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Optimization of the cavity facet coating in high power GaN-based semiconductor laser diodes

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Science China(Technological Sciences) 2012年第4期55卷 883-887页

作者： FENG MeiXin ZHANG ShuMing JIANG DeSheng wang Hui LIU JianPing ZENG Chang LI ZengCheng wang huaibing wang Feng YANG Hui State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of SciencesBeijing 100083China Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionics Chinese Academy of SciencesSuzhou 215125China

A method to calculate the reflectivity of the coated cavity facet was proposed, and the distribution of the optical power near the two coated cavity facets was calculated for GaN-based laser diodes. A new design method for reducing the optical power at the two cavity facets without changing the output power of laser diodes was discussed, which is helpful to optimize the cavity facet coating and raise the threshold current at which catastrophic optical damage occurs.

关键词：腔面镀膜半导体激光器 GaN 优化高功率激光二极管分布计算设计方法

Characteristics of InGaN-based superluminescent diodes with one-sided oblique cavity facet

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Chinese Science Bulletin 2014年第16期59卷 1903-1906页

作者： Chang Zeng Shuming Zhang Jianping Liu Deyao Li Desheng Jiang Meixin Feng Zengcheng Li Kun Zhou Feng wang huaibing wang Hui wang Hui Yang Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-tech and Nano-bionicsChinese Academy of Sciences State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics Institute of SemiconductorsChinese Academy of Sciences

We have fabricated InGaN-based superluminescent diodes(SLDs)with one-sided oblique *** characteristics of the SLDs and laser diodes with the same cavity length(800 lm)were *** typical peak wavelength and the full width at half maximum of the spectrum in superluminescence regime are 445.3 and 7.7 nm for the SLDs with 800 lm cavity *** characteristics of the SLDs with different cavity length were also demonstrated in a comparative *** is found that the gain of the InGaN multi-quantum wells in blue spectral range is a linear function of the current density below gain saturation *** lasing threshold current turns out to be higher for the shorter SLD(S-SLD)(400 lm),but the output light intensity of the longer SLD(800 lm)is higher than that of the S-SLD under the same current *** gain saturation phenomenon was observed in S-SLD when it was biased at a current density larger than 27.5 kA/*** increase of junction temperature was identified as the main reason for gain saturation through spectra analysis.

关键词： InGaN 辐射发光半导体激光增益饱和特征腔面管片电流密度

Light output improvement of GaN-based light-emitting diodes grown on Si (111) by a via-thin-film structure

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Journal of Semiconductors 2018年第4期39卷 39-43页

作者： Zengcheng LI Bo Feng Biao Deng Legong Liu Yingnan Huang Meixin Feng Yu Zhou Hanmin Zhao Qian Sun huaibing wang Xiaoli Yang Hui Yang Key Laboratory of Nanodevices and Applications Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics Chinese Academy of Sciences Suzhou 215123 China Lattice Power (Changzhou) Corporation Changzhou 213164 China Lattice Power (Jiangxi) Corporation Nanchang 330029 China Beijing Advanced Materials Development Center Beijing 100083 China

This work reports the fabrication of via-thin-film light-emitting diode （via-TF-LED） to improve the light output power （LOP） of blue/white GaN-based LEDs grown on Si （111） substrates. The as-fabricated via-TF-LEDs were featured with a roughened n-GaN surface and the p-GaN surface bonded to a wafer carrier with a silver-based reflective electrode, together with an array of embedded n-type via pillar metal contact from the p-GaN surface etched through the multiple-quantum-wells （MQWs） into the n-GaN layer. When operated at 350 mA, the via-TF- LED gave an enhanced blue LOP by 7.8% and over 3.5 times as compared to the vertical thin-film LED （TF-LED） and the conventional lateral structure LED （LS-LED）. After covering with yellow phosphor that converts some blue photons into yellow light, the via-TF-LED emitted an enhanced white luminous flux by 13.5% and over 5 times, as compared with the white TF-LED and the white LS-LED, respectively. The significant LOP improve- ment of the via-TF-LED was attributed to the elimination of light absorption by the Si （111） epitaxial substrate and the finger-like n-electrodes on the roughened emitting surface.

