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Influence of post-grown treatments on CuInS_2 thin films prepared by sulphurization of Cu-In films

Rare Metals 2008年第5期27卷 490-495页

作者： yan youhua liu yingchun fang ling zhao haihua li deren lu zhichao zhou shaoxiong Advanced Technology ＆ Materials Co. Ltd. China Iron ＆ Steel Research Institute Group Beijing 100081 China

Polycrystalline CuInS2 （CIS） films were prepared by sulphurization of Cu-In films. The surface morphology and phase composition of the as-grown film, the KCN-etched film, and the annealed KCN-etched film were investigated. During the sulphurization, the secondary CuxS phase segregated on the surface of the as-grown films. To improve the crystalline quality of CuInS2 films, a series of post-grown treatments, such as KCN-etching and vacuum annealing KCN-etched films, were performed on the as-grown films. Both as-grown and post-treated films were characterized by X-ray diffraction （XRD）, scanning electron microscopy （SEM）, and energy dispersive spectroscopy （EDS）. The results indicated that a CuxS secondary phase segregated on the surface of the as-grown film, which could be removed effectively by KCN etching. After the vacuum annealing treatment, the KCN-etched film had a sphalerite structure with （112） preferred orientation. Meanwhile, the crystalline quality of the CIS film was significantly improved, which provided a novel method to improve the performance of thin film solar cells.

关键词： solar energy CuInS2 thin film KCN etching annealing treatment sulphurization

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CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变研究

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稀有金属 2008年第2期32卷 156-160页

作者：阎有花刘迎春方玲赵海花李德仁卢志超周少雄中国钢研科技集团公司安泰科技股份有限公司北京100081

为考察CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变规律,采用电沉积法制备Cu-In前驱膜,并对前驱膜进行真空退火热处理。采用SEM和EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征薄膜组织结构。结果表明,Cu-In前驱膜以CuIn,CuIn2和Cu混合... 详细信息

为考察CIS薄膜太阳能电池Cu-In前驱膜结构相变规律,采用电沉积法制备Cu-In前驱膜,并对前驱膜进行真空退火热处理。采用SEM和EDS观察并分析了薄膜的表面形貌和成分,采用XRD表征薄膜组织结构。结果表明,Cu-In前驱膜以CuIn,CuIn2和Cu混合相存在;157℃真空退火10min,发生第一次相变生成Cu11In9相;310℃真空退火10min,发生第二次相变生成Cu7In3相。富Cu的Cu-In前驱膜结构相变受动力学边界条件所控制。

关键词： Cu-In前驱膜真空退火结构相变

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