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作者

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语言

  • 3 篇 中文
检索条件"作者=Pincik E"
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非均匀a-Si:H层的光致发光光谱研究
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冶金分析 2012年 第1期32卷 43-47页
作者： Brunner R pincik e Kobayashi H Kucera M Takahashi M 斯洛伐克科学院物理研究所 科学与工业研究所 大阪大学与CREST日本科学与技术组织 斯洛伐克科学院电气工程研究所
本文报道了沉积于玻璃基板上的a-Si:H基结构在6K下测定的光致发光光谱。认为其非高斯特性是由材料中的不同相引起的。由光谱拟合获得的数值数据结果显示,它们可以认为是两种有不同结构无序化度区域的光致发光叠加的结果。这是沉积过程... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究
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冶金分析 2011年 第12期31卷 15-20页
作者： pincik e Kobayashi H Madani M Rusnak J Takahashi M Mikula M Brunner R 斯洛伐克科学院物理研究所 科学与工业研究所大阪大学 斯洛伐克科学院化学、食品技术和应用光化学系
研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
湿法化学制备的超薄和极薄二氧化硅/硅膜的光学性能研究
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冶金分析 2012年 第10期32卷 64-67页
作者： KOPANI M KOBAYASHI H TAKAHASHI M MIKULA M IMAMURA K VOJTeK P pincik e 医学院 柯美纽斯大学 科学与工业研究所 大阪大学和CREST日本科学与技术组织 化学、食品技术和应用光化学系 斯洛伐克工业大学 实验物理学系 数学、物理、信息学院柯美纽斯大学 斯洛伐克科学院物理研究所
二氧化硅薄膜至今依然属人们广泛研究的材料,这是因为当这种材料制备为高质量的超薄、极薄的氧化物时,可实际应用于不同方面,如超大规模集成电路(VLSI)的栅氧化层以及液晶显示屏(LCD)的生产。本文考察了厚度为3nm和5nm的极薄二氧化硅层... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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