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Electrical measurement on individual multi-walled carbon nanotubes

中国有色金属学会会刊：英文版 2006年第B02期16卷 772-775页

作者：邹小平 H.ABE t.shimizu A.ANDO H.OKUMOtO 朱申敏周豪慎 Research Center for Sensor technology Beijing Information technology Institute Beijing 100101China Beijing Key Laboratory for Sensor Beijing 100101 China Nanotechnology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST) 1-1-1 HigashiTsukubaIbalaki 305-8562Japan Energy Electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Energy Electronics Research InstituteNational Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Nanotechnology Research InstituteNational Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 HigashiTsukubaIbalaki 305-8562Japan Nano-electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibalaki 305-8568 Japan Nanotechnology Research Center Research Institute for Electronic ScienceHokkaido UniversitySapporo 001-0021Japan Energy Electronics Research InstituteNational Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Energy Electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 Umezono Tsukuba Ibalaki 305-8568Japan

the characterization of electrical property of multi-walled carbon nanotubes (MWCNts) on a nanometer scale is essential for their potential application in nano-electronic devices. the MWCNts were synthesized on Fe2O3/SiO2/Si substrate and Pt plate substrate by simple thermal chemical vapor deposition (StCVD) technique and the electrical measurements of individual MWCNt grown on silicon substrate and Pt plate substrate were performed by home-made 'nano-manipulator', respectively. According to current-voltage curves obtained in the experiments the current density that the MWCNts can carry is calculated to be about 107 A/cm2, which is much larger than that of normal metals.

关键词：多壁碳纳米管电学测量简易热化学汽相沉积合成

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Selective growth of carbon nanotube on silicon substrates

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中国有色金属学会会刊：英文版 2006年第B01期16卷 377-380页

作者：邹小平 H.ABE t.shimizu A.ANDO H.tOKUMOtO 朱申敏周豪慎 Research Center for Sensor technology Beijing Information Technology InstituteBeijing 100101China Beijing Key Laboratory for Sensor Beijing 100101China Nanotechnology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology1-1-1 HigashiTsukubaIbalaki 305-8562Japan Energy Electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Nano-electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Nanotechnology Research Center Research Institute for Electronic ScienceHokkaido UniversitySapporo 001-0021Japan

the carbon nanotube (CNt) growth of iron oxide-deposited trench-patterns and the locally-ordered CNt arrays on silicon substrate were achieved by simple thermal chemical vapor deposition(StCVD) of ethanol vapor. the CNts were uniformly synthesized with good selectivity on trench-patterned silicon substrates. this fabrication process is compatible with currently used semiconductor-processing technologies, and the carbon-nanotube fabrication process can be widely applied for the development of electronic devices using carbon-nanotube field emitters as cold cathodes and can revolutionize the area of field-emitting electronic devices. the site-selective growth of CNt from an iron oxide nanoparticle catalyst patterned were also achieved by drying-mediated self-assembly technique. the present method offers a simple and cost-effective method to grow carbon nanotubes with self-assembled patterns.

关键词： carbon nanotubes silicon substrate StCVD trench-patterned locally-ordered pattern

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tHE RADIAL FOREARM FLAP IN INtRAORAL RECONStRUCtION:tHE EXPERIENCE OF 25 CASES

THE RADIAL FOREARM FLAP IN INTRAORAL RECONSTRUCTION:THE EXPE...

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第二届中国国际暨第五届全国口腔颌面外科学术会议

作者： t．shimizu t．YOKPBAYASHI M．IWASAWA DEPt. OF ORAL AND MAXILLOFACIAL SURGEY DEPt. OF ORAL AND MAXILLOFACIAL SURGEY DEPt. OF PLAStIC SURGERY. NAGANO RED CROSS HOSPItAL 1521-1WAKASATO NAGANO CITY JAPAN

＜正＞the radial forearm flap has proved to be a reliable free flap in many areas of reconstructive surgery and has made free flap reconstruction of the oral cavity a real possibility. Much of this reliability results from constant vascular pattern of the forearm and the large size of vessels, which greatly simplify the technical aspect of microvascular surgery. In this study we

