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文献类型

  • 3 篇 期刊文献

馆藏范围

  • 3 篇 电子文献
  • 0 种 纸本馆藏

日期分布

学科分类号

  • 3 篇 工学
    • 2 篇 材料科学与工程（可...
    • 2 篇 电子科学与技术（可...
    • 1 篇 机械工程
    • 1 篇 软件工程

主题

  • 2 篇 igbt3芯片技术
  • 2 篇 高功率igbt模块
  • 2 篇 具备更强机械性能
  • 2 篇 3.3kv
  • 1 篇 模块
  • 1 篇 igbt
  • 1 篇 器件

机构

  • 3 篇 英飞凌科技股份公...

作者

  • 2 篇 m.pfaffenlehner
  • 2 篇 r.spanke
  • 2 篇 th.stolze
  • 2 篇 j.biermann
  • 1 篇 th. stolze j. bi...

语言

  • 3 篇 中文
检索条件"作者=Th. Stolze J. Biermann R. Spanke M. Pfaffenlehner"
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具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3．3kV IGBT3芯片技术
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变频器世界 2009年 第6期 79-82页
作者： th. stolze j. biermann r. spanke m. pfaffenlehner 英飞凌科技股份公司
本文介绍了新一代IHm.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块，其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHm.模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3．3kV IGBT3芯片，在保持机械兼容性的同时，极大地提高了器件的热效率和电气... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
具备更强机械性能的高功率IGBT模块——采用最新3.3kV IGBT3芯片技术
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引用
电力电子 2010年 第1期8卷 69-72页
作者： th.stolze j.biermann r.spanke m.pfaffenlehner 英飞凌科技股份公司
本文介绍了新一代IHm.B具备更强机械性能的高功率IGBT模块,其融合了最新的设计、材料、焊接和安装技术。首批IHm.B模块将搭载最新的、采用沟槽栅单元设计的3.3kV IGBT3芯片,在保持机械兼容性的同时,极大地提高了器件的热效率和电气效率... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块
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引用
电力电子 2009年 第1期7卷 38-41,37页
作者： th.stolze j.biermann r.spanke m.pfaffenlehner 英飞凌科技股份公司
新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。
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