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Characterization of Totally Geodesic Totally Real 3-dimensional Submanifolds in the 6-sphere

Acta Mathematica Sinica,English Series 2006年第5期22卷 1557-1564页

作者： Miroslava ANTIC mirjana djoric Luc VRANCKEN Faculty of Mathematics University of BelgradeStudentski trg 16 pb. 550 11000 Belgrade Serbia and Montenegro LAMATH ISTV2 Université de Valenciennes Campus du Mont Houy59313 Valenciennes Cedex 9 France

In this paper, we study Lagrangian submanifolds of the nearly Kaehler 6-sphere. We derive a pinching result for the Ricci curvature of such submanifolds thus providing a characterisation of the totally geodesic subman... 详细信息

关键词： Ricci curvature totally real submanifold nearly Kaehler 6-sphere totally geodesic submanifold

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Analysis of recoverable and permanent components of threshold voltage shift in NBT stressed p-channel power VDMOSFET

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Chinese Physics B 2015年第10期24卷 386-394页

作者： Danijel Dankovi Ninoslav Stojadinovi Zoran Priji Ivica Mani Vojkan Davidovi Aneta Priji Snezana djoric-Veljkovi Snezana Golubovi Department of Microelectronics Faculty of Electronic EngineeringUniversity of Nis Department of Mathematics Physics and InformaticsFaculty of Civil Engineering and ArchitectureUniversity of Nis

In this study we investigate the dynamic recovery effects in IRF9520 commercial p-channel power vertical double diffused metal-oxide semiconductor field-effect transistors（VDMOSFETs） subjected to negative bias temperature（NBT）stressing under the particular pulsed bias. Particular values of the pulsed stress voltage frequency and duty cycle are chosen in order to analyze the recoverable and permanent components of stress-induced threshold voltage shift in detail. The results are discussed in terms of the mechanisms responsible for buildup of oxide charge and interface traps. The partial recovery during the low level of pulsed gate voltage is ascribed to the removal of recoverable component of degradation, i.e., to passivation/neutralization of shallow oxide traps that are not transformed into the deeper traps（permanent component）.Considering the value of characteristic time constant associated with complete removal of the recoverable component of degradation, it is shown that by selecting an appropriate combination of the frequency and duty cycle, the threshold voltage shifts induced under the pulsed negative bias temperature stress conditions can be significantly reduced, which may be utilized for improving the device lifetime in real application circuits.

关键词： negative bias temperature instability vertical double-diffused metal-oxide semiconductor recov- erable permanent degradation

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