关键词： tHE RADIAL FOREARM FLAP IN INtRAORAL RECONStRUCtION:tHE EXPERIENCE OF 25 CASES

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Growth of straight carbon nanotubes by simple thermal chemical vapor deposition

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中国有色金属学会会刊：英文版 2006年第B02期16卷 689-691页

作者：邹小平 H.ABE t.shimizu A.ANDO H.tOKUMOtO 朱申敏周豪慎 Research Center for Sensor technology Beijing Information technology Institute Beijing 100101China Beijing Key Laboratory for Sensor Beijing 100101China Nanotechnology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)1-1-1 HigashiTsukubaIbalaki 305-8562Japan Energy Electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan Nanotechnology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 HigashiTsukuba Ibalaki 305-8562 Japan Nano-electronics Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 Umezono TsukubaIbalaki 305-8568 Japan Nanotechnology Research Institute National Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 Higashi Tsukuba Ibalaki 305-8562 Japan Nanotechnology Research Center Research Institute for Electronic Science Hokkaido University Sapporo 001-0021Japan Energy Electronics Research InstituteNational Institute of Advanced Industrial Science and technology (AISt) 1-1-1 UmezonoTsukubaIbalaki 305-8568Japan

Straight carbon nanotubes (CNts) were achieved by simple thermal chemical vapor deposition(StCVD) catalyzed by Mo-Fe alloy catalyst on silica supporting substrate at 700℃. High-resolution transmission electron microscopy images show that the straight CNts are well graphitized with no attached amorphous carbon. Mo-Fe alloy catalyst particles play a very crucial role in the growth of straight CNts. the straight carbon nanotubes contain much less defects than the curved nanotubes and might have potential applications for nanoelectrical devices in the future. the simple synthesis of straight CNts may have benefit for large-scale productions.

关键词：碳纳米管直管生长简易热化学汽相沉积 Mo-Fe合金催化剂

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Wave-particle interaction and dust transport

Wave-particle interaction and dust transport

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the 9th Asia-Pacific Conference on Plasma Science and technology and 21st Symposium on Plasma Science for Materials

作者： U.Konopka t.shimizu H.thomas G.E.Morfill Max-Planck-Instituet for Extraterrestrial Physics 85748 GarchingGermany

＜正＞Wave particle interaction has been studied at kinetic level in StripE Electrode Device（SEED） Comparing to the normal two-parallel-plate radio-frequency（RF） discharge,a stripe electrode, which consists of 100...

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Evolution of nanometer sized switches and memories

Evolution of nanometer sized switches and memories

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中国真空学会2006年学术会议

作者： Masatoshi Ono S．Furuta t．takahashi Y．Naitoh M．Horikawa t．shimizu Funai Electric Advanced Applied technology Research Institute Inc National Institute of Advanced Industrial Science and technology

Atomic size abacus: Utilizing displacement of small objects for switching and memory have been very attractive after the invention of StM in 1981. the first clear image of characters as arrays of atoms (Xe on Ni(110) surface) was demonstrated in 1990[1]. this example showed the ultimate limit of the size of memory elements, namely 0.3 nm, and accuracy in position control. It looks like modern version of abacus utilizing displacement of objects for handling numbers. Challenges to apply SPM (family of StM) for recording and calculation, include studies on mechanical and chemical changes in nanometer size,

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检测禽败血霉形体血清抗体的粘附—血液吸附抑制试验

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动物检疫 1990年第3期7卷 33-34页

作者： t.shimizu 齐铁英

为检测鸡血清中禽败血霉形体抗体,发展了一种简单的粘附-血液吸附抑制(AHAI)试验,该试验不需要大量抗原、特殊试剂或仪器、或对待检血清作预先吸附处理,故可作为检测禽败血霉形体的一种简单的血清学试验,现介绍如下。

