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Analysis on Conductivity of nc-Si: H Films

Semiconductor Photonics and Technology 1998年第2期4卷 84-89页

作者： QIANGWei xuzhongyang 等 Dept.ofS.S.Electron. HuazhongUniversityofSci.andTechWuhan430074CHN Dept.ofS.S.Electron. HuazhongUni

A conduction channel model is proposed to explain the high conductivity property of nc-Si: H. Detailed energy band diagram is developed based on the analysis and calculation, and the conductivity of the nc-Si: H was then analysed on the basis of energy band theory. It is assumed that the conductivity of the nc-Si: H stems from two parts: the conductance of the interface, where the transport mechanism is identified as a thermal-assisted tunnelling process, and the conductance along the channel around the grain, which mainly determined the high conductivity of the nc -Si: H. The conductivity of nc - Si: H is calculated and compared with the experiment data. The theory is in agreement with the experiment.

关键词： Conductivity Energy Band Diagram Nanocrystalline Silicon Film

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Reactive Ion Etching of ITO Transparent Electrode of TFT-AMLCD in Ar/CF_4 Plasma

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Semiconductor Photonics and Technology 1998年第3期4卷 188-192页

作者： ElHassaneOULACHGAR xuzhongyang 等 Dept.ofElectron.Sci.＆Eng. HuazhongUniversityofSci.＆Tech.Wuhan430074CHN Dept.ofElectron.Sci.＆Eng. Hu

The pattern of ITO transparent electrode of pixel cells in TFT-AMLCD is a critical step in the manufacturing process of flat panel display devices,the development of suitable plasma reactive ion etching is necessary to achieve high resolution *** this work we investigated the Ar/CF 4 plasma etching of ITO as function of different *** demonstrated the ability of this plasma to etch ITO and achieved an etching rate of about 3.73 nm/min,which is expected to increase for long pumping down period,and also through addition of hydrogen in the *** we described the ITO etching mechanism in Ar/CF 4 *** investigation of selectivity showed to be very low over silicon nitride and silicon dioxide but very high over aluminum.

关键词： Ar/CF 4 plasma ITO Reactive Ion Etching TFT-AMLCD

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Amorphous Silicon 16—bit Array Photodetector

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Semiconductor Photonics and Technology 1997年第1期3卷 20-23页

作者： ZHANGShaoqiang xuzhongyang 等 HuazhongUniversityofScienceandTechnology Wuhan430074CHN HuazhongUniversityofScienceandTechnology Wuh

Abstract: An amorphous silicon 16 - bit array photodetector with the a - SiC/a -Si heterojunction diode is presented. The fabrication processes of the device were studied systematically. By the optimum of the diode structure and the preparation procedures, the diode with Id< 10 -12 A/mm2 and photocurrent Ip^0.35 A/W has been obtained at the wavelength of 632 nm.

关键词： Amorphous Semiconductor Photodetector Semiconductor Technology

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