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characterization of cIAe developed double-sided silicon strip detector for charged particles
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Nuclear Science and Techniques 2018年 