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光调制器综述

半导体技术 2008年第4期33卷 286-288,315页

作者：陈燕张世林张彬毛陆虹郭维廉天津大学电子信息工程学院天津300072

在光纤通信中,光调制器光信号调制发挥着不可替代的作用。介绍了光调制器的发展历程和最新进展,详细分析了不同种类的Si基光调制器的工作原理。与化合物材料光调制器进行了对比,指出最新技术利用Si作为基本材料,研究起步较晚,但是进展较... 详细信息

在光纤通信中,光调制器光信号调制发挥着不可替代的作用。介绍了光调制器的发展历程和最新进展,详细分析了不同种类的Si基光调制器的工作原理。与化合物材料光调制器进行了对比,指出最新技术利用Si作为基本材料,研究起步较晚,但是进展较快,但目前其相应速度等特性还比不上化合物调制器。表明由于Si基光调制器易与CMOS和VLSI工艺兼容,实现光电集成的全Si化和单片化是目前的一个研究热点。

关键词：光调制器环形谐振器空穴等离子体

2.45 GHz RFID半有源标签电源管理电路设计

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微电子学 2013年第5期43卷 661-666页

作者：王潇潇张世林张艳征毛陆虹谢生天津大学电子信息工程学院天津300072

针对半有源标签的特点,分析了制约半有源标签读写距离与使用寿命的因素,提出一种适用于2.45GHz射频识别的带模式控制功能的电源管理电路设计方案,以使标签的识别距离最大化,延长标签的使用寿命。该方案中,标签可根据与读写器的距离自动... 详细信息

针对半有源标签的特点,分析了制约半有源标签读写距离与使用寿命的因素,提出一种适用于2.45GHz射频识别的带模式控制功能的电源管理电路设计方案,以使标签的识别距离最大化,延长标签的使用寿命。该方案中,标签可根据与读写器的距离自动切换有源/无源工作模式,供电电源也随之在内部电池和射频信号之间自动切换。在无源模式下,所有高功耗模块,如低噪声放大器、调制器和功率放大器将被关断,以最大程度地节省整体芯片功耗;在有源模式下,高功耗模块启动,标签的工作距离大大提高。仿真结果表明,在输入电压为500mV,负载电阻为60kΩ的情况下,电荷泵的输出可达1.9V,为其他模块正常工作提供了可靠保证。

关键词： RFID 半有源标签模式控制电源管理

160 GHz三级堆栈式CMOS功率放大器的设计

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南开大学学报（自然科学版） 2020年第4期53卷 63-66,92页

作者：陈天伟毛陆虹谢生刘一波天津大学电气自动化与信息工程学院天津300072

在40 nm标准CMOS工艺下,使用堆栈式结构设计了160 GHz的伪差分式三级功率放大器,并且应用了中和电容技术提升了其增益与稳定性.其中,级间匹配与输入输出Balun使用了片上变压器,从而减小了匹配损耗,并且提升了最终的带宽.讨论了在伪差分... 详细信息

在40 nm标准CMOS工艺下,使用堆栈式结构设计了160 GHz的伪差分式三级功率放大器,并且应用了中和电容技术提升了其增益与稳定性.其中,级间匹配与输入输出Balun使用了片上变压器,从而减小了匹配损耗,并且提升了最终的带宽.讨论了在伪差分堆栈式结构中使用中和电容的影响与解决方案.仿真结果表明:功放在160 GHz时达到最大增益11.4 dB,3 dB带宽达到24.9 GHz,饱和输出功率达到4.9 dBm,功耗为84.5 mW.对比传统的共源级和共源共栅结构,堆栈式结构也可以应用于毫米波电路,并且提升了功放的性能.

关键词：堆栈式毫米波中和电容变压器功率放大器

双分支Hammerstein-Wiener射频功放行为建模及预失真

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微电子学 2013年第4期43卷 545-549页

作者：曲昀南敬昌毛陆虹张智栋王鑫辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 天津大学电子信息工程学院天津300072

提出一种新的双分支Hammerstein-Wiener模型,对功放进行非线性行为建模及数字预失真研究。利用飞思卡尔半导体公司的MRF7S21170晶体管进行功放电路设计,从ADS中导出输入输出数据进行模型验证和预失真分析。仿真结果表明,该模型性能优于H... 详细信息

