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Electronic behavior of native oxide films on Ti and TiN during 90-day immersion in electrolytes with different pH levels

引用

Rare Metals 2021年第3期40卷 582-589页

作者： Amir Poursaee golnaz najaf-tomaraei Marian S.Kennedy Department of Materials Science and Engineering and Glenn Department of Civil Engineering Clemson UniversityClemsonSC 29634USA Department of Materials Science and Engineering Clemson UniversityClemsonSC 29634USA

This work presents the electronic behavior of Ti and TiN thin films when exposed to electrolytes with pH levels of 2,7 and 13 for 90 *** potentio-electrochemical impedance spectroscopy tests were performed on the 100-nm Ti and TiN monolithic films,and MottSchottky analysis of these tests was used to determine the films’ semiconductive behavior and changes in the donor/acceptor *** addition,the flat-band potential of each film’s surface oxide was also *** attempt was made to control oxide formation,and therefore,these tests reflected the native surfaces of these *** the TiN films exhibited n-type semiconductivity in all electrolytes,the Ti films only showed n-type behavior in the acidic(pH=2) and neutral(pH=7) *** semiconductivity of the Ti films transitioned to p-type during exposure to the basic electrolyte(pH=13) after reaching 60 ***,there was a significant increase in the donor densities for both Ti and TiN films when immersed in the basic electrolyte relative to the acidic and neutral electrolytes.

关键词： Ti TiN Thin films Mott-Schottky analysis Semiconductivity

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