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Effects of interface trap density on the electrical performance of amorphous InSnZnO thin-film transistor

Journal of Semiconductors 2015年第2期36卷 82-86页

作者：梁永烨 kyungsoo jang S.Velumani Cam Phu Thi Nguyen Junsin Yi National Key Laboratory for Electronic Measurement Technology North University of China College of Information and Communication Engineering Sungkyunkwan University Department of Electrical Engineering (SEES) CINVESTAV-IPN Avenida IPN 6508San Pedro Zacatenco Mexico D.F.

We reported the influence of interface trap density（Nt） on the electrical properties of amorphous InSnZnO based thin-film transistors,which were fabricated at different direct-current（DC） magnetron sputtering *** device with the smallest Nt of 5.68×10^11 cm^-2 and low resistivity of 1.21×10^-3Ω·cm exhibited a turn-on voltage（V（ON）） of-3.60 V,a sub-threshold swing（S.S） of 0.16 V/dec and an on-off ratio（I（ON）/I（OFF）） of^8 x 10^*** increasing Nt,the V（ON）,S.S and I（ON）/I（OFF） were suppressed to-9.40 V,0.24 V/dec and 2.59×10^8,*** V（TH） shift under negative gate bias stress has also been estimated to investigate the electrical stability of the *** result showed that the reduction in Nt contributes to an improvement in the electrical properties and stability.

关键词： a-ITZO TFTs low resistivity interface trap density electrical properties electrical stability

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