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Scaling relation of domain competition on(2+1)-dimensional ballistic deposition model with surface diffusion

Journal of Semiconductors 2016年第9期37卷 12-17页

作者： Kenyu Osada hiroyasu katsuno Toshiharu Irisawa Yukio Saito Department of Physics Gakushuin University Computer Centre Gakushuin University Department of Physical Science Ritsumeikan University Department of Physics Keio University

During heteroepitaxial overlayer growth multiple crystal domains nucleated on a substrate surface compete with each other in such a manner that a domain covered by neighboring ones stops *** number density of active domains ρ decreases as the height h increases.A simple scaling argument leads to a scaling law of ρ~ h^（-γ） with a coarsening exponent γ=d/z,where d is the dimension of the substrate surface and z the dynamic exponent of a growth *** scaling relation is confirmed by performing kinetic Monte Carlo simulations of the ballistic deposition model on a two-dimensional（d=2） surface,even when an isolated deposited particle diffuses on a crystal surface.

关键词： domain competition ballistic deposition model Kardar-Parisi-Zhang universality class surface diffusion

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