采用高级3.3kV IGBT3芯片技术并具有高机械性能的高功率IGBT模块
作者机构：英飞凌科技股份公司
出 版 物：《电力电子》 (Power Electronics)
年 卷 期：2009年第7卷第1期
页 面：38-41,37页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学]
摘 要：新型功率电子器件通常要求更高的功率密度、可靠性和更简单的封装形式;具有比现有产品更高的芯片热效率和电气效率,以及更高的健壮性和模块可靠性,同时兼容现有的设计,已成为最新模块开发的目标。
维普期刊数据库
同方期刊数据库