关键词： via thin film LED structure GaN-on-Si light-emitting diode light extraction

嫩江流域达斡尔族传统纹样在现代珠宝首饰中的应用

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中国宝玉石 2024年第2期 29-42页

作者：范怀冰王铭颖中国地质大学(北京)珠宝学院北京100083

达斡尔族是我国北方的一个少数民族,其传统纹样承载着该民族深厚的文化底蕴和历史记忆,具有极高的艺术价值和审美意义。在现代珠宝首饰设计中,达斡尔族传统纹样正逐渐被发掘和应用,以体现民族特色和个性化需求。本文通过对达斡尔族传统... 详细信息

达斡尔族是我国北方的一个少数民族,其传统纹样承载着该民族深厚的文化底蕴和历史记忆,具有极高的艺术价值和审美意义。在现代珠宝首饰设计中,达斡尔族传统纹样正逐渐被发掘和应用,以体现民族特色和个性化需求。本文通过对达斡尔族传统纹样及其文化价值的多角度研究,传统纹样种类的分类应用总结,以及对其艺术特征和文化内涵的分析,探讨达斡尔族传统纹样在现代珠宝首饰中的应用方法,并结合一款具体首饰设计案例,以期为当代珠宝首饰与传统文化相结合提出新思路。

关键词：达斡尔族纹样珠宝首饰设计

双峰驼乳功能蛋白及脂肪酸在泌乳期内的变化研究

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食品与发酵工业 2024年第7期50卷 122-130页

作者：姚怀兵王智瑄赵仲凯豆智华刘颖吴林英董静陈钢粮杨洁新疆大学生命科学与技术学院新疆生物资源基因工程重点实验室新疆乌鲁木齐830017 新疆骆驼产业工程技术研究中心新疆乌鲁木齐830017 新疆旺源生物科技集团有限公司新疆阿勒泰836500

为探究泌乳双峰骆驼乳功能性蛋白及脂肪酸变化规律,该研究动态追踪20峰泌乳双峰驼并采集泌乳期330 d内的驼乳,基于超高效液相色谱和气相色谱分析,检测α-乳白蛋白(α-lactalbumin,α-LA)、乳铁蛋白(lactoferrin,LF)、免疫球蛋白(immunog... 详细信息

为探究泌乳双峰骆驼乳功能性蛋白及脂肪酸变化规律,该研究动态追踪20峰泌乳双峰驼并采集泌乳期330 d内的驼乳,基于超高效液相色谱和气相色谱分析,检测α-乳白蛋白(α-lactalbumin,α-LA)、乳铁蛋白(lactoferrin,LF)、免疫球蛋白(immunoglobulin G,IgG)和溶菌酶4种目标功能蛋白及34种脂肪酸含量变化情况。结果表明,驼乳中共检测到4种目的功能蛋白及32种脂肪酸,色谱峰形尖锐、无杂峰干扰。驼乳4种功能蛋白含量在初乳期极显著高于常乳期(P<0.01),泌乳后期随着泌乳时间延长含量缓慢降低,功能蛋白间具有显著正相关性(P<0.05),其中α-乳白蛋白与IgG具有强正相关。脂肪酸含量在初乳期至常乳期30 d内波动明显,其余时期脂肪酸含量变化不大。长链脂肪酸、多不饱和脂肪酸和中链脂肪酸在泌乳期含量较为稳定;饱和脂肪酸和不饱和脂肪酸的比例合理,且饱和脂肪酸与不饱和脂肪酸及单不饱和脂肪酸变化趋势相反,在初乳期3~7 d内变化较为明显,在泌乳高峰期90~150 d波动极为明显,少数脂肪酸间具有较强的正相关。驼初乳功能蛋白与脂肪酸的组成及含量优于常乳,结果为深入研究双峰驼的泌乳生理特点及驼乳功能性制品的开发提供基础数据。

