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检索条件"作者=YUAN YuJie 1,2.ZHANG KaiLiang 1,2.WEI Zhen 1,2.& GENG XinHua 3 1 college of electronics {2. Engineering,tianjin university of Technology,tianjin 300384,China"
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Influence of p-layer on the performance of n-i-p μc-Si:H thin film solar cells
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Science china(Physics,Mechanics & Astronomy) 2010年 第11期53卷 2042-2046页
作者： yuan yujie 1,2.zhang kailiang 1,{2.,2.& geng xinhua 3 1 college of electronics Information engineering,tianjin university of technology,tianjin 300384,china 2.{12. Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices,tianjin university of technology,tianjin 300384,china 3 Institute of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai university,{12. 300071,china 1. college of electronics Information {2. Tianjin University of Technology Tianjin 300384 China2. Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices Tianjin University of Technology Tianjin 300384 China3. Institute of Photo-Electronics Thin Film Devices and Technique Nankai University Tianjin 300071 China
The high pressure radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) process was adopted to prepare the n-i-p microcrystalline silicon solar cells,the influence of p-type layers on the performance of... 详细信息
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