提出一种新的双分支Hammerstein-Wiener模型,对功放进行非线性行为建模及数字预失真研究。利用飞思卡尔半导体公司的MRF7S21170晶体管进行功放电路设计,从ADS中导出输入输出数据进行模型验证和预失真分析。仿真结果表明,该模型性能优于Hammerstein,Wiener和记忆多项式模型,具有较高的精度,能够精确模拟功率放大器的特性,经过数字预失真后,能抑制功放非线性引起的带内失真和频谱再生,对功放线性化技术的发展具有重要的应用价值。

关键词：功率放大器行为模型 Hammerstein-Wiener模型非线性预失真

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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究

高技术通讯 2010年第6期20卷 632-636页

作者：宋瑞良毛陆虹郭维廉谢生齐海涛张世林梁惠来天津大学电信学院天津300072 南开大学光电子所天津300071

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 详细信息

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。

关键词：共振隧穿三极管(RTT) 器件模型肖特基接触

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MS/RF CMOS工艺兼容的光电探测器

Journal of Semiconductors 2005年第10期26卷 1995-2000页

作者：黄家乐毛陆虹陈弘达高鹏刘金彬雷晓荃天津大学电子与信息工程学院天津300072 中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室北京100083

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响... 详细信息

为实现光纤通信系统中的单片光电集成,采用工业标准工艺设计了硅基光电探测器,讨论了光电探测器的机理,提出了五种新的探测器结构,并采用TSMC0.18μmMS/RFCMOS工艺进行了流片.利用半导体测试仪对芯片进行了测试,包括探测器的暗电流、响应度和结电容,并分析了深n阱、浅沟槽隔离等工艺步骤对探测器参数的影响.结果表明,利用标准MS/RFCMOS工艺实现的光电探测器具有良好的特性.

关键词：单片集成 MS/RF CMOS工艺硅光电探测器暗电流响应度结电容

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基于相控阵天线的RFID系统设计

电子技术应用 2012年第5期38卷 113-117页

作者：吴龙毛陆虹胡焙剑李建雄雷波天津大学电子信息工程学院天津300072 天津工业大学电子与信息工程学院天津300160

设计了一种可扩展阅读范围的相控阵天线RFID系统。采用Intel R1000阅读器开发平台、MASWSS0204开关芯片,研制了功率分配器、移相器、天线阵,搭建了符合ISO 18000-6C和EPC globalGen 2标准、中心频率为915 MHz RFID阅读器系统。系统引... 详细信息

设计了一种可扩展阅读范围的相控阵天线RFID系统。采用Intel R1000阅读器开发平台、MASWSS0204开关芯片,研制了功率分配器、移相器、天线阵,搭建了符合ISO 18000-6C和EPC globalGen 2标准、中心频率为915 MHz RFID阅读器系统。系统引入相控阵原理,并对阅读器进行了简单改动,设计了相控阵RFID系统的硬件组成结构和软件工作流程。设计的相控天线阵列由2×2个微带天线单元、3个功率分配器和1个移相器组成,使用FR4介质板材料制作。实验结果表明,该系统增大了RFID信号的覆盖范围。

关键词： RFID阅读器移相器功率分配器相控阵天线

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TD-SCDMA基站系统功率放大器设计

微电子学 2012年第4期42卷 481-484页

作者：南敬昌丛密芳任建伟毛陆虹辽宁工程技术大学电子与信息工程学院辽宁葫芦岛125105 天津大学电子与信息工程学院天津300072

基于功率晶体管BLF6G21-10,采用负载牵引的大信号方法,实现了一种应用于TD-SCDMA基站系统的功率放大器。仿真和测试结果表明,设计的功放完全满足高效率、高线性度的指标要求。同时,通过一个稳压管将ZXCT1009应用于集电极+24V的电流检测... 详细信息

基于功率晶体管BLF6G21-10,采用负载牵引的大信号方法,实现了一种应用于TD-SCDMA基站系统的功率放大器。仿真和测试结果表明,设计的功放完全满足高效率、高线性度的指标要求。同时,通过一个稳压管将ZXCT1009应用于集电极+24V的电流检测,不仅为功放的正常工作提供了保证,还大大降低了检测成本。经多次试验验证,该功放具有良好的稳定性和很高的可复制性,可以很好地应用于TD-SCDMA系统。

关键词： TD-SCDMA 功率放大器互调分量功率附加效率

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SiGe合金单晶生长研究

半导体技术 2009年第4期34卷 328-332页

作者：刘锋毛陆虹韩焕鹏王义猛李丹何秀坤中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 天津大学电子信息工程学院天津300072

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%... 详细信息

通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。

关键词：锗硅单晶锗的质量分数单晶生长直拉法位错密度