55 nm SONOS闪存单元的1/f噪声特性研究
Study on 1/f Noise Characteristics of 55 nm SONOS Flash Memory Cell作者机构：中国科学院大学北京100049 中国科学院微电子研究所北京100029
出 版 物：《微电子学》 (Microelectronics)
年 卷 期：2019年第49卷第6期
页 面：852-857页
学科分类：080903[工学-微电子学与固体电子学] 0809[工学-电子科学与技术（可授工学、理学学位）] 08[工学]
摘 要：基于55 nm ULP CMOS工艺来制备SONOS闪存单元,并通过1/f噪声测试等方式对测试单元的器件特性进行表征。基于1/f噪声表征和转移特性,分析了编程态和擦除态下SONOS闪存单元内部缺陷水平的变化规律与机制。针对1/f噪声与亚阈值特性的缺陷水平出现矛盾的现象,引入NBTI中的双阶段模型进行阐述,进一步分析1/f噪声测试环节对SONOS器件的影响。
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