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Progression of Femmephobia in the LGBTQ＋ Community

2009年

作者： ralphm. stair Jr. Barry Render Michael E. Hanna.

来源：畅想之星图书光盘版（南... 评论

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Journalism and Mass Communication 2017年第8期7卷 465-471页

作者： James stair Mercer University Macon Georgia U.S.

All around, men are raised not to be a ＂sissy＂, ＂gay＂, or a ＂faggot＂. Gay men are, then sculpted by a masculinity framework that, from their early years, will not fully accept them. In an attempt to be accepted, gay men often try to make up for their homosexuality through the performance of masculinity centered on suppression of the feminine. Femmephobia, in this context, is the suppression or rejection of feminine features. In the LGBTQ＋ community, femmephobia is driven by the media and masculinity factors that are manifested in standards of attractiveness, but can also be broken down by media outlets that combat these ideas. Media has shaped gay men＇s perception of body image, standards of beauty, and have led to the progression of femmephobia within the community as a mode of restoring their masculinity that would not accept them. The introduction of alternative ideas of masculinity and gender perception are necessary for creating an inclusive form of masculinity that would promote a greater acceptance of all, and reduce femmephobia in society. Challenges against this masculinity are at work through various routes especially through the media. These venues are creating spaces where male femininity can be further explored and redefined.

关键词： femmephobia feminism LGBTQ+ masculinity media men MSM

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一群肉牛的砷酸铅中毒

国外畜牧学（饲料） 1996年第3期 26-28页

作者：刘伯淳 E.L.stair

某种杀虫剂一旦应用于果园、农场或牧场,其残留的砷酸铅对牲畜有害。砷酸铅中毒的临床症状往往包括心率和呼吸加快、水泻(带或不带血液)、脱水及虚弱。可依据临床症状和肝肾组织或尿样的重金属(砷和铅)分析作出诊断。

关键词：牛病肉牛砷酸铅中毒

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AlGaAs短波长超辐射集成光源

光学学报 1998年第6期18卷 789-792页

作者：赵永生孙中哲李雪梅宋俊峰王之岭姜秀英杜国同 GregoryDevane KathleenA.stair R.P.H.Chang 吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室

设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷ... 详细信息

设计了一种新型半导体集成光源ＡｌＧａＡｓ短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起，在脉冲条件下获得了输出功率为５７ｍＷ的超辐射，谱线宽度（ＦＷＨＭ）为２０ｎｍ，放大器的增益为２１ｄＢ。

关键词：超幅射器件半导体光放大器集成光源铝镓砷

AlGaAs high-power short-wavelength superluminescent integrated source

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Progress in Natural Science:Materials International 1998年第5期 52-56页

作者：赵永生,杜国同,韩伟华,付艳萍,李雪梅,宋俊峰,姜秀英,高鼎三,G.Devane,K.A.stair,R.P.H.Chang Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Department of Electronic Engineering and State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Jilin University Changchun 130023 China Northwestern University Evanston IL 60208-3108 USA Northwestern University Evanston IL 60208-3108 USA Northwestern University Evanston IL 60208-3108 USA

In order to solve the problem in the conventional superluminescent diode (SLD), i. e. its output power is not high enough for some applications, a monolithic superluminescent source by integrating SLD with the tapered semiconductor amplifier has been designed and fabricated. An AlGaAs heterostructure wafer, gain guide of oxide stripe and a way of direct coupling were adopted. The experimental results show that the superluminescent output of SLD can be amplified for about 22 dB by the tapered optical amplifier. A maximum output power of 580 mW has been obtained under Dalsed condition.

关键词： superluminescent diode optical amplifier integrated source.

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假如

大学英语 2014年第5期 1-1页

作者： Nadine stair 童兆升

赏析：诗歌《假如》是根据已故美国老人娜黛茵·丝泰尔（Nadine stair）八十五岁高龄时的一次采访内容编写的。诗中大部分句子采用虚拟语气，表达了一位即将走完人生旅程的老者对过往岁月的诸多遗憾。

关键词：《假如》采访内容虚拟语气诗歌

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一种新型半导体超辐射集成光源

高技术通讯 1998年第1期8卷 5-7页

作者：赵永生杜国同姜秀英韩伟华李雪梅宋俊峰高鼎三吉林大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室

为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这... 详细信息

为有效地提高超辐射输出功率，满足超辐射发光管应用领域不断扩大的需要，提出了超辐射发光管与半导体光放大器单片集成的思想，并采用ＡｌＧａＡｓ单量子阱、增益导引的氧化物条形结构，对该集成器件进行了初步研制。实验结果表明，这种集成器件可有效地提高超辐射输出功率，有望成为新一代大功率超辐射光源。

关键词：超辐射发光管集成光源半导体光电器件

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GaAlAs高功率短波长超辐射集成光源

自然科学进展（国家重点实验室通讯） 1998年第4期8卷 488-492页

作者：赵永生杜国同韩伟华付艳萍李雪梅宋俊峰姜秀英高鼎三 Gregory Devane Kathleen A.stair R.P.H.Chang 吉林大学电子工程系及集成光电子学国家重点实验室 Northwestern University Evanston IL60208-3108 U.S. A

为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器... 详细信息

为解决超辐射发光管输出功率低的问题,利用半导体锥形光放大器对超辐射光加以放大,并采用直接耦合方式将超辐射发光管与半导体锥形光放大器进行单片集成,器件初步采用了GaAlAs SQW双异质结和氧化物条形增益波导结构。实验结果表明,该器件的锥形放大器可将超辐射发光管发出的光放大22dB,在脉冲条件下超辐射输出功率达580mW。

关键词：超辐射发光管锥形光放大器单片集成半导体

stairX:血管内治疗试验设计和新增人群扩展适应证

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国际脑血管病杂志 2019年第8期27卷 566-572页

作者： Andrew M.Demchuk Gregory W.Albers Raul G.Nogueira 吴航(译) 朱武生(译) stairⅩ联盟南京大学医学院 210093 东部战区总医院神经内科南京210002

卒中治疗学术产业圆桌会议(Stroke Treatment Academic Industry Roundtable,stair)每2年一次将研究型医生、产业届以及监管机构代表召集在一起,讨论促进卒中治疗发展的途径。stairⅩ会议的主要目标之一是就如何设计将血管内治疗(endova... 详细信息

卒中治疗学术产业圆桌会议(Stroke Treatment Academic Industry Roundtable,stair)每2年一次将研究型医生、产业届以及监管机构代表召集在一起,讨论促进卒中治疗发展的途径。stairⅩ会议的主要目标之一是就如何设计将血管内治疗(endovascular treatment,EVT)扩展至新增人群的试验提出共识建议,以扩展这种治疗方法的适应证。本报告基于2017年10月23日至24日stairⅩ会议期间举行的一次研讨会总结的专家意见。

关键词：血管内治疗试验设计适应证人群监管机构治疗方法会议产业