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检索条件"作者=Lanlong JI"
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Total ionizing dose effects on aluminum oxide/zirconium-doped hafnium oxide stack ferroelectric tunneling junctions
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Science China(Information Sciences) 2022年 第6期65卷 279-280页
作者： Xueqin YANG Yannan XU jinshun BI Kai XI Linjie FAN lanlong ji Gaobo XU Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences University of Chinese Academy of Sciences
Dear editor,Ferroelectric random access memory(FeR AM) technologies based on hafnium oxide(HfO) are promising candidates for future non-volatile memory applications due to their scalability and complementary metal-oxi... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
Simulations of single event effects on the ferroelectric capacitor-based non-volatile SRAM design
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Science China(Information Sciences) 2021年 第4期64卷 238-240页
作者： jianjian WANG jinshun BI Gang LIU Hua BAI Kai XI Bo LI Sandip MAJUMDAR lanlong ji Ming LIU Zhangang ZHANG Institute of Microelectronics Chinese Academy of Sciences School of Electronics and Information Engineering Tianjin Polytechnic University Beijing Relitech Co. Ltd. Department of Science and Technology ICFAI University Tripura Science and Technology on Reliability Physics and Application of Electronic Component Laboratory China Electronic Product Reliability and Environmental Testing Research Institute
Dear editor,Non-volatile static random access memory (nvS RAM) with a 6-transistor 2-ferroelectric capacitor (6T2C) structure has been proposed, which meets requirements such as high operating speed and non-volatile m... 详细信息
来源： 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
55 nm SONOS闪存单元的1/f噪声特性研究
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微电子学 2019年 第6期49卷 852-857页
作者： 陈丹旸 季兰龙 李梅 李博 毕津顺 刘明 中国科学院大学 北京100049 中国科学院微电子研究所 北京100029
基于55 nm ULP CMOS工艺来制备SONOS闪存单元,并通过1/f噪声测试等方式对测试单元的器件特性进行表征。基于1/f噪声表征和转移特性,分析了编程态和擦除态下SONOS闪存单元内部缺陷水平的变化规律与机制。针对1/f噪声与亚阈值特性的缺陷... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
γ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应
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现代应用物理 2022年 第3期13卷 164-169页
作者： 范林杰 毕津顺 习凯 赵碧瑶 徐彦楠 季兰龙 中国科学院微电子研究所微电子器件与集成技术重点实验室 北京100029 中国科学院大学微电子学院 北京100049
开展了^(60)Coγ射线辐照柔性基底石墨烯霍尔传感器的总剂量效应实验研究,测量并分析了在γ射线辐照至1 Mrad前后柔性基底石墨烯霍尔传感器的电学性能。γ射线辐照后,传感器的霍尔电压、线性度、失调电压和电流相关灵敏度均略有降低,电... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 同方期刊数据库 评论
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