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Thermoelectric properties of BiSb_x (x=0.6-0.8) thermoelectric materials fabricated by different processing

Journal of university of science and technology beijing 2003年第2期10卷 65-67页

作者： guiying xu, zhangjian zhou, sitong niu, and jianqiang liulaboratory of special ceramics and powder metallurgy, university of science and technology beijing, beijing 100083, china Univ Sci & Technol beijing Lab Special Ceram & Powder Met Beijing 100083 Peoples R China

In order to improve the thermoelectric properties, hot-pressing sintering andultra high pressure sintering methods were adopted to fabricate BiSb_x. The phase and crystalstructures were determined by X-ray diffraction analysis (XRD). The thermoelectric properties weremeasured at 303 K along the direction parallel to the pressing direction. The electric conductivityof the samples was measured at 303 K by the four-probe technique. To measure the Seebeckcoefficient, heat was applied to the samples placed between two Cu discs. The thermoelectricelectromotive force (E) was measured upon applying small temperature differences (DELTA T<2 deg C)between the both ends of the samples. The Seebeck coefficient of the samples was determined from thevalue of E/DELTA T. The results indicate that the thermoelectric properties of the samplesfabricated by UHPS (ultra high pressure sintering) method are much higher than that by HPS (hotpressing sintering) method and have the highest values at x=0.7.

关键词： thermoelectric property thermoelectric material ultra high pressuresintering BiSb_x

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