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Study on temperature response of the HERD calorimeter cell

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Radiation Detection Technology and Methods 2023年第2期7卷 227-233页

作者： Yingying Dai Xingzhu Cui Xin Liu Yongwei Dong Hongwei Liang Zhenzhong Zhang xiaochuan xia Zhipeng Wei State Key Laboratory of High Power Semiconductor Lasers Changchun University of Science and TechnologyChangchun130022China Institute of High Energy Physics Chinese Academy of Sciences(CAS)Beijing100049China School of Microelectronics Dalian University of TechnologyDalian116024China

Purpose To derive the temperature response of the basic unit of the electromagnetic calorimeter of the high energy cosmic-radiation detection(HERD)*** Tested a method to measure HERD calorimeter cell(HCC)light yield using an ultraviolet Light-Emitting Diode with a wavelength of 300 nm,and established an experimental setup and tested the light yield of the HCC at different temperatures in a thermal *** and conclusions The result showed that the signal amplitudes variation of the HCC reached up to 10.2% with temperature ranging from 0 to 60℃,if we narrow the temperature range to 0-35℃,the variation was about 3.7% and it showed much better *** result provides a good instruction on the thermal control of the HERD calorimeter(CALO)to improve its performance.

关键词： HERD LYSO WLSF Optical output Temperature response

Effect of temperature on photoresponse properties of solar-blind Schottky barrier diode photodetector based on single crystal Ga_2O_3

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Chinese Physics B 2019年第4期28卷 375-380页

作者： Chao Yang Hongwei Liang Zhenzhong Zhang xiaochuan xia Heqiu Zhang Rensheng Shen Yingmin Luo Guotong Du School of Microelectronics Dalian University of Technology State Key Laboratory of Luminescence and Applications Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and PhysicsChinese Academy of Sciences

A solar-blind photodetector is fabricated on single crystal Ga_2O_3 based on vertical structure Schottky barrier diode. A Cu Schottky contact electrode is prepared in a honeycomb porous structure to increase the ultraviolet(UV) *** quantum efficiency is about 400% at 42 V. The Ga_2O_3 photodetector shows a sharp cutoff wavelength at 259 nm with high solar-blind/visible(= 3213) and solar-blind/UV(= 834) rejection ratio. Time-resolved photoresponse of the photodetector is investigated at 253-nm illumination from room temperature(RT) to 85.8℃. The photodetector maintains a high reversibility and response speed, even at high temperatures.

关键词： Ga2O3 single crystal solar-blind photodetector high temperature

Selective Growth of GaN on Slope Cone-shaped Patterned Sapphire Substrate

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Chemical Research in Chinese Universities 2014年第4期30卷 556-559页

作者： YANG Dechao LIANG Hongwei QIU Yu LI Pengchong LIU Yang SHEN Rensheng xia xiaochuan YU Zhennan CHANG Yuchun ZHANG Yuantao DU Guotong State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics College of Electronic Science and Engineering Jilin University Changchun 130012 P. R. China Department of Electronic Engineering Dalian Neusoft University of Information Dalian 116024 P. R. China School of Physics and Optoelectronic Technology Dalian University of Technology Dalian 116024 P. R. China State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of Sciences Shanghai 200050 P. R. China Zhejiang Crystal-optech Co. Ltd. Taizhou 318015 P. R. China

Cone-shaped patterned sapphire substrate was prepared by inductively coupled plasma etching and GaN nucleation layer was grown on it by metal-organic chemical vapor deposition.A selective growth of GaN nucleation layer was found on the slope of the cone-shaped patterned sapphire substrat,and the distribution morphology of GaN had significantly changed after it was *** selective growth and redistribution were analyzed by investigating the distribution of crystallographic planes on the cone surface and the atom array of specific planes at atom level.

关键词： Patterned sapphire substrate GaN Selective growth Crystallographic plane

Current transport mechanism of Mg/Au ohmic contacts to lightly doped n-type β-Ga_2O_3

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Journal of Semiconductors 2019年第1期40卷 87-90页

作者： Jianjun Shi xiaochuan xia Qasim Abbas Jun Liu Heqiu Zhang Yang Liu Hongwei Liang School of Microelectronics Dalian University of Technology

The carrier transport mechanism of Mg/Au ohmic contact for lightly doped β-Ga_2O_3 is investigated. An excellent ohmic contact has been achieved when the sample was annealed at 400 °C and the specific contact resistance is 4.3 × 10-4 Ω·cm2. For the annealed sample, the temperature dependence of specific contact resistance is studied in the range from 300 to 375 K. The specific contact resistance is decreased from 4.3 × 10-4 to 1.59 × 10-4 Ω·cm2 with an increase of test temperature. As combination with the judge of E00, the basic mechanism of current transport is dominant by thermionic emission theory. The effective barrier height between Mg/Au and β-Ga_2O_3 is evaluated to be 0.1 eV for annealed sample by fitting experimental data with thermionic emission model.

