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检索条件"作者=LEI Tian-Min"
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Raman Analysis of a Crystalline SiC Sample Prepared from Carbon-Saturated Melt of Silicon
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Chinese Physics Letters 2001年 第8期18卷 1123-1125页
作者: MA Jian-Ping CHEN Zhi-ming LU Gang HANG Lian-Mao FENG Xian-Feng lei tian-min Department of Applied Electronics Xi’an University of TechnologyXi’an 710048
Crystalline SiC samples were prepared in solidification of silicon melt saturated by carbon solved from the inner wall of a graphite *** Crystalline structure of the samples was analysed in Raman spectroscopy and conf... 详细信息
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Photoluminescence of Polycrystalline SiC Sintered from Graphite and Si Melt
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Chinese Physics Letters 2000年 第10期17卷 770-772页
作者: CHEN Zhi-ming MA Jian-Ping WANG Jian-Nong LU Gang YU ming-Bin lei tian-min GE Wei-Kun Department of Applied Electronics Xi'an University of TechnologyXi'an 710048 Department of Physics Hong Kong University of Sciences and TechnologyHong Kong
Intense wide-band photoluminescence(PL)with high stability to ultraviolet(UV)light irradiation has been observed in a wide temperature range from a polycrystalline SiC sintered from graphite and melt Si at high temper... 详细信息
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Fabrication of Thin Graphene Layers on a Stacked 6H-SiC Surface in a Graphite Enclosure
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Chinese Physics Letters 2013年 第1期30卷 208-211页
作者: DENG Peng-Fei lei tian-min LU Jin-Jun LIU Fu-Yan ZHANG Yu-ming GUO Hui ZHANG Yi-Men WANG Yue-Hu TANG Xiao-Yan School of Technical Physics Xidian UniversityXi'an 710071 School of Microelectronics Xidian UniversityXi'an 710071 State Key Laboratory of Solid Lubrication Lanzhou Institute of Chemical PhysicsChinese Academy of SciencesLanzhou 730000
Thin and homogeneous epitaxial graphene(EG)layers on a 6H-SiC(0001)substrate are fabricated and they cover the whole substrate(10×10 mm^(2)).The sample surface is capped by another 6H-SiC(0001)wafer in a graphite enc... 详细信息
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LTE系统中可配置FFT/IFFT的设计与实现
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西安电子科技大学学报 2010年 第5期37卷 813-816,824页
作者: 刘德福 雷天民 马卓 李颖 王旸 西安电子科技大学技术物理学院 陕西西安710071 西安电子科技大学综合业务网理论及关键技术国家重点实验室 陕西西安710071
针对3GPP长期演进(LTE)系统中载波数目可变以及存在非2n点的特点,提出了一种点数可变、支持非2n点的快速傅里叶变换/逆变换(FFT/IFFT)设计方案.通过采用流水线乒乓结构,利用基2、基3、基4混合基结构实现了高速可配置的FFT/IFFT.将旋转... 详细信息
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Coagulation indices and fibrinogen degradation products as predictive biomarkers for tumor-node-metastasis staging and metastasis in gastric cancer
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World Journal of Gastrointestinal Oncology 2025年 第1期17卷 110-120页
作者: Yi-Qing Shen Qiu-Wan Wei Yi-Ren tian Yun-Zhi Ling min Zhang Clinical Laboratory Civil Aviation Shanghai HospitalGubei Branch of Ruijin Hospital Affiliated to Shanghai Jiao Tong University School of MedicineShanghai 200000China Clinical Laboratory Tongji Hospital of Tongji UniversityShanghai 200000China
BACKGROUND Gastric cancer(GC)is a prevalent malignancy with a substantial health burden and high mortality rate,despite advances in prevention,early detection,and *** with the global average,Asia,notably China,reports... 详细信息
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多物理因素影响下的高海拔特高压直流输电线路电磁环境预测
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南方电网技术 2016年 第9期10卷 43-48页
作者: 刘磊 田丰 李敏 曾嵘 余占清 直流输电技术国家重点实验室(南方电网科学研究院) 广州510663 清华大学电机工程与应用电子技术系 北京100084
高海拔地区特高压直流输电线路的电晕放电现象异常复杂,受到线路参数、气象参数以及导线表面电场分布等诸多外界因素影响。现有特高压直流输电线路的电磁环境参数预测公式一方面是在低海拔、标准大气条件下获得的经验公式,另一方面忽略... 详细信息
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1200V SiC超结VDMOS研究
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电工电能新技术 2018年 第10期37卷 27-31页
作者: 郭心宇 白云 雷天民 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院 陕西西安710071 中国科学院微电子研究所高频高压器件与集成研发中心 北京100029
在高耐压器件中,保持高耐压的同时减少漂移区电阻是提升器件性能的关键,超结理论的提出使器件在相同耐压下具有更小的漂移区电阻。通过利用Silvaco TCAD软件对器件结构参数进行了计算优化仿真,得到了击穿电压为1680V,比导通电阻为0.60m... 详细信息
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La,Ce,Nd掺杂对单层MoS_2电子结构的影响
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物理学报 2014年 第6期63卷 241-248页
作者: 雷天民 吴胜宝 张玉明 郭辉 陈德林 张志勇 西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院 西安710071 西安电子科技大学微电子学院 西安710071 西北大学信息科学与技术学院 西安710069
为了研究稀土掺杂对单层MoS2电子结构的影响,文章基于密度泛函理论框架下的第一性原理,采用平面波赝势方法分别计算了本征及La,Ce,Nd掺杂单层MoS2的晶格参数、能带结构、态密度和差分电荷密度.计算发现,稀土掺杂所引起的晶格畸变与杂质... 详细信息
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超声辅助液相合成多晶SnS纳米粉
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人工晶体学报 2005年 第2期34卷 319-322页
作者: 李红生 雷天民 冯谦 郑春蕊 葛莉玲 刘守智 西安理工大学电子工程系 西安710048 西安理工大学材料工程系 西安710048
本文以Na2S·9H2O和SnCl2·2H2O为反应源物,采用超声辅助液相合成法制备SnS纳米粉.用XRD、TEM和TED等方法对粉体样品进行了表征,检测结果表明粉体样品为具有斜方晶体结构的SnS纳米微粒,其平均晶粒尺寸约为15~25nm.论文还简要讨论了超... 详细信息
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一种低温漂BiCMOS带隙基准电压源的设计
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电子器件 2007年 第1期30卷 112-115页
作者: 李彪 雷天民 西安理工大学电子工程系 西安710048
文章介绍了一种低温漂的BiCMOS带隙基准电压源.基于特许半导体(Chartered)0.35μmBiCMOS工艺,采用Bro-kaw带隙基准电压源结构,通过一级温度补偿技术,设计得到了一种在-40℃到+85℃的温度变化范围内温度系数为15.2×10-6/℃,输出电压为2... 详细信息
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