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Influence of p-layer on the performance of n-i-p μc-Si:H thin film solar cells

Science china(Physics,Mechanics & Astronomy) 2010年第11期53卷 2042-2046页

作者： yuan yujie 1,2,zhang kailiang 1,2,wei zhen 1,2 & geng xinhua 3 1 college of electronics information engineering,tianjin university of technology,tianjin 300384,china 2 tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices,tianjin university of technology,tianjin 300384,china 3 Institute of Photo-electronics Thin Film Devices and Technique,Nankai university,tianjin 300071,china 1. college of electronics information engineering Tianjin University of Technology Tianjin 300384 China2. Tianjin Key Laboratory of Film Electronic and Communication Devices Tianjin University of Technology Tianjin 300384 China3. Institute of Photo-Electronics Thin Film Devices and Technique Nankai University Tianjin 300071 China

The high pressure radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RF-PECVD) process was adopted to prepare the n-i-p microcrystalline silicon solar cells,the influence of p-type layers on the performance of the solar cells was investigated,and the optimum p layer suited to the n-i-p microcrystalline silicon solar cells was *** experimental results demonstrate that the performance of the solar cells can be highly affected by the structural and optical properties of the p-layers,and the performance of solar cells can be greatly improved by optimizing p *** have achieved an initial active-area efficiency of 8.17% (V oc =0.49 V,J sc =24.9 mA/cm 2 ,FF=67%) for the μc-Si:H single-junction n-i-p solar cells and an initial active-area efficiency of 10.93% (V oc =1.31 V,J sc =13.09 mA/cm 2 ,FF=64%) for the a-Si:H/μc-Si:H tandem n-i-p solar cells.

关键词： microcrystalline silicon solar cells quantum confinement effect p-type layers

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