卷 1912-1919页

作者：王楠钟奇周玉琴中国电子科技集团公司第四十六研究所半导体硅外延材料部天津300220 上海米蜂激光科技有限公司上海201306 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化... 详细信息

薄层a-Si∶H钝化技术对于提高硅异质结太阳能电池的效率至关重要,通常有三类工艺可显著改善a-Si∶H薄膜的钝化效果:晶硅表面湿化学处理(薄膜沉积前);氢等离子体处理(薄膜沉积过程中);后退火处理(薄膜沉积后)。该论文基于等离子增强型化学气相沉积系统,采用氢等离子处理和后退火处理改善a-Si∶H/c-Si界面的钝化效果,样品的有效少数载流子寿命最高达到1 ms,并研究了射频功率密度、腔体压力、氢气流量等工艺参数对钝化效果的影响;采用光发射谱、台阶仪等对氢等离子体处理所涉及的物理过程进行研究,得出该工艺对a-Si∶H薄膜具有刻蚀作用;根据钝化效果和刻蚀速率的关系,得出低刻蚀速率由于给予薄膜充足的时间进行结构弛豫或重构,显著改善钝化效果;基于快速热退火方法进一步改善钝化效果,采用傅里叶变换红外光谱对a-Si∶H薄膜的钝化机理进行研究,并基于化学退火模型进行讨论;采用透射电镜研究了a-Si∶H/c-Si界面的微结构,并没有观测到影响钝化效果的外延生长。

关键词：氢等离子体处理氢化非晶硅/晶体硅界面钝化后退火处理钝化机理

基于沉积温度优化和后退火工艺改善a-Si∶H/c-Si界面钝化质量的研究

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人工晶体学报 2019年第7期48卷 1287-1292,1313页

作者：王楠梁芮周玉琴中国电子科技集团公司第四十六研究所半导体硅外延材料部天津300220 天津工业大学材料科学与工程学院天津300387 中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049

a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160℃下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换... 详细信息

a-Si∶H薄膜作为钝化层,在提高硅异质结太阳能电池效率方面发挥关键作用,工业化生产中通常采用PECVD法制备制备a-Si∶H薄膜。在本文中,首先对关键工艺参数如沉积温度进行了优化,并在160℃下获得了最佳的钝化效果。接着,通过傅里叶变换红外光谱法对a-Si∶H薄膜的微结构进行表征,以探索其钝化机理:低温下制备的a-Si∶H薄膜氢浓度高并有微空洞,从而影响钝化效果;高温下制备的a-Si∶H薄膜消除了微空洞而明显改善钝化质量。但是,过高的沉积温度又会导致a-Si∶H薄膜中微空位的产生从而影响钝化效果。此外,对比了两种典型后退火工艺对钝化效果的影响:一种是基于200℃退火10min,一种是基于450℃退火30s,并对相关钝化机理进行了研究。结果表明,第二种退火方式明显改善样品的钝化效果,主要原因是该退火消除了低温沉积样品中的微空洞和高温沉积样品中的微空位。最后,通过透射电镜研究了退火后的a-Si∶H/c-Si界面微结构,并未观察到影响钝化效果的外延生长。

关键词：氢化非晶硅 a-Si∶H/c-Si界面钝化后退火处理钝化机理

裂变中的传承:乡村振兴战略中黔东南传统手工艺的设计再生

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贵州民族研究 2018年第12期39卷 83-87页

作者：罗京艳周秦羽天津理工大学天津300384

传统手工艺的发展有赖于传统的生产生活方式。在现代化裂变的进程中,传统手工艺的传承出现了种种困境。通过研究文化产业视角下的商业开发模式,地域形象视角下的文化传播开发模式,文化传承视角下的传统手工艺数字化开发模式,整体保护视... 详细信息

传统手工艺的发展有赖于传统的生产生活方式。在现代化裂变的进程中,传统手工艺的传承出现了种种困境。通过研究文化产业视角下的商业开发模式,地域形象视角下的文化传播开发模式,文化传承视角下的传统手工艺数字化开发模式,整体保护视角下的旅游"活态"开发模式,探讨通过现代产品设计的方法,实现传统手工艺的再生。

关键词：传统手工艺设计传承

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氧化性在硅太阳电池织构中的作用

人工晶体学报 2011年第5期40卷 1097-1101页

作者：李国荣周玉琴刘丰珍中国科学院研究生院北京100049

在单晶硅太阳电池的制备中,碱性腐蚀常被用于在晶体硅上形成金字塔结构,减小光的反射,提高太阳电池的效率。获得小而分布均匀的金字塔绒面结构有利于提高太阳电池的转化效率。本文通过优化NaClO织构工艺,获得了金字塔平均尺寸为1.4μm,... 详细信息

在单晶硅太阳电池的制备中,碱性腐蚀常被用于在晶体硅上形成金字塔结构,减小光的反射,提高太阳电池的效率。获得小而分布均匀的金字塔绒面结构有利于提高太阳电池的转化效率。本文通过优化NaClO织构工艺,获得了金字塔平均尺寸为1.4μm,平均表面反射率为11.5%的织构绒面,并探索了形成小金字塔的机理。认为NaClO具有一定的氧化性是其形成小金字塔的可能原因。为了研究氧化性在织构中的作用,采用在无氧化性的NaOH溶液中分别通入了氧气和氩气。实验结果表明,在常规的NaOH织构过程中加入氧化剂有助于减小金字塔的尺寸。由于NaClO溶液自身既具有碱性,又具有氧化性,织构时不需要额外地加入氧化剂。与常规织构所用的NaOH溶液相比,NaClO溶液更易得到小而分布均匀的金字塔绒面,更适用于太阳电池的制备。

关键词：次氯酸钠晶体硅织构织构机制氧化性