关键词： Mg/Au beta-gallium oxide ohmic contact thermionic emission theory effective barrier height

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高职教师专业实践能力提升研究

湖北成人教育学院学报 2019年第2期25卷 15-17页

作者：夏筱川长江职业学院武汉430074

随着高等职业教育的发展,对教师专业实践能力的培养越来越重视,如何提高教师的专业实践能力也显得尤为重要。文章从教师自身的个人职业发展、学校政策保障、政府制度支持三个维度,讨论如何提升高职教师的专业实践能力,以期达到更好的适... 详细信息

随着高等职业教育的发展,对教师专业实践能力的培养越来越重视,如何提高教师的专业实践能力也显得尤为重要。文章从教师自身的个人职业发展、学校政策保障、政府制度支持三个维度,讨论如何提升高职教师的专业实践能力,以期达到更好的适应改革发展的高职教育、培养出更多的优质人才的目的。

关键词：实践能力职业发展学校保障政府支持

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激光切管机行业标准解读

电加工与模具 2023年第S01期 47-49页

作者：夏小川曾丽霞大族激光智能装备集团有限公司广东深圳518103

JB/T 14188《激光切管机》是一部关于激光切管机的推荐性机械行业标准,包括精度检验和技术规范两个部分,由工信部于2022年4月8日发布,2022年10月1日实施。通过介绍该标准起草的目的和意义、使用范围及主要内容,以及对精度检验和技术规... 详细信息

JB/T 14188《激光切管机》是一部关于激光切管机的推荐性机械行业标准,包括精度检验和技术规范两个部分,由工信部于2022年4月8日发布,2022年10月1日实施。通过介绍该标准起草的目的和意义、使用范围及主要内容,以及对精度检验和技术规范的部分重要标准条款进行解读与分析,可为我国激光切管机生产企业提升产品质量提供借鉴与帮助。

关键词：激光切管机精度检验技术规范

AlGaN/GaN HEMT小信号放大电路设计及放大增益预测

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大连理工大学学报 2024年第4期64卷 412-417页

作者：叶宇帆张贺秋夏晓川郭文平黄慧诗梁晓华梁红伟大连理工大学集成电路学院辽宁大连116024 元旭半导体科技股份有限公司山东潍坊261000 江苏新广联科技股份有限公司江苏无锡214192 中国科学院高能物理研究所北京100049

采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基***的仿... 详细信息

采用计算机辅助设计技术(TCAD)对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)器件进行了仿真,并利用Multisim设计了AlGaN/GaN HEMT器件的低频小信号放大电路.由于GaN材料的宽带隙和高载流子迁移率,HEMT器件可以在空间科学应用中取代Si基***的仿真结果通过与测试结果的比较进行了修正.通过Multisim仿真结果与搭建的AlGaN/GaN HEMT共源共栅放大电路的测试结果对放大电路的放大特性进行了验证.以此为基础,利用TCAD模拟改变了结构参数的器件特性并采用改进了结构参数的AlGaN/GaN HEMT设计共源共栅放大电路.仿真结果表明,该放大电路在低频和室温下的电压放大能力可达6 200倍.

关键词： AlGaN/GaN HEMT TCAD仿真放大增益小信号模型

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组态视角下多层次医疗保障体系驱动机制研究

中国预防医学杂志 2024年第9期25卷 1166-1171页

作者：刘晖何欣悦寇丽圆夏小川甘肃中医药大学卫生管理学院甘肃兰州730000 甘肃中医药大学公共卫生学院

目的识别多层次医疗保障体系成功推进的关键要素和路径组合,在基本医疗保障基础上,为满足医疗保障多样化、个性化需求,形成覆盖全面、层次分明、互为补充的医疗保障体系提供理论指导。方法本研究运用清晰集定性比较分析(crisp sets qu... 详细信息

目的识别多层次医疗保障体系成功推进的关键要素和路径组合,在基本医疗保障基础上,为满足医疗保障多样化、个性化需求,形成覆盖全面、层次分明、互为补充的医疗保障体系提供理论指导。方法本研究运用清晰集定性比较分析(crisp sets qualitative comparative analysis,csQCA)与个案分析相结合的研究方法,探究多层次医疗保障体系推进的结构要素及实现路径。结果通过对所在区域、推动主体、多元合作、特殊人群、覆盖范围、数据共享、特殊疾病7个结构要素进行必要性检验,发现单个前因条件不构成多层次医疗保障体系成功推进的必要条件,存在12个使其成功推进的组态,整合可归纳为“精准定制型”“全面覆盖+精准保障型”“区域协同型”三种推进模式。结论多层次医疗保障体系成功推进路径具有异质性,多要素之间的联动和条件制约会形成不同路径,呈现出发展模式并发和多样化的特征,建议对多层次医疗保障体系成功推进实行精准的政策和路径引导,避免单一路径依赖。

关键词：多层次医疗保障体系定性比较分析案例研究结构要素组合路径

Ti与Al比例及退火温度对AlGaN/GaN HEMT欧姆接触影响

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大连理工大学学报 2020年第2期60卷 137-141页

作者：李冰冰张贺秋刘旭阳刘俊薛东阳梁红伟夏晓川大连理工大学微电子学院辽宁大连116024

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEM... 详细信息

利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1∶2(20 nm/40 nm)、1∶5(20 nm/100 nm)和1∶8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃, Ti与Al比为1∶5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.

关键词：高电子迁移率晶体管欧姆接触退火比接触电阻率