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西安电子科技大学学报 2000年第3期27卷 309-311页

作者：刘红侠郝跃朱秉升西安电子科技大学微电子所陕西西安710071 西安交通大学电子工程系陕西西安710049

SIPOS薄膜的含氧量是一个非常重要的工艺参数 .文中研究了用LPCVD法制备SIPOS薄膜的各种特性参数与含氧量的变化关系 ,提出了SIPOS薄膜生长的最佳工艺条件 .为SIPOS薄膜钝化技术的实用化奠定了基础 .

关键词：掺氧半绝缘多晶硅 LPCVD 薄膜淀积

The influence and explanation of fringing-induced barrier lowering on sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics

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Chinese Physics B 2012年第5期21卷 602-606页

作者：马飞刘红侠匡潜玮樊继斌 Key Laboratory of Ministry of Education for Wide Band-Gap Semiconductor Material and Devices School of MicroelectronicsXidian University

The fringing-induced barrier lowering（FIBL） effect of sub-100 nm MOSFETs with high-k gate dielectrics is investigated using a two-dimensional device *** equivalent capacitance theory is proposed to explain the physics mechanism of the FIBL *** FIBL effect is enhanced and the short channel performance is degraded with increasing *** on equivalent capacitance theory,the influences of channel length,junction depth,gate/lightly doped drain（LDD） overlap length,spacer material and spacer width on FIBL is thoroughly investigated.A stack gate dielectric is presented to suppress the FIBL effect.

关键词： high-k gate dielectric fringing-induced barrier lowering stack gate dielectric MOSFET

从责任伦理视角反思中国刑法中的几个基本问题

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河北学刊 2015年第5期35卷 147-151页

作者：田宏杰刘红霞中国人民大学法学院北京100872

几乎所有的传统伦理学均建立在"自我"中心的前提下,其道德要求也得自于"自我"的主观感受和价值选择,"他者"在传统伦理学视域下沦为"自我"的附庸。现代责任伦理学试图摆正"自我"与"他者"的关系和位置,承认世界是一个多元化、差异性的存在... 详细信息

几乎所有的传统伦理学均建立在"自我"中心的前提下,其道德要求也得自于"自我"的主观感受和价值选择,"他者"在传统伦理学视域下沦为"自我"的附庸。现代责任伦理学试图摆正"自我"与"他者"的关系和位置,承认世界是一个多元化、差异性的存在,从而演绎出"他者"思维和"为他"责任。法律和道德之间存在着千丝万缕的联系,即使规范法学曾经一度妄图摆脱法律和道德的关系,但实践证明,缺乏道德和伦理基础的法律,不仅无法成为"善"的法律,更会因为缺乏社会认可而无法付诸实行。因此,笔者沿寻现代责任伦理学的逻辑思路,认真反思刑法基础理论问题,试图为现代刑法提供更符合时代要求的道德伦理学依据。

关键词：责任伦理犯罪本质法人责任国家刑事责任刑法谦抑

(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的输运特性

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西安电子科技大学学报 2010年第3期37卷 520-523页

作者：刘红霞宋久旭张鹤鸣西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室陕西西安710071 西安石油大学电子工程学院陕西西安710065

建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特... 详细信息

建立了(4,4)碳纳米管/碳化硅纳米管异质结的模型,采用非平衡格林函数法计算了该异质结的输运特性.从异质结的分子投影自洽哈密顿量的本征轨道,可以看出最高占据分子轨道和最低空轨道均位于碳纳米管侧,其能带间隙约为0.48 eV;从其伏安特性可以看出,在正负偏压下开启电压为+2.0 V和-1.6 V.