关键词：双峰驼驼乳功能蛋白脂肪酸含量超高效液相色谱法

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InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究

固体电子学研究与进展 2008年第1期28卷 4-7页

作者：牛南辉王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地北京工业大学电控学院光电子技术实验室北京100022

利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、C... 详细信息

利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。

关键词：铟镓氮镁掺杂霍尔测试 X射线双晶衍射原子力显微镜金属有机物化学气相淀积

金属钌(Ⅱ)三螯形化合物的吸收光谱和发射光谱

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光谱学与光谱分析 1999年第5期19卷 677-679页

作者：吕卫星施建军王怀兵中国科学技术大学高分子科学与工程系合肥230026 合肥联合大学物理教研室合肥230022 合肥联合大学化工系合肥230022

通过对１，１０－菲珞琳及４，７－二苯基－１，１０－菲珞琳与金属钉三螯形化合物的吸收和发射谱分析，研究了钌离子４ｄ态在Ｄ３场作用下的分裂，发现配体的不同光谱会出现红移及吸光强度的变化，并定性地分析了配体影响光谱... 详细信息

通过对１，１０－菲珞琳及４，７－二苯基－１，１０－菲珞琳与金属钉三螯形化合物的吸收和发射谱分析，研究了钌离子４ｄ态在Ｄ３场作用下的分裂，发现配体的不同光谱会出现红移及吸光强度的变化，并定性地分析了配体影响光谱的原因。

关键词：钌螯合物吸收光谱发射光谱三螯形化合物

镁流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜特性的影响

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固体电子学研究与进展 2006年第3期26卷 375-378页

作者：牛南辉王怀兵刘建平刘乃鑫刑燕辉韩军邓军沈光地北京工业大学电控学院光电子技术实验室北京100022

利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不... 详细信息

利用MOCVD生长了不同Mg流量的P型GaN样品。研究了Mg流量对MOCVD生长的P型GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量的影响。结果表明利用MOCVD制备高质量的P型GaN薄膜,Mg流量应处于一个合适的范围,Mg流量过低,薄膜的空穴浓度低,电学特性不好;Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,晶体质量与表面形貌变差,Mg的活化率也降低,并且自补偿效应更加严重,最终使得空穴浓度降低,电学特性变差。将优化的条件应用于蓝光发光管的外延生长,并制备了器件,在20mA的注入电流下,输出功率为6.5mW,正向压降3V,反向击穿电压为20V。

关键词：氮化镓掺杂金属有机物化学气相淀积

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讨赖河流域气象水文要素对气候变化的响应

水利规划与设计 2024年第6期 51-55页

作者：周怀兵王一博田青赵艳伟冯玉荣甘肃省景泰川电力提灌水资源利用中心甘肃景泰730400 兰州大学资源环境学院甘肃兰州730000 甘肃省水文站甘肃兰州730000 甘肃省疏勒河流域水资源利用中心甘肃酒泉735000

为了探究气候强烈变化下,以冰雪融水为主要补给来源流域的水文循环过程变化,基于1985-2022年以来的气温、降水、蒸发和径流等气象水文数据,运用MK趋势分析和MK突变检验法,研究讨赖河流域水文要素对气候变化的响应。结果表明:1985年以来... 详细信息

为了探究气候强烈变化下,以冰雪融水为主要补给来源流域的水文循环过程变化,基于1985-2022年以来的气温、降水、蒸发和径流等气象水文数据,运用MK趋势分析和MK突变检验法,研究讨赖河流域水文要素对气候变化的响应。结果表明:1985年以来讨赖河流域气温上升剧烈,变化速率约为0.41~0.68℃/10a,快速升温的突变年份为21世纪初;水文要素变化降水和蒸发既有增加趋势也有减少趋势,径流均呈增加趋势,变化率为2.55~17.1mm/10a;研究成果可为气候持续快速暖化下干旱的内陆河区域水资源管理提供理论依据。

关键词：气候变化讨赖河流域水文要素变化突变检验