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Cadmium sorption by sodium and thiourea-modified zeolite-rich tuffs

Journal of Environmental Sciences 2017年第2期29卷 39-48页

作者： perfecto barragán p M.Guadalupe Macedo M Maria T.Olguín Instituto Tecnologico de Toluca Laboratorio de Investigacion en Ingenieria Ambiental.Av.Tecnologico S/NColonia Ex-Rancho La VirgenMetepecEstado de Meico CP.52140Mexico Instituto national de Investigaciones nucleares Departamento de QuimicaA.P.18-1027Col.EseandonDelegacion Miguel Hidalgo C.P.11801Mexico

In the present investigation, two zeolite-rich tuffs from Guaymas and El Cajon（State of Sonora）, which were conditioned with a sodium chloride solution and subsequently modified with a thiourea solution, were chosen to evaluate the removal of Cd from aqueous systems. The zeolitic materials were characterized by scanning electron microscopy and X-ray diffraction. The surface area was also determined. The experiments were performed in a batch system, and the influences of p H, contact time between phases, and the concentration of Cd in the solution on the adsorption by sodium or thiourea-modified zeolite-rich tuff were investigated. It was found that the efficiency of Cd ion removal from aqueous solutions is influenced by the p H of the aqueous systems. The Cd adsorption kinetic data were well fitted to a pseudo-second-order model in all cases. The Langmuir and Langmuir–Freundlich isotherms adequately described the Cd sorption behavior by the zeolite from El Cajon pretreated with na Cl and the zeolite from Guaymas modified with thiourea, respectively.

关键词： Cadmium Zeolite-rich-tuff Sorption Kinetics Isotherms

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C4np-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据(英文)

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电子工业专用设备 2007年第8期36卷 45-53页

作者： Eric Laine Klaus Ruhmer Luc Belanger Michel Turgeon Eric perfecto Hai Longworth David Hawken SUSS MicroTec Inc.VT 05677 USA IBM Canada Ltd. IBM Microelectronics NY 12533 USA IBM Microelectronics NY 13760

受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连... 详细信息

受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具)。这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率。注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300mm(或300mm以下)圆片上。受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性。这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCip以及WLCSp凸台形成均能适用。

关键词：倒装晶片封装圆片级芯片尺寸封装焊凸形成焊球转移

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