C4NP-无铅倒装晶片焊凸形成生产工艺与可靠性数据(英文)

作     者：Eric Laine Klaus Ruhmer Luc Belanger Michel Turgeon Eric Perfecto Hai Longworth David Hawken 

作者机构：SUSS MicroTecInc.VT 05677 USA IBM Canada Ltd. IBM MicroelectronicsNY 12533 USA IBM MicroelectronicsNY 13760 

出 版 物：《电子工业专用设备》 (Equipment for Electronic Products Manufacturing)

年 卷 期：2007年第36卷第8期

页      面：45-53页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 

基　　金：The authors would like to thank the teams at IBM and Suss MicroTec  specifically the published and unpublished work of: Peter Gruber and Da-Yuan Shih of IBM TJ Watson Research Center in Yorktown Heights  N Y. Guy Brouillette  David Danovitch  Jean-Luc Landreville  Valerie 0berson  and Suzanne Boutin of IBM Microelectronics in Bromont  Canada. Barry Hochlowski  David Naugle  James Busby and Chris Tessler of IBM Microelectronics in East Fishkill  NY. Jeffrey Friot of Suss MicroTec 

主　　题：倒装晶片封装 圆片级芯片尺寸封装 焊凸形成 焊球转移 

摘      要：受控倒塌芯片连接新工艺是一种由IBM公司开发、由Suss Micro Tec公司推向商品化的新型焊凸形成技术。受控倒塌芯片连接新工艺采用各种无铅焊料合金致力于解决现有的凸台。形成技术限定,使低成本小节距焊凸形成成为可能。受控倒塌芯片连接新工艺是一种焊球转移技术,熔焊料被注入预先制成并可重复使用的玻璃模板(模具)。这种注满焊料的模具在焊料转入圆片之前先经过检查以确保高成品率。注满焊料的模具与圆片达到精确的接近后以与液态熔剂复杂性无关的简单工序转移在整个300mm(或300mm以下)圆片上。受控倒塌芯片连接新工艺技术能够在焊膏印刷中实现小节距凸台形成的同时提供相同合金选择的适应性。这种简单的受控倒塌芯片连接新工艺使低成本、高成品率以及快速封装周期的解决方法对于细节距FCiP以及WLCSP凸台形成均能适用。