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IMP & HIRFL Annual Report 2013年第1期 196-197页

作者： Wang Yuyu Clara Grygiel Christian Dufour Sun Jianrong Wang Zhiguang Zhao Yongtao Xiao Guoqing ChengRui Zhou Xianming Ren Jieru Amine Cassimi Isabelle Monnet Serge Bouffard Fritz Aumayr marcel toulemonde Cimap-Ganil Cea-Cnrs-Ensicaen-University of CAEN F-14070 Caen Cedex 5 France.

Investigation of microstructure modification of C-doped a-SiO_2/Si after Pb-ion irradiation

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Science China(Physics,Mechanics & Astronomy) 2012年第2期55卷 242-246页

作者： LIU ChunBao WEI KongFang YAO CunFeng WANG ZhiGuang JIN YunFan toulemonde M Department of Physics Heze UniversityHeze 274015China Institute of Modern Physics Chinese Academy of SciencesLanzhou 730000China Centre for Interdisciplinary Research with Heavy lons Caen 14070France

Thermally grown amorphous SiO2 （a-SiOz） films were implanted at room temperature （RT） with 100 keV C-ions to 5.0× 10^17 ions/cm2. These samples were irradiated at RT with 853 MeV Pb-ions to 1.0x 1012 and 5.0× 10^12 ions/cm2. Then the samples were investigated using Transmission Electron Microscopy （TEM） at RT. Significant microstructure modifications were observed in C-doped a-SiO2/Si samples after high energy Pb-ion irradiations, and the formation of new structures depended strongly on the Pb-ion irradiation fluences. For example, tracks in high density were observed in a 1.0× 10^12 Pb/cm2 irradiated and C-doped sample. Additionally, the length of tracks grows, and a large number of 8H-SiC nanocrystals can be seen in the film when irradiation fluence is increased to 5.0× 10^12 Pb/cm2. Possible modification processes of C-doped a-SiO2 under swift heavy ion irradiations are briefly discussed.

关键词： swift heavy ion irradiation C-doped SiO2 Transmission Electron Microscopy (TEM)

FTIR Investigation of C-implanted Crystalline SiO2 after 950 MeV Pb-ion irradiation

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IMP & HIRFL Annual Report 2005年 59-60页

作者： A. Benyagoub M. toulemonde CIRIL BP513314070 Caen Cedex 05France

Crystalline SiO2(c-SiO2) samples were firstly implanted at room temperature (RT) with 120 keV Cions and then irradiated at RT with 950 MeV Pb ions. The C-ion irradiation experiments were performed on the 200 kV heavy ion implanter of IMP and the selected implantation doses are 2. 0×1017 , 5. 0×1017, 8. 6×1017 and 1. 2×1017C/cm2. The Pb ion irradiation was carried out at the IRASME (CIRIL-GANIL, Caen) and the irradiation fluencies are 5.0×1011,1. 0×1012 and 1..0×1012 Pb/cm2 , respectively. The chemical bonds formation in the samples was investigated by using a Spectrum GX IR spectroscopy.

关键词：

高能Pb离子辐照注碳SiO_2的红外谱研究

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高能物理与核物理 2005年第8期29卷 824-829页

作者：赵志明王志光 A.Benyagoub M.toulemonde F.Levesque 宋银金运范孙友梅中国科学院近代物理研究所 CIRIL BP513314070 Caen Cedex05France

室温下,先用120keV的C离子注入二氧化硅薄膜样品至剂量2.0×1017,5.0×1017或8.6×1017ions/cm2,再用950MeV的Pb离子分别辐照至剂量5.0×1011,1.0×1012或3.8×1012ions/cm2,然后测量样品的傅里叶变换红外(FTIR)光谱.通过分析测量得到的傅里叶变换红外谱,发现Pb离子辐照在注碳SiO2样品中可引起大量的Si—C和Si(C)—O—C等化学键的形成,大剂量Pb离子辐照可在大剂量注碳的SiO2中产生分子CO2.大量的Si—C键的存在和分子CO2的形成,预示着高能Pb离子辐照在注碳SiO2样品中有可能形成了纳米Si团簇和/或SiC晶粒.

关键词：低能离子注入高能重离子辐照原子混合 FTIR谱红外光谱

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纯金属Bi中高能重离子辐照效应

科学通报 2001年第12期46卷 992-995页

作者：王志光 M.toulemonde 金运范 C.Dufour J.Dural E.Paumier 中国科学院近代物理研究所 CIRIL Rue Claude BlochBP513314040 Caen Cedex France LERMAT ISMRaBd.Mal Juin 14050 Caen Cedex France.

