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Global analysis of Skyrme forces with higher-order density dependencies

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Chinese Physics C 2018年第6期42卷 101-109页

作者： Zhi-Wei Zuo Jun-Chen Pei xue-yu xiong Yi Zhu State Key Laboratory of Nuclear Physics and Technology School of Physics Peking University Beijing 100871 China

The density-dependent term in Skyrme forces is essential to simulate three-body and many-body correlations beyond the low-momentum two-body interaction. We speculate that a single density term may be insumcient and a higher-order density dependent term is added. The present work investigates the influence of higher-order density dependencies based on extended UNEDF0 and SkM＊ forces. Global descriptions of nuclear masses and charge radii are presented. The extended UNEDF0 force gives a global rms error on binding energies of 1.29 MeV. The influence on fission barriers and equation of state are also investigated. Perspectives to improve Skyrme forces are discussed, including global center-of-mass corrections and Lipkin-Nogami pairing corrections.

关键词： Skyrme forces nuclear masses nuclear energy density functional

Influence of introducing Zr,Ti,Nb and Ce elements on externally solidified crystals and mechanical properties of high-pressure die-casting Al–Si alloy

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International Journal of Minerals,Metallurgy and Materials 2025年第1期32卷 147-153页

作者： Junjie Li Wenbo yu Zhenyu Sun Weichen Zheng Liangwei Zhang Yanling xue Wenning Liu Shoumei xiong Center of Materials Science and Engineering School of Mechanical and Electronic Control EngineeringBeijing Jiaotong UniversityBeijing 100044China Traffic&Transportation Engineering Central South UniversityChangsha 410075China Shanghai Synchrotron Radiation Facility Shanghai Advanced Research InstituteChinese Academy of SciencesShanghai 201204China School of Materials Science and Engineering Tsinghua UniversityBeijing 100084China

High pressure die casting(HPDC)AlSi10Mn Mg alloy castings are widely used in the automobile *** can optimize the mechanical properties of castings through heat treatment,while the release of thermal stress arouses the deformation of large integrated ***,the development of non-heat treatment Al alloys is becoming the hot *** addition,HPDC contains externally solidified crystals(ESCs),which are detrimental to the mechanical properties of *** achieve high strength and toughness of non-heat treatment die-casting Al-Si alloy,we used AlSi9Mn alloy as matrix with the introduction of Zr,Ti,Nb,and *** influences on ESCs and mechanical properties were systematically investigated through three-dimensional reconstruction and thermodynamic *** results reveal that the addition of Ti increased ESCs'size and porosity,while the introduction of Nb refined ESCs and decreased ***,large-sized Al_3(Zr,Ti)phases formed and degraded the mechanical *** introduction of Ce resulted in the poisoning effect and reduced mechanical properties.

关键词： aluminium alloy high-pressure die-casting externally solidified crystals non-heat treatment

功率MOSFET器件单粒子烧毁^(252)Cf源模拟试验研究

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原子能科学技术 2007年第3期41卷 361-365页

作者：杨世宇曹洲薛玉雄兰州物理研究所甘肃兰州730000

本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要... 详细信息

本工作涉及利用252Cf源进行辐射效应试验研究的方法。结合功率MOSFET器件单粒子烧毁测试技术,对功率MOSFET器件辐射效应进行模拟试验研究。研究结果表明:在空间辐射环境下,功率MOSFET器件尽量使用在低电压范围内;在电路设计中附加必要的限流电阻是1种十分有效的抗单粒子烧毁措施。

关键词：单粒子烧毁辐射环境功率MOSFET器件 ^252Cf源

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空间单粒子锁定及防护技术研究

核电子学与探测技术 2007年第3期27卷 567-570页

作者：杨世宇曹洲薛玉雄兰州物理研究所兰州730000

介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。

关键词： CMOS器件单粒子锁定锁定防护技术

重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值等效性研究

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原子能科学技术 2007年第6期41卷 653-658页

作者：薛玉雄曹洲杨世宇田恺兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室甘肃兰州730000

根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了... 详细信息

根据重离子和脉冲激发诱发单粒子翻转机理,分析了重离子和脉冲激光模拟单粒子翻转阈值(激光能量与重离子线性能量转移(LET))等效方法,得出脉冲激光与重离子单粒子翻转阈值等效计算公式。应用实验室的激光模拟单粒子效应试验系统,开展了几种器件和集成电路的单粒子翻转实验研究。利用获得的计算公式计算激光等效LET阈值,并与国内外重离子实测数据进行比较。结果表明,脉冲激光能量等效LET阈值与重离子试验LET阈值较为一致。

关键词：单粒子翻转重离子脉冲激光激光能量阈值 LET阈值

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脉冲激光能量等效重离子LET研究

原子能科学技术 2010年第4期44卷 489-493页

作者：田恺曹洲薛玉雄杨世宇兰州物理研究所真空低温技术与物理国家级重点实验室甘肃兰州730000

基于重离子和脉冲激光与Si材料相互作用的机理分析,提出了脉冲激光能量等效重离子LET的等效判据。该判据认为:如果半导体材料每吸收1个光子就能产生1个载流子,则脉冲激光和重离子诱发1个载流子所需的能量是等效的。利用该等效判据及Bee... 详细信息

基于重离子和脉冲激光与Si材料相互作用的机理分析,提出了脉冲激光能量等效重离子LET的等效判据。该判据认为:如果半导体材料每吸收1个光子就能产生1个载流子,则脉冲激光和重离子诱发1个载流子所需的能量是等效的。利用该等效判据及Beer定律,推导出线性吸收条件下脉冲激光能量与重离子LET之间等效换算公式。本工作计算的脉冲激光能量等效LET结果与国外文献结果一致。

关键词：脉冲激光能量重离子LET 等效计算

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空间单粒子锁定及防护技术研究

核电子学与探测技术 2008年第5期28卷 945-948页

作者：杨世宇曹洲薛玉雄兰州物理研究所甘肃兰州730000

本文介绍了单粒子锁定现象的触发原理,探讨了针对典型CMOS器件SEL现象的主要特征和测试方法,并开展了几种CMOS器件的单粒子锁定试验研究。在模拟试验的基础上,研制成功抗单粒子锁定防护电路,能够自动探测和迅速解除单粒子锁定现象。

关键词： CMOS器件单粒子锁定锁定防护技术

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剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响

原子能科学技术 2008年第5期42卷 470-474页

作者：薛玉雄曹洲郭祖佑杨世宇田恺兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室甘肃兰州730000

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击... 详细信息

选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。

关键词：功率MOSFET器件 γ射线剂量率总剂量效应

IDT6116单粒子敏感性评估试验技术研究

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原子能科学技术 2008年第1期42卷 22-27页

作者：薛玉雄曹洲杨世宇田恺郭刚刘建成兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室甘肃兰州730000 中国原子能科学研究院核物理研究所北京102413

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量... 详细信息

为评估IDT6116 SRAM单粒子敏感性,采用地面试验方法和地面试验系统,利用脉冲激光、重离子和252Cf源3种不同的地面模拟源,对IDT6116 SRAM器件进行单粒子敏感性试验研究,并对3种不同的模拟源的试验结果进行等效性分析比较,同时进行总剂量效应对单粒子效应影响的试验研究。研究结果表明:IDT6116 SRAM抗单粒子翻转和锁定的能力较强;接受一定辐照剂量后的试验样品对单粒子翻转更加敏感,且翻转阈值略有降低,翻转截面略有增大。

关键词： IDT6116SRAM 单粒子翻转单粒子锁定脉冲激光重离子 ^252Cf源