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Negative Magnetoresistance Behaviour and Variable Range Hopping Conduction in Insulating NbSi Amorphous Alloys at Very Low Temperature with aagnetic Field

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Journal of Modern Physics 2012年第7期3卷 521-528页

作者： Abdelghani Sybous Abdelhamid El Kaaouachi jamal hemine Abdelfattah Narjis Lhoussine Limouny Said Dlimi Rachid Abdia Gerard Biskupski Laboratoire de Physique de la Matière Condensée Faculté des Sciences et Techniques de Mohammadia Département de Physique Mohammedia Morocco Laboratoire de Spectroscopie Hertzienne LSH Batiment P5 Université des Sciences et Technologies de LilleI 59 655 Villeneuve d’Ascq Cedex France Research Group in ESNPS Physics Department University Ibn Zohr Faculty of Sciences B.P 8106 Hay Dakhla Agadir Morocco

We present results of an experimental study of magnetoresistance (MR) in insulating NbSi amorphous alloys sample showing Variable Range Hopping (VRH) conductivity. The MR is found to be negative in a wide range of low temperature (4.2-20 K) and in the range of moderate magnetic fields (0-4 T). We made tentative analysis using three theoretical models which are the model of quantum interference, the model of Zeeman effect and the model of localized magnetic

关键词： NbSi Amorphous Alloys Negative Magnetoresistance Magnetic Field Localized Magnetic moments Quantum Interference

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Positive Magnetoresistance in Hydrogenated Amorphous Alloys Silicon Nickel a-Si<sub>1-y</sub>Niy:H at Very Low Temperature with Magnetic Field

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Journal of Modern Physics 2012年第6期3卷 447-450页

作者： Abdelfattah Narjis Abdelhamid El kaaouachi jamal hemine Abdelghani Sybous Lhoussine Limouny Said Dlimi Rachid Abdia Gerard Buskipski Laboratoire de Physique de la Matière Condensée Département de Physique Faculté des Sciences et Techniques de Mohammadia Mohammedia Morocco Laboratoire de Spectroscopie Hertzienne LSH Université de LilleI Villeneuve d’Ascq Cedex France Research Group ESNPS Physics Department Faculty of Sciences University Ibn Zohr Agadir Morocco

We present results of an experimental study of magnetoresistance phenomenon in an amorphous silicon-nickel alloys a-Si1-yNiy:H:H (where y = 0.23) on the insulating side of the metal-insulator transition (MIT) in presence of magnetic field up to 4.5 T and at very low temperature. The electrical resistivity is found to follow the Efros-Shklovskii Variable Range Hopping regime (ES VRH) with T -1/2. This behaviour indicates the existence of the Coulomb gap (CG) near the Fermi level.

关键词： Amorphous Silicon-Nickel Alloys a-Si1-yNiy:H Variable Range Hopping Conductivity Metal Insulator Transition Positive Magnetoresistance

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Variable Range Hopping in Hydrogenated Amorphous Silicon-Nickel Alloys

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Journal of Modern Physics 2012年第7期3卷 517-520页

作者： Abdelfattah Narjis Abdelhamid El kaaouachi Abdelghani Sybous Lhoussine Limouny Said Dlimi Abdessadek Aboudihab jamal hemine Rachid Abdia Gerard Biskupski Laboratoire de Physique de la Matière Condensée Faculté des Sciences et Techniques de Mohammadia Département de Physique Mohammedia Morocco Laboratoire de Spectroscopie Hertzienne LSH Batiment P5 Université des Sciences et Technologies de LilleI 59 655 Villeneuve d’Ascq Cedex France Research Group ESNPS Physics Department University Ibn Zohr Faculty of Sciences B.P 8106 Hay Dakhla 80000 Agadir Morocco

On the insulating side of the metal-insulator transition (MIT), the study of the effect of low Temperatures T on the electrical transport in amorphous silicon-nickel alloys a-Si1-yNiy:H exhibits that the electrical conductivity follows, at the beginning, the Efros-Shklovskii Variable Range Hopping regime (ES VRH) with T-1/2. This behaviour showed that long range electron-electron interaction reduces the Density Of State of carriers (DOS) at the Fermi level and creates the Coulomb gap (CG). For T higher than a critical value of temperature TC, we obtained the Mott Variable Range Hopping regime with T-1/4, indicating that the DOS becomes almost constant in the vicinity of the Fermi level. The critical temperature TC decreases with nickel content in the alloys.

关键词： Amorphous Silicon-Nickel Alloys a-Si1-yNiy:H Variable Range Hopping Conductivity Transport Phenomenon Metal Insulator Transition

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