检索结果-南通市图书馆

200 nm gate-length GaAs-based MHEMT devices by electron beam lithography

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Chinese Science Bulletin 2008年第22期53卷 3585-3589页

作者： XU JingBo ZHANG HaiYing WANG WenXin LIU Liang LI Ming FU XiaoJun niu jiebin YE TianChun Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences Beijing 100029 China Institute of Physics Chinese Academy of Science Beijing 100080 China

GaAs-based metamorphic HEMTs (MHEMT) consist of GaAs substrates and InP-based epitaxial structure, and have the advantages of both InP HEMT's excellent performances and GaAs-based HEMT's mature processes. GaAs-based MHEMTs were applied to millimeter-wave low-noise, high-power applications and systems. The current gain cut-off frequency (fT) and the maximum oscillation frequency (fmax) are important performance parameter of GaAs-based MHEMTs, and they are limited by the gate-length mainly. Electron beam lithography is one of the lithography technologies which can be used to realize the deep submicron gate-length. The 200 nm gate-length GaAs-based MHEMTs have been fabricated by electron beam lithography. In order to reduce the parasite gate capacitance and gate resistance, a trilayer resist structure was used to pattern the T-gate resist profile. Excellent DC, high frequency and power performances have been obtained. FT and fmax are 105 GHz, 70 GHz respectively. The research is very helpful to obtain higher performance GaAs-based MHEMTs.

关键词：电子束 MHEMT 电流电子频率

Thermoelectric properties of S-substituted BiCuSeO at O sites:First-principles study

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2020年第1期63卷 122-125页

作者： Gui Yang QingXiu Yu HuiJuan Geng YuanXu Wang School of Physics and Electrical Engineering Anyang Normal UniversityAnyang 455000China Institute far Computational Materials Science School of Physics and ElectronicsHenan UniversityKaifeng 475004China

The conversion efficiency of a thermoelectric(TE)device is dependent on the dimensionless figure of merit defined as ZT=S^2σT/k,where T is absolute temperature.

关键词： temperature. substituted absolute

同方期刊数据库

Lattice-Matched InP-Based HEMTs with T^T of 120GHz 

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2005年第3期26卷 472-475页

作者：陈立强张海英尹军舰钱鹤牛洁斌中国科学院微电子研究所北京100029

Lattice matched InP based InAlAs/InGaAs HEMTs with 120GHz cutoff frequency are *** devices demonstrate excellent DC characteristics:the extrinsic transconductance of 600mS/mm,the threshold voltage of -1 2V,and the ... 详细信息

关键词： cutoff frequency high electron mobility transistors InAlAs/InGaAs InP

EBL制备用于气体传感器的SAW延迟线的方法

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

压电与声光 2010年第3期32卷 340-342,345页

作者：赵以贵刘明牛洁斌陈宝钦中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出... 详细信息

电子束光刻(EBL)具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波(SAW)器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法:首先利用EBL在压电衬底上获得叉指换能器(IDT)的电子抗蚀剂图形;然后用剥离工艺制作出IDT电极。通过邻近效应校正和提高场拼接精度,制作的叉指电极具有一致性,电极形貌好。相对于干法刻蚀工艺,剥离工艺避免了对压电衬底表面的物理损伤。该技术为实现特征尺寸达到百纳米级的更高工作频率SAW器件的制造提供了很好的途径。

关键词：电子束光刻剥离声表面波延迟线叉指换能器

A High Performance InP HEMT with Saw Toothed Source and Drain

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2005年第6期26卷 1126-1128页

作者：张海英刘训春尹军舰陈立强王润梅牛洁斌刘明中国科学院微电子研究所北京100029

Millimeter wave transistor technology is very important for MMIC design and *** InP HEMT with saw toothed source and drain is *** pattern distortion due to the proximity effect of lithography is a *** yield InP HEMT with good DC and RF performances is obtained. The device transconductance is 1050mS/mm,threshold voltage is -1 0V,and current gain cut off frequency is 120GHz.

关键词： InP HEMT MMIC

Ultrahigh-Speed Lattice-Matched In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs with 218GHz Cutoff Frequency

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1864-1867页

作者：刘亮张海英尹军舰李潇徐静波宋雨竹牛洁斌刘训春中国科学院微电子研究所北京100029

Lattice-matched In0.5 Ga0.47 As/In0.52 Al 0.48 As high electron mobility transistors （HEMTs） with a cutoff frequency （ft） as high as 218GHz are reported. This fT is the highest value ever reported for HEMTs in China. These devices also demonstrate excellent DC characteristics：the extrinsic transconductance is 980mS/mm and the maximum current density is 870mA/mm. The material structure and all the device fabrication technology in this work were developed by our group.

关键词： cutoff frequency high electron mobility transistor lnGaAs/InA1As lnP

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子束抗蚀剂图形结构的倒塌与粘连

微纳电子技术 2011年第1期48卷 63-68页

作者：赵珉陈宝钦牛洁斌谢常青刘明湛江师范学院信息科技与技术学院广东湛江524048 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服... 详细信息

首先从实验现象出发,阐述了纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构发生倒塌与粘连的主要几何因素及其关系。除了结构的几何因素外,结合"Beam Sway"模型分析了抗蚀剂微细结构在制作过程中的受力情况。在上述工作的基础上,提出了克服纳米级高密度、高深宽比电子抗蚀剂图形结构倒塌与粘连的相应措施。其中,通过实验验证了超临界CO2干燥技术对于电子束抗蚀剂ZEP520A用于制作周期200nm及150nm、深宽比超过4的光栅图形结构具有良好的效果。

关键词：电子束光刻抗蚀剂高深宽比倒塌超临界二氧化碳干燥

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

电子散射参数提取的新方法

微纳电子技术 2010年第2期47卷 115-120页

作者：赵珉陈宝钦谢常青刘明牛洁斌湛江师范学院信息科技与技术学院广东湛江524048 中国科学院微电子研究所纳米加工与新器件集成技术实验室北京100029

准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之... 详细信息

准确提取电子散射参数是确保纳米级电子束光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双高斯分布,其中η的提取是基于设计线宽变化与相应曝光剂量之间的线性关系进行拟合而得;α和β的提取则是分别根据前散射和背散射的范围设计特定的提取版图,并根据电子束邻近效应产生的特殊现象进行参数值的确定。根据此方法提取了150nm厚负性HSQ抗蚀剂层在50kV入射电压下的散射参数,并将其应用于邻近效应校正曝光实验中,很好地克服了电子束邻近效应的影响,验证了此方法提取电子束曝光邻近效应校正参数的实用性及准确性。

关键词：电子束光刻邻近效应校正电子散射散射参数微细加工抗蚀剂

In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As HEMTs with f_(max) of 183GHz

在线全文

学校读者我要写书评

暂无评论

Journal of Semiconductors 2007年第12期28卷 1860-1863页

作者：刘亮张海英尹军舰李潇杨浩徐静波宋雨竹张健牛洁斌刘训春中国科学院微电子研究所北京100029

By epitaxial layer structure design and key fabrication process optimization,a lattice-matched InP-based In0.53Ga0.47 As-In0.52Al0.48As HEMT with an ultra high maximum oscillation frequency （fmax） of 183GHz was fab- ricated. The fmax is the highest value for HEMTs in China. Also, the devices are reported, including the device structure, the fabrication process, and the DC and RF performances.

关键词： maximum oscillation frequency/power-gain cutoff frequency high electron mobility transistor InGaAs/InAIAs InP