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Using simulation to train orthopaedic trainees in non-technical skills: A pilot study

World Journal of Orthopedics 2016年第8期7卷 475-480页

作者： Samuel R Heaton Zoe Little kash akhtar Manoj Ramachandran Joshua Lee Centre for Orthopaedics Royal London Hospital Barts Health NHS Trust

AIM: To enhance non-technical skills and to analyse participant's experience of a course tailored for orth-opaedic ***: A Delphi technique was used to develop a course in human factors specific to orthopaedic residents. Twenty-six residents(six per course) participated in total with seven course facilitators all trained in Crisis Resource Management providing structured feedback. Six scenarios recreated challenging real-life situations using high-fidelity mannequins and simulated patients. Environments included a simulated operating suite, clinic room and ward setting. All were undertaken in a purpose built simulation suite utilising actors, mock operating rooms, mock clinical rooms and a high fidelity adult patient simulator organised through a simulation control room. Participants completed a 5-point Likert scale questionnaire(strongly disagree to strongly agree) before and after the course. This assessed their understanding of non-technical skills, scenario validity, relevance to orthopaedic training and predicted impact of the course on future practice. A course evaluation questionnaire was also completed to assess participants' feedback on the value and quality of the course ***: Twenty-six orthopaedic residents participated(24 male, 2 female; post-graduation 5-10 years), mean year of residency program 2.6 out of 6 years required in the United Kingdom. Pre-course questionnaires showedthat while the majority of candidates recognised the importance of non-technical(NT) skills in orthopaedic training they demonstrated poor understanding of non-technical skills and their role. This improved significantly after the course(Likert score 3.0-4.2) and the perceived importance of these skills was reported as good or very good in 100%. The course was reported as enjoyable and provided an unthreatening learning environment with the candidates placing particular value on the learning opportunity provided by reflecting on their performance. All agreed

关键词： Teaching Learning Simulation Nontechnical Surgery

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最长的悬索桥

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科学（中文版） 1998年第3期 37-42页

作者： kash.,S

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ZnGeN_2晶体的结构和物性表征

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电子显微学报 2006年第B8期25卷 9-10页

作者：杜奎 Bekele C Hayman C C Pirouz P kash K 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 Case Western Reserve University 10900 Euclid AvenueClevelandOH44106USA Case

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ZnGeN2晶体的结构和物性表征

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电子显微学报 2006年第S1期 23-24页

作者：杜奎 Bekele C Hayman C C Pirouz P kash K 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 Case Western Reserve University 10900 Euclid AvenueClevelandOH44106USA

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中国企业创新的典范──联想、长虹、海尔

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科学与社会 1999年第3期 42-50页

作者： DonE.kash 李宁杨京京

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产出.能耗与提高能源价格的实例分析

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山东能源 1992年第3期 45-47,15页

作者： kash.,RK 刘爱春

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分子的核自旋—转动耦合超精细结构和一种新的高分辨光谱方法

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北京大学学报(自然科学版) 1985年第3期 32-43页

作者：孙騊亨 J.kash E.Hahn 北京大学物理系美国加里福尼亚大学伯克利分校物理系

本文从理论上预期了在;CH;F分子中存在核自旋与分子转动之间的弱相互作用及由此引起的超精细结构。具体计算了该分子的v;振动模（9.66μm）的超精细分裂及其在CO;激光激发下产生的光子回波减弱效应（reduction effect）和相干拍现象,提... 详细信息

本文从理论上预期了在;CH;F分子中存在核自旋与分子转动之间的弱相互作用及由此引起的超精细结构。具体计算了该分子的v;振动模（9.66μm）的超精细分裂及其在CO;激光激发下产生的光子回波减弱效应（reduction effect）和相干拍现象,提出了一种利用瞬态相干效应来测量微小分裂的新方法。对;CH;F分子的实验测量表明,这种高分辨光谱方法是可行的,并具有独特的优点。

关键词：超精细结构光子回波混合态涡旋态(超导电性) 超导态高分辨光谱核自旋纯态分子

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光学旋转回波的理论计算和实验观测

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物理学报 1985年第3期 359-367页

作者：孙騊亨 J.A.kash E.L.HAHN 北京大学物理系 Department of Physics University of California Berkeley Berkeley Thornas J.Watson Research Center IBM U.S.A.

本文报道首次在红外区用Stark开关技术观测了光学旋转回波效应。光学旋转回波是光学章动的再现,具有较长的弛豫时间,可用来研究许多与弛豫过程有关的物理现象。由于采用了Stark开关技术和由微处理机控制的同步触发及数据截取系统,改善... 详细信息

本文报道首次在红外区用Stark开关技术观测了光学旋转回波效应。光学旋转回波是光学章动的再现,具有较长的弛豫时间,可用来研究许多与弛豫过程有关的物理现象。由于采用了Stark开关技术和由微处理机控制的同步触发及数据截取系统,改善了实验条件,提供了理想的相移,得到了较好的结果。同时,推广了Bloch方程的普遍解,导出了光学旋转回波的精确表示式。最后指出了这一效应的一个重要用途。

关键词：回波弛豫时间脉冲序列 Stark 分子能级实验观测光学理论计算

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ZnGeN2晶体的结构和物性表征

ZnGeN2晶体的结构和物性表征

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2006年全国电子显微学会议

作者：杜奎 Bekele C Hayman CC Pirouz P kash K 中国科学院金属研究所沈阳材料科学国家(联合)实验室 Case Western Reserve University 10900 Euclid AvenueClevelandOH 44106USA

ZnGeN的带隙宽度与 GaN 仅相差100meV,而且其相似的化合物 ZnSiN和 ZnSnN分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN-ZnSiN-ZnSnN合金有潜力形成类似于 GaN-MN-InN 的半导体体系。此外,ZnGeN的晶格常数与 GaN 相差不到百分之一,也有可能... 详细信息

ZnGeN的带隙宽度与 GaN 仅相差100meV,而且其相似的化合物 ZnSiN和 ZnSnN分别具有较大和较小的带隙宽度,因此,ZnGeN-ZnSiN-ZnSnN合金有潜力形成类似于 GaN-MN-InN 的半导体体系。此外,ZnGeN的晶格常数与 GaN 相差不到百分之一,也有可能作为 GaN 晶体生长的基体。但是,目前对 ZnGeN 晶体生长,结构和物理性能研究的报道较少。早期报道中曾经通过 Zn 与 GeN或者

关键词： ZnGeN2晶体晶体结构带隙宽度溅射沉积物理性能表征

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