后退火处理对铟锡氧化物表面等离激元共振特性的影响
Effect of annealing treatment on characteristics of surface plasmon resonance for indium tin oxide作者机构:中国科学院大学材料科学与光电技术学院北京100049
出 版 物:《物理学报》 (Acta Physica Sinica)
年 卷 期:2018年第67卷第17期
页 面:269-275页
核心收录:
学科分类:07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程(可授工学、理学学位)] 0702[理学-物理学]
基 金:国家自然科学基金(批准号:61604153 61674150)资助的课题
主 题:表面等离激元共振 纳米球阵列 铟锡氧化物 后退火处理
摘 要:近年来,表面等离激元光子学发展迅速,并取得了众多新成果.重掺杂半导体材料的表面等离激元共振性质的研究,也得到了人们越来越多的关注.本文通过纳米球刻印技术制备准三维二氧化硅纳米球阵列,在阵列上沉积铟锡氧化物薄膜,通过不同条件下的后退火处理改变铟锡氧化物薄膜的载流子浓度和载流子迁移率,并研究随着材料性质的改变其相应表面等离激元共振特性的变化规律.结果表明:退火处理均使铟锡氧化物薄膜的晶粒长大,光学透过率增加;在空气中退火会导致铟锡氧化物薄膜的载流子浓度减少,其表面等离激元共振峰红移;而真空退火则使铟锡氧化物薄膜的载流子浓度增加,共振峰蓝移.这些研究结果可为后续铟锡氧化物表面等离激元材料及器件的研究提供科学依据和实际指导.