利用高能重离子（Ｋｒ，Ｘｅ，Ｓｎ和Ｐb ）辐照处于１６或１００Ｋ的低熔点纯金属Ｂｉ，通过测量分析辐照引起的样品电阻率增量及其变化速率随辐照剂量的变化，研究了入射离子在Ｂｉ中引起的辐照损伤效应如辐照损伤效率及复杂缺... 详细信息

利用高能重离子（Ｋｒ，Ｘｅ，Ｓｎ和Ｐb ）辐照处于１６或１００Ｋ的低熔点纯金属Ｂｉ，通过测量分析辐照引起的样品电阻率增量及其变化速率随辐照剂量的变化，研究了入射离子在Ｂｉ中引起的辐照损伤效应如辐照损伤效率及复杂缺陷的产生等．结果表明，强的电子能损可在纯金属Ｂｉ中引起附加缺陷的产生，从而使得辐照损伤效率＞１．电子能损值大时，入射离子在Ｂi中引起的辐照效应主要是电子能损效应．辐照温度和入射离子速度对辐照效应的强弱有一定的影响．

关键词：纯金属铋辐照损伤效率电子能损效应高能重离子辐照效应电阻率辐照剂量

Application of Heavy Ion Physics and Nuclear Technique——FTIR Investigation of C-implanted Crystalline SiO2 after 950 MeV Pb-ion irradiation

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2005年第1期 57-57,59,60页

作者： Wang Zhiguang Zhao Zhiming A. Benyagoub M. toulemonde Song Yin Liu Chunbao Zang Hang Wei Kongfang Jin Yunfan 不详 CIRIL BP5133 14070 Caen Cedex 05 France.

关键词：重离子物理二氧化硅 MeV 铅离子红外光谱离子辐照植入核技术

Complex Defects in Bismuth Produced by Swift Heavy Ion Irradiations

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近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报：英文版 2000年第1期 142-142页

作者： WangZhiguang M.toulemonde 不详 CIRIL，RueClaudeBloch BP513314070Caen－Cedex05France

快重离子辐照引起Ni/SiO_2界面原子混合及相变研究

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原子核物理评论 2009年第1期26卷 44-47页

作者：刘纯宝王志光魏孔芳臧航姚存峰马艺准盛彦斌缑洁金运范 A.Benyagoub M.toulemonde 中国科学院近代物理研究所中国科学院研究生院 CIRIL BP513314070 Caen Cedex 05France

在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/Si O2样品,用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。通过分析Ni/SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化,探索了离子辐照在Ni/SiO2样品中引起的界面... 详细信息

在室温下用308 MeV的Xe离子和853 MeV的Pb离子辐照Ni/Si O2样品,用卢瑟福背散射和X射线衍射技术对样品进行了分析。通过分析Ni/SiO2样品中元素成分分布和结构随离子辐照剂量和电子能损的变化,探索了离子辐照在Ni/SiO2样品中引起的界面原子混合与结构相变现象。实验结果显示,Xe和Pb离子辐照均能引起明显的Ni原子向SiO2基体的扩散并导致界面附近Ni,Si和O原子的混合。实验观测到低剂量Xe离子辐照可产生NiSi2相,而高剂量Xe离子辐照则导致了Ni3Si和Ni O相的形成。根据热峰模型,Ni原子的扩散和新相的形成可能由沿离子入射路径强电子激发引起的瞬间热峰过程驱动。

关键词：快重离子辐照界面原子混合与结构相变卢瑟福背散射 X射线衍射

FTIR Study of New Chemical Bond Formation in N-doped Carbon under Swift Pb ion Irradiation

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IMP & HIRFL Annual Report 2003年 73-73页

作者： A.Benyagoub,M.toulemonde CIRIL BP5133 14070 Caen Ccdcx05 France. CIRIL BP5133 14070 Caen Ccdcx05 France.

Since Liu and Cohen predicted that the bulk modulus of carbon nitride films with the structure of β-C3N4 are comparable or even surpass those of diamond, intensive experimental efforts have been done to synthesize this new material. Various kinds of synthesized methods have been applied to fabricate carbon nitride films, whereas samples with sufficient amounts of crystallized C3N4 structure or with mechanical properties comparable to the

关键词：

Chemical Bond Formation in C-implanted SiO2 Films Induced by High-energy Pb-ion Irradiation

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IMP & HIRFL Annual Report 2004年 88-88页

作者： A. Benyagoub,M. toulemonde,F. Levesque CIRIL BP5133 14070 Caen Cedex 05 France CIRIL BP5133 14070 Caen Cedex 05 France CIRIL BP5133 14070 Caen Cedex 05 France

SiO2 films were firstly implanted at room temperature (RT) with 120 keV C-ions and then irradiated at RT with 950 MeV Pb ions. The C-ion implantation was performed at the 200 kV heavy ion implanter (IMP, Lanzhou) and the selected implantation doses are 2.0×1017, 5.0×1017 and 8.6×1017 C/cm2. The Pb ion irradiation was carried out at the IRASME (CIRIL-GANIL, Caen) and the irradiation fluence was in the region from 5.0×1011 to 3.8×1012 Pb/cm2. The chemical bond formation in the samples was investigated by using a Spectrum GX IR spectroscopy.

关键词：