关键词：禽败血霉形体抗体 AHAl试验鸡

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全封闭滚动活塞回转制冷压缩机冷冻油的起泡研究

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压缩机技术 1988年第2期 34-37页

作者： t.Yanagisawa.,t.shimizu,丁玉炎英英

众所周知,当制冷压缩机在停止工作较长时期后启动,或在带入较多液体运转时,冷冻油将会起泡沫。全封闭往复压缩机在机壳内充满吸入制冷剂的情况下,用一油加热器和蓄能器消除起泡,以防止液体压缩引起阀损坏。而全封闭回转制冷压缩机机壳... 详细信息

众所周知,当制冷压缩机在停止工作较长时期后启动,或在带入较多液体运转时,冷冻油将会起泡沫。全封闭往复压缩机在机壳内充满吸入制冷剂的情况下,用一油加热器和蓄能器消除起泡,以防止液体压缩引起阀损坏。而全封闭回转制冷压缩机机壳内充满的是排出制冷剂,可以允许有一些泡沫存在。这是因为即使起泡发生,泡沫油也不会吸入气缸;压缩机无吸气阀,不会由于液体压缩造成损害。提高压缩机在制冷循环中的效率和能力,重要的是防止润滑油起泡及外流。

关键词：制冷压缩机全封闭冷冻油制冷剂冷冻剂制冷材料活塞

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赤热石墨棒在乙醇中快速淬火制备多壁碳纳米管

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功能材料 2007年第A6期38卷 2327-2328页

作者：邹小平 H.Abe t．shimizu A．Ando H．tOkumoto 朱申敏周豪慎北京信息工程学院传感技术研究中心北京市传感器重点实验室北京100101 日本国立产业技术综合研究院纳米技术研究所日本筑波市茨城县日本国立产业技术综合研究院纳米电子学研究所日本筑波市茨城县日本国立北海道大学电子科学研究所纳米技术研究中心日本札幌市日本国立产业技术综合研究院能量电子学研究所日本筑波市茨城县

为了满足各种纳米电子学应用的需求，发展新的制备碳纳米管的方法引起人们特别的关注。最近，作者研究了乙醇催化化学气相沉积法来制备多壁碳纳米管。然而，这种方法需要使用金属催化剂，这使得产物中带有杂质。提出了一种采用将赤热石... 详细信息

为了满足各种纳米电子学应用的需求，发展新的制备碳纳米管的方法引起人们特别的关注。最近，作者研究了乙醇催化化学气相沉积法来制备多壁碳纳米管。然而，这种方法需要使用金属催化剂，这使得产物中带有杂质。提出了一种采用将赤热石墨棒在乙醇中快速淬火制备多壁碳纳米管的方法，利用这种方法制备的碳纳米管没有催化剂杂质。利用高分辨透射电子显微术对制备的碳纳米管进行了表征。实验结果表明，制备的产物是多壁碳纳米管。由于这种方法制备碳纳米管不需要催化剂，因此它是一种经济的制备碳纳米管的方法。

关键词：碳纳米管快速淬火石墨棒

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纳米级定位的简单化设计——采用滚珠球轴承的扭轮摩擦传动

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国防科技参考 1997年第3期18卷 69-72页

作者： H.Mizumoto S.Arii A.Yoshimoto t.shimizu N.Ikawa 罗兵

作者在前面的文章中报导了扭轮摩擦传动能实现亚纳米级的定位分辨率。然而,这套装置在结构上的复杂之处就是在于采用了静压轴承支撑扭轮。本文指出了扭轮摩擦传动在结构上如何可以简化为采用球轴承支撑扭轮。在简化之后,实验表明定位分... 详细信息

作者在前面的文章中报导了扭轮摩擦传动能实现亚纳米级的定位分辨率。然而,这套装置在结构上的复杂之处就是在于采用了静压轴承支撑扭轮。本文指出了扭轮摩擦传动在结构上如何可以简化为采用球轴承支撑扭轮。在简化之后,实验表明定位分辨率小于1纳米。本文得出结论,采用球轴承的扭轮摩擦传动对于在洁净环境下要求实现纳米级定位的制造过程变得更为方便,而且可以取代滚珠丝杠以及常规摩擦传动方式。

关键词：纳米技术定位精度滚球球轴承扭轮摩擦传动

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