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Growth and Fabrication of GaN/InGaN Violet Light Emitting Diode on Patterned Sapphire Substrate

Journal of Applied Mathematics and Physics 2014年第12期2卷 1113-1117页

作者： Sonachand Adhikari Saroj Kanta Patra Ashok Lunia Sandeep Kumar Priyavart Parjapat Bhoopendra Kushwaha Pawan Kumar Sumitra Singh Ashok Chauhan Kuldip Singh suchandan pal C. Dhanavantri CSIR-Network of Institutes for Solar Energy (CSIR-NISE) CSIR-Central Electronics Engineering Research Institute (CSIR-CEERI) Pilani Rajasthan India Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR) Chennai Tamil Nadu India

GaN/InGaN based violet light emitting diodes (LEDs), emitting at 430 nm, have been grown on conventional single side polished (SSP) and patterned sapphire substrates (PSS). Characteristics of the epitaxial wafers and subsequently fabricated LEDs have been analyzed. The photoluminescence (PL) peaks have been observed at 428.1 nm 426.1 nm for the epitaxial layers on SSP and PSS respectively. The PL intensity is 2.9 times higher in the case of PSS. The electroluminescence (EL) peaks have been observed at 430.78 nm and 430.35 nm for the LEDs on SSP and PSS respectively. The light output from LED fabricated on the PSS is 2.15 times higher than that of the LED on SSP at a forward current of 100 mA.

关键词： LED GaN/InGaN PSS

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