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Production of Embryogenic Callus and Plant Regeneration from Elite Guizhou Waxy Maize Inbred Lines

Agricultural Sciences in China 2011年第4期10卷 490-498页

作者： ZHONG de-yi ZHU You-yin LIU qian ZHOU ti zhao de-gang Guizhou Key Laboratory ofAgro-Bioengineering Guizhou University Guiyang 550025 P.R. China Laboratory of Green Pesticide and Agricultural Biengineering Ministry of Education/Guizhou University Guiyang 550025 P.R.China College of Life Sciences Guizhou University Guiyang 550025 P.R.China

Immature embryos from three elite Guizhou waxy maize inbred lines （W21019, B7, and QCL5036） were evaluated for their ability of forming callus and regeneration into plants. Immature embryos harvested at different physiological stages were used as explants to initiate callus on N6 basal medium with 0-3.5 mg L-1 of 2,4-dichlorophenoxy acetic acid （2,4-D）. The concentration of 2,4-D, physiological age of immature embryos and genotype had a significant effect （P0.05） on the percentage of embryogenic callus formed. The optimum 2,4-D concentration for the initiation of embryogenic callus was varied among the waxy maize genotypes from 2.0 mg L-1 （B7 and QCL5036） to 3.0 mg L-1 （W21019）. The shoots were generated from embryogenic callus which were transferred into the regeneration medium supplemented with 0-2.5 mg L-1 of 6-benzylaminopurine （6-BA）. 6-BA in the medium significantly promoted the regeneration of embryogenic callus. Embryogenic size was also an important factor that affected regeneration capacity. 0.6-0.7 cm was proved to be the best size for regeneration from embryogenic callus and the mean number of shoots per primary callus in all genotypes achieved the highest number. The ability of the plant regeneration was also affected by genotype. W21019 had the highest number of shoots formed per primary embryogenic callus. With the optimum condition, the highest mean number of shoots per primary callus was up to 12.13, 5.73, and 3.33 in line W21019, B7, and QCL5036, respectively. The successful regeneration of the two inbred lines provides a basis for development of genetic transformation to improve priority traits such as enhanced insects and drought tolerance.

关键词： waxy maize immature embryos embryogenic callus regeneration Zea mays L.

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A Simplified Seed Transformation Method for Obtaining Transgenic Brassica napus Plants

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Agricultural Sciences in China 2009年第6期8卷 658-663页

作者： SONG Li zhao de-gang WU Yong-jun TIAN Xiao-e Guizhou Key Laboratory of Agricultural Bioengineering Guizhou University Guiyang 550025 P.R.China Key Laboratory of Green Pesticide and Agricultural Biological Engineering Ministry of Education/Guizhou University Guiyang 550025 P.R. China College of Life Sciences Guizhou University Guiyang 550025 P.R.China

We report here a seed transformation of sonication-assisted, no-tissue culture to rapidly produce transgenic Brassica napus plants. This method comprises the steps of treating seeds by ultrasonic wave, inoculating Agrobacterium tumefaciens with a recombinant ChlFN-ct gene and germinating directly of treatment seed on wet filter papers. The obtained transformants were verified by GUS histochemical assay and nested PCR amplification. It suggests that seed transformation has a potential use in genetic transformation of rape.

关键词： Brassica napus seed transformation sonication

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Synthesis and biological evaluation of novel steroid-linked nitrogen mustards

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Chinese Chemical Letters 2009年第6期20卷 680-683页

作者： Hua Bing Zhang Ji Jun Xue Xiao Long zhao de gang Liu Ying Li State Key Laboratory of Applied Organic Chemistry Lanzhou University Lanzhou 730000 PR China

Two novel steroid-linked nitrogen mustard conjugates la and lb were synthesized by using estrogenic acid 4 coupled with aniline mustard 8 and phenol mustard 13 in an esterification or amidation procedure. Preliminary cytotoxic screening on cancer cell lines in vitro showed that, the steroid-ester linked nitrogen mustard conjugate la exhibited obvious increasing of activities.

关键词： Steroid Nitrogen mustards Synthesis Biological activity

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Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers

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Chinese Physics Letters 2012年第9期29卷 121-124页

作者： SUN He-Hui GUO Feng-Yun LI deng-Yue WANG Lu zhao de-gang zhao Lian-Cheng department of Information Materials Science and Technology Harbin Institute of TechnologyHarbin 150001 Renewable Energy Laboratory Institute of PhysicsChinese Academy of SciencesBeijing 100190 State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesP.O.Box 912Beijing 100083

Dislocation behaviors are analyzed in AlGaN/GaN multiple-quantum-well films grown with different strain-modified *** the case of multiple-quantum-well layers grown on a GaN buffer layer without the interlayer,many threading dislocations interact and annihilate within about 100 nm below the multiple quantum well *** multiple-quantum-well layers grown with the AlGaN interlayer,misfit dislocations between the GaN buffer layer and the AlGaN interlayer enter multiple-quantum-well layers and result in an increase of threading dislocation *** misfit dislocations,the edge-type dislocation is another dislocation origin attributed to the dissociation of Shockley partials bounding the stacking fault in AlN/GaN superlattices below the interlayer interface.

关键词： AlGaN/GaN Shockley AlGaN

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The Effects of a Low-Temperature GaN Interlayer on the Performance of InGaN/GaN Solar Cells

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Chinese Physics Letters 2013年第2期30卷 247-249页

作者： LI Liang zhao de-gang JIANG de-Sheng LIU Zong-Shun CHEN Ping WU Liang-Liang LE Ling-Cong WANG Hui YANG Hui State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesP.O.Box 912Beijing 100083 Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics Chinese Academy of SciencesSuzhou 215123

An InGaN/GaN p-i-n solar cell inserted with a 5-nm low-temperature(LT)GaN interlayer between the p-GaN cap layer and the InGaN i-layer is grown on a c-plane sapphire substrate by metal organic chemical vapor *** effects of the LT GaN interlayer on the performance of the InGaN/GaN solar cells are *** is found that the LT-GaN interlayer prevents the extension of threading dislocations from the InGaN layer to the p-GaN layer and improves the crystal quality of both the p-GaN cap layer and the InGaN i-layer,ultimately leading to an increasing external quantum efficiency and photocurrent density of the InGaN/GaN solar cells.

关键词： InGaN/GaN GaN sapphire

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InGaN/GaN量子阱垒层和阱层厚度对GaN基激光器性能的影响及机理

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物理学报 2016年第7期65卷 316-321页

作者：周梅赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN(In组分为15%)量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明,当阱层太薄或太厚时,GaN基激光器的阈值电流增加、输出功率下降,最优的阱层厚度为4.0 nm左右;当阱层厚度太薄时... 详细信息

采用LASTIP软件研究了InGaN/GaN(In组分为15%)量子阱垒层和阱层厚度对GaN基蓝紫光激光器性能的影响及机理.模拟计算结果表明,当阱层太薄或太厚时,GaN基激光器的阈值电流增加、输出功率下降,最优的阱层厚度为4.0 nm左右;当阱层厚度太薄时,载流子很容易泄漏,而当阱层厚度太厚时,极化效应导致发光效率降低,研究还发现,与垒层厚度为7 nm相比,垒层厚度为15 nm时激光器的阈值电流更低、输出功率更高,因此适当地增加垒层厚度能显著抑制载流子泄漏,从而改善激光器性能.

关键词： GaN基激光器 InGaN/GaN量子阱垒层和阱层厚度

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一种测量p-GaN载流子浓度的方法

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物理学报 2011年第3期60卷 715-722页

作者：周梅赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载... 详细信息

提出了一种测量p-GaN载流子浓度的方法,其主要思想是利用p-n+结构GaN探测器长波和短波量子效率的差值随反向偏压的变化关系,找到p-GaN层刚好完全耗尽时的偏压,从而求出p-GaN层载流子浓度.模拟计算表明,该方法能够准确测量出p-GaN层的载流子浓度,而且受表面复合、欧姆接触影响很小.进一步研究了实际测量中如何选择p-GaN层厚度,计算结果表明,p-GaN层的优化厚度值随着p-GaN层的浓度增加而减小.

关键词： p-GaN 载流子浓度测量紫外探测器

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以弱p型为有源区的新型p-n结构GaN紫外探测器

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物理学报 2009年第10期58卷 7255-7260页

作者：周梅赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p--GaN层的肖特基接触势垒高度、p--GaN层厚度等参数对器件性能的影... 详细信息

提出了以弱p型(p--GaN)为有源区的p-n结构GaN紫外探测器.由于弱p型层的载流子浓度较低,很容易增加耗尽区的宽度,从而可以增加器件的量子效率.通过模拟计算,研究了金属与p--GaN层的肖特基接触势垒高度、p--GaN层厚度等参数对器件性能的影响.研究结果表明,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度、适当减小p--GaN层厚度能够实现有源层方向单一的内建电场,从而提高器件的量子效率.要制备出具有良好性能的p-n结构紫外探测器,必须减小p--GaN层厚度,降低金属与p--GaN层的接触势垒高度.

关键词：弱p型GaN 紫外探测器量子效率

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复合土钉墙的变形与稳定性分析

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岩土工程学报 2006年第B11期28卷 1687-1690页

作者：赵德刚蒋宏上海交通大学闵行二期建设指挥部上海200240

复合土钉墙在软土地基基坑工程中得到广泛的应用,其变形和稳定性分析是设计施工中的重要问题。采用平面应变有限元结合实际工程分析了复合土钉墙和搅拌桩重力坝的变形特性,土体本构模型采用硬化模型模拟土在卸荷条件下的变形特性,并在... 详细信息

复合土钉墙在软土地基基坑工程中得到广泛的应用,其变形和稳定性分析是设计施工中的重要问题。采用平面应变有限元结合实际工程分析了复合土钉墙和搅拌桩重力坝的变形特性,土体本构模型采用硬化模型模拟土在卸荷条件下的变形特性,并在数值分析中利用强度折减法分析基坑开挖后的稳定性。文中给出了各典型工况下的围护结构工作性状,可为设计与施工提供参考。

关键词：复合士钉墙重力坝变形稳定性有限元强度折减法

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p-InGaN层厚度对p-i-n结构InGaN太阳电池性能的影响及机理

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发光学报 2015年第5期36卷 534-538页

作者：周梅赵德刚中国农业大学理学院应用物理系北京100083 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着... 详细信息

研究了p-In Ga N层厚度对p-i-n结构In Ga N太阳电池性能的影响。模拟计算发现,随着p-In Ga N层厚度的增加,In Ga N太阳电池效率降低。较差的p-In Ga N欧姆接触特性会破坏In Ga N太阳电池性能。计算结果还表明,无论欧姆接触特性好坏,随着p-In Ga N层厚度的增加,短路电流下降是导致In Ga N电池效率降低的主要原因。选择较薄的p-In Ga N层有利于提高p-i-n结构In Ga N太阳电池的效率。

关键词： InGaN 太阳电池 p-i-n结构

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