关键词：碳纳米管碳化硅纳米管异质结输运特性非平衡格林函数

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无回流间歇曝气系统中沉淀期间进水的效应

同济大学学报（自然科学版） 2005年第8期33卷 1074-1077页

作者：王文标罗固源刘鸿霞同济大学环境科学与工程学院上海200092 重庆大学城市建设与环境工程学院重庆400045

对无回流间歇曝气系统在沉淀期间进水的可行性和进水效应进行了研究.试验结果表明,沉淀期间进水对上清液(即出水)未造成明显扰动,因而是可行的.而且,沉淀期间进水所产生的效应与生物选择器的作用类似,即有助于磷的释放,将污泥层中的NO-3... 详细信息

对无回流间歇曝气系统在沉淀期间进水的可行性和进水效应进行了研究.试验结果表明,沉淀期间进水对上清液(即出水)未造成明显扰动,因而是可行的.而且,沉淀期间进水所产生的效应与生物选择器的作用类似,即有助于磷的释放,将污泥层中的NO-3—N还原,抑制丝状膨胀.

关键词：污水处理间歇曝气连续进水生物选择器

应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管的阈值电压解析模型

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物理学报 2010年第12期59卷 8877-8882页

作者：刘红侠尹湘坤刘冰洁郝跃西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET... 详细信息

分析研究了应变绝缘层上硅锗p型金属氧化物场效应晶体管(SGOI pMOSFET)的阈值电压模型,修正了应变作用下SGOI pMOSFET的能带模型,并提取了主要的物理参量.这些典型的参量包括禁带宽度、电子亲和能、内建势等.给出了应变硅SGOI pMOSFET内部电势分布的二维泊松方程,通过边界条件求解方程,得出了准确的阈值电压模型,并且验证了该模型的正确性.

关键词：应变硅绝缘层上硅锗 p型金属氧化物场效应晶体管阈值电压解析模型

高k栅介质应变Si SOI MOSFET的阈值电压解析模型

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物理学报 2010年第11期59卷 8131-8136页

作者：李劲刘红侠李斌曹磊袁博西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室西安710071

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的G... 详细信息

在结合应变Si,高k栅和SOI结构三者的优点的基础上,提出了一种新型的高k栅介质应变Si全耗尽SOIMOSFET结构.通过求解二维泊松方程建立了该新结构的二维阈值电压模型,在该模型中考虑了影响阈值电压的主要参数.分析了阈值电压与弛豫层中的Ge组分、应变Si层厚度的关系.研究结果表明阈值电压随弛豫层中Ge组分的提高和应变Si层的厚度增加而降低.此外,还分析了阈值电压与高k栅介质的介电常数和应变Si层的掺杂浓度的关系.研究结果表明阈值电压随高k介质的介电常数的增加而增大,随应变Si层的掺杂浓度的提高而增大.研究了该结构的短沟道效应SCE(short channel effect)和漏致势垒降低DIBL(drain induced barrier lowering)效应,结果表明该结构能够很好地抑制SCE和DIBL效应.

关键词：应变Si 高k栅短沟道效应漏致势垒降低

基于网格化的诱蚊诱卵器法与人诱停落法监测白纹伊蚊对照研究

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中国媒介生物学及控制杂志 2023年第4期34卷 451-456页

作者：陈红周洲刘洪霞上海市静安区疾病预防控制中心急性传染病防治科上海200072 上海市疾病预防控制中心病媒生物防治科上海200336

目的探索网格化模式下诱蚊诱卵器法监测媒介伊蚊的影响因素,为媒介伊蚊及其传播疾病的监测和防制提供科学依据。方法2021年7-9月在上海市静安区辖区内选择相邻的3个面积、建筑年代、绿化比例接近的居民区作为监测点,每个居民区以九宫格... 详细信息

