SiGe合金单晶生长研究

作     者：刘锋 毛陆虹 韩焕鹏 王义猛 李丹 何秀坤 Liu Feng;Mao Luhong;Han Huanpeng;Wang Yimeng;Li Dan;He Xiukun

作者机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所天津300220 天津大学电子信息工程学院天津300072 

出 版 物：《半导体技术》 (Semiconductor Technology)

年 卷 期：2009年第34卷第4期

页      面：328-332页

学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学] 080501[工学-材料物理与化学] 0805[工学-材料科学与工程（可授工学、理学学位）] 080502[工学-材料学] 

基　　金：国家部委基金资助项目 

主　　题：锗硅单晶 锗的质量分数 单晶生长 直拉法 位错密度 

摘      要：通过改进SiGe单晶生长热场和Ar气流动方式,并采用合适的生长速度,优化调整SiGe单晶生长控制工艺参数,有效控制了SiGe单晶的位错密度。采用直拉(CZ法)在国产TDR-62Si单晶炉上,采用150 mm密闭式热系统,生长出了Ge质量分数为9.79%～12.92%、Φ为50～60mm的SiGe单晶。可应用于X射线单色器、探测空间γ射线的透镜及热电器件,还可用作部分光电器件和量子阱器件SiGe同质外延生长的衬底。