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Metamorphic inGaAs Quantum Well Laser Diodes at 1.5μm on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy
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Chinese Physics Letters 2009年 第1期26卷 142-144页
作者： 王海莉 吴东海 吴兵朋 倪海桥 黄社松 熊永华 王鹏飞 韩勤 牛智川 i.tangring S.M.Wang State Key Laboratory For Superlattice and Microstructures Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 10008 Department of Microtechnology and Nanoscience Chalmers University of Technology 41296 Gothenburg Sweden
We report a 1.5-μm inGaAs/GaAs quantum well laser diode grown by molecular beam epitaxy on inGaAs metamorphic buffers. At 150K, for a 1500×10μm^2 ridge waveguide laser, the lazing wavelength is centred at 1.508 μm... 详细信息
来源： 维普期刊数据库 维普期刊数据库 评论
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