目的探索网格化模式下诱蚊诱卵器法监测媒介伊蚊的影响因素,为媒介伊蚊及其传播疾病的监测和防制提供科学依据。方法2021年7-9月在上海市静安区辖区内选择相邻的3个面积、建筑年代、绿化比例接近的居民区作为监测点,每个居民区以九宫格形式划分为二级监测块(约90 m×60 m),以监测块为单位对媒介伊蚊采用诱蚊诱卵器法和人诱停落法进行现场监测,每月3次。通过比较不同居民区、不同监测块、不同环境特点对媒介伊蚊的监测结果来探索诱蚊诱卵器法监测效果的影响因素。采用Excel 2016和SPSS 16.0软件处理数据,采用Kruskal-Wallis秩和检验、两因素方差分析、Pearson相关分析等进行统计学分析。结果共划定二级监测块30个,完成监测8次,设置诱蚊诱卵器131只/次,居民区1、2、3的诱蚊诱卵指数(MOI)分别为8.71、12.38和11.97,差异无统计学意义(χ^(2)=2.750,P=0.253),居民区1、2内各板块间MOI差异有统计学意义(F=2.135,P=0.047;F=2.168,P=0.044);居民区内居住区域MOI为12.24,社区学校区域为5.76,二者间差异有统计学意义(χ^(2)=6.657,P=0.010);诱蚊诱卵器放置不同位置的MOI,屋侧绿化区域为14.10,集中绿化区域为8.87,道路侧绿化为7.98,3类环境间差异有统计学意义(χ^(2)=8.372,P=0.015);诱蚊诱卵器法监测期间,降雨时间<2 d时的MOI为13.28,≥2 d时为8.79,差异有统计学意义(χ^(2)=4.218,P=0.047);居民区1、2、3 MOI均值分别为8.69、12.45和11.88,停落指数均值分别为3.33、8.58和6.50只(/人·h);MOI与停落指数之比为1∶1~3∶1;经Pearson相关分析,各板块MOI与人诱停落指数高度相关(r=0.549,P=0.005)。结论大型居民区中的不同区域媒介伊蚊密度因绿化类型、功能分区等差异都可能有较大的差异。相较其他监测方法,诱蚊诱卵器法操作简便、特异性强等,其监测结果与人诱停落法监测结果高度一致,实际监测中可采用诱蚊诱卵器法进行网格化的布点监测,能有效避免因布点造成的偏差,全面反映媒介伊蚊密度。

关键词：白纹伊蚊诱蚊诱卵器法人诱停落法网格化监测

基于Maxent与GIS的锈色棕榈象在中国潜在的适生性分析

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华中农业大学学报 2010年第5期29卷 552-556页

作者：冯益明刘洪霞中国林业科学研究院荒漠化研究所北京100091 中国农业科学研究院农业信息研究所北京100081

选用Maxent生态位模型与地理信息系统(GIS)相结合,综合分析影响锈色棕榈象Rhychophorus ferrugineus(Olvier)生长发育的环境因素,结合寄主分布特征,直观定量地获得了锈色棕榈象在我国的潜在发生区,计算结果经ROC曲线分析法验证,Maxent... 详细信息

选用Maxent生态位模型与地理信息系统(GIS)相结合,综合分析影响锈色棕榈象Rhychophorus ferrugineus(Olvier)生长发育的环境因素,结合寄主分布特征,直观定量地获得了锈色棕榈象在我国的潜在发生区,计算结果经ROC曲线分析法验证,Maxent生态位模型的AUC值为0.958(非常接近1),表明预测获得了较好的效果。

关键词：锈色棕榈象适生性分析 Maxent生态位模型地理信息系统(GIS)

恒流应力下E^2PROM隧道氧化层的退化特性研究

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物理学报 2006年第5期55卷 2459-2463页

作者：李蕾蕾刘红侠于宗光郝跃西安电子科技大学微电子学院

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化... 详细信息

在电容测量的基础上研究了薄隧道氧化层在恒定Fowler-Nordheim(F-N)隧穿电流下的退化情况.这种退化是恒流应力和时间的函数,对恒流应力大小的依赖性更加强烈,隧道氧化层在F-N电流下的退化是注入电荷密度(Qinj)的函数.在较低Qinj下氧化层中发生正电荷俘获,在较高Qinj下发生负电荷俘获,导致栅压变化的反复.

关键词： E^2 PROM 隧道氧化层退化恒流应力