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H2 sensing properties of modified silicon nanowires

Progress in Natural Science:Materials International 2015年第2期25卷 101-110页

作者： Latefa Baba Ahmed sabrina naama Aissa Keffous Abdelkader Hassein-Bey Toufik Hadjersi Département de physique Université Saad Dahlab de Blidaroute de Soumaa B.P. 270Blida 09000 Algeria Centre de Recherche en Technologie des Semi-conducteurs pour l’Energétique (CRTSE) 2Bd.Frantz FanonB.P. 140 Alger-7 MerveillesAlgerAlgeria

It has been found that the silicon nanowires modified with noble metals can be used to fabricate an effective H2 gas sensor in the present *** preparation and surface modification of silicon nanowires(Si NWs) were carried out by chemical methods. The morphology of the silicon nanowires unmodified and modified with nanoparticles of platinum, palladium, silver and gold was investigated using scanning electron microscopy(SEM). The chemical composition of the silicon nanowire layers was studied by secondary ion mass spectroscopy(SIMS) and energy dispersive X-ray analysis(EDX). The structures of type metal/Si NWs/p-Si/Al were fabricated. The electrical characterization(I–V) was performed in primary vacuum and H2 at different concentrations. It was found that the metal type used to modify the Si NWs strongly influenced the I–V characteristics. The response of these structures toward H2 gas was studied as a function of the metal type. Finally, the sensing characteristics and performance of the sensors were investigated.

关键词： Electroless chemical etching Noble metal H2sensor Silicon nanowires Morphology

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