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检索条件"作者=Yongbingxu"
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Influence of Rare ***3+ Doping on the Structural, Microstructure and Magnetic Properties of ZnO Bulk and Thin Film Systems
收藏 引用
Chinese Journal of Chemical Physics 2011年 第3期24卷 353-357,I0004页
作者: Ghulam Murtaza Rai Muhamlnad Azhar Iqbal yongbingxu Iain Gordon Will wenzhang 巴基斯坦旁遮普大学物理系 拉合尔54590 英国约克大学电子部自旋电子学实验室 约克YO105DD
We have investigated the doping behavior of rare earth element holmium (Ho3+) in ZnO semiconductor. The structural, microstructure, and magnetic properties of Zn1-xHoxO (x=0.0, 0.04, and 0.05) thin films deposite... 详细信息
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