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Investigation of SiGe-on-Insulator Novel Structure

Journal of Rare Earths 2004年第Z2期22卷 13-16页

作者： lin chenglu liu weili an zhenghua di zengfeng zhang miao Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology Chinese Academy of SciencesShanghai 200050China Shanghai SIMGUI Technology Co. LtdShanghai Jiading 201821China Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050China Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050China Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050China Shanghai Institute of Microsystem and Information TechnologyChinese Academy of SciencesShanghai 200050China Shanghai SIMGUI Technology Co. LtdShanghai Jiading 201821China

SiGe-on-Insulator (SGOI) is an ideal substrate material for realizing strained-silicon structures that are very competing and popular in present silicon technology. In this paper, two methods are proposed to fabricate SGOI novel structure. One is modified Separation by Implantation of Oxygen (SIMOX) starting from pseuodomorphic SiGe thin film without graded SiGe buffer layer. Results show that two-step annealing can improve the cystallinity quality of SiGe and block the Ge diffusion in high temperature annealing. SGOI structure with good quality has been obtained through two-step annealing. The second method is proposed to achieve SGOI with high content of Ge. High quality strained relax SiGe is grown on a compliant silicon-on-insulator (SOI) substrate by UHCVD firstly. During high temperature oxidation,Ge atoms diffuse into the top Si layer of SOI. We successfully obtain SGOI with the Ge content of 38%, which is available for the growth of strained Si.

关键词： SGOI SIMOX SOI strained Si

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改进型Ge浓缩技术制备SGOI及其机理

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Journal of Semiconductors 2006年第Z1期27卷 252-256页

作者：张苗狄增峰刘卫丽骆苏华宋志棠朱剑豪林成鲁中国科学院上海微系统与信息技术研究所半导体功能薄膜工程技术研究中心信息功能材料国家重点实验室上海200050 香港城市大学中国香港

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化... 详细信息

对Ge浓缩技术进行改进,通过对Si/SiGe/Si三明治结构氧化退火,成功制备了Ge含量高达18%的SGOI材料.实验结果表明:顶层的Si可以有效抑制SiGe层氧化初期Ge元素的损失,退火过程有助于Ge元素在SiGe层中的均匀分布,同时也减轻了Ge元素在氧化层下的聚集.在高温条件(1150℃)下制备的SGOI材料应力完全释放,几乎没有引入位错.

关键词： SiGe-on-insulator 氧化扩散

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A Study of SiGe/Si Heterostructure Implanted By Oxygen and Hydrogen

A Study of SiGe/Si Heterostructure Implanted By Oxygen and H...

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2001 6～(th) International Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology

作者： zhenghua AN, miao zhang, Chuanling MEN, weili liu, Kaicheng LI, chenglu lin State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Metallurgy,Chinese Academy of Sciences, 865 Changning Rd., 200050 Shanghai, P.R.ChinaNatinal Key Lab of Analog IC, Sichuan Institute of Solid-State Circuits, 14 Huayuan Rd.,400060 Chongqing, P.R.China

A 100nm SiGe film with uniform Germaniumcomposition was grown on Si (100) substrate using MBEsystem without graded SiGe buffer layer. Then thesamples were implanted by oxygen ions at an energy of45keV and a dose of 3×10

关键词： SiGe on Insulator (SiGe-OI) SiGe SIMOX Smart-cut

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