剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响
Influence of γ-ray Dose Rate on Total Ionization Dose for Power MOSFET作者机构：兰州物理研究所真空低温技术与物理国防科技重点实验室甘肃兰州730000
出 版 物：《原子能科学技术》 (Atomic Energy Science and Technology)
年 卷 期：2008年第42卷第5期
页 面：470-474页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
主 题：功率MOSFET器件 γ射线 剂量率 总剂量效应
摘 要：选取典型的星用功率MOSFET器件JANTXV 2N6798和JANTXV 2N7261为研究对象,就剂量率对MOSFET器件总剂量效应的影响进行试验研究。在试验中,选取钴-60γ射线,以不同剂量率进行辐照试验。通过试验研究,获得了被试器件阈值电压、漏电流和击穿电压随总剂量率的变化特性。结果表明,低剂量率更易引起器件损伤。
维普期刊数据库
同方期刊数据库