极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质研究
On electrical and optical properties of very thin oxide/6H-SiC structures作者机构：斯洛伐克科学院物理研究所 科学与工业研究所大阪大学 斯洛伐克科学院化学、食品技术和应用光化学系
出 版 物：《冶金分析》 (Metallurgical Analysis)
年 卷 期：2011年第31卷第12期
页 面：15-20页
核心收录：
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 07[理学] 070205[理学-凝聚态物理] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 0702[理学-物理学]
基 金：非常感谢对日本学术振兴会(JSPS)和下述斯洛伐克基金会APVV-项目(0577/07) VEGA-项目(2/0123/09)
主 题：碳化硅 MOS 硝酸氧化 傅里叶变换红外光谱 深能阶瞬态光谱
摘 要：研究了湿化学法(120℃硝酸氧化,还有低温湿法氧化过程和高温退火组合)制备的极薄氧化物/6H-SiC结构的电学和光学性质。用深能阶暂态光谱学(电荷版)分析了电界面性质,用傅里叶变换衰减全反射红外光谱考察了极薄氧化物/6H-SiC结构的光学性质。发现界面缺陷结构的强转换依赖于应用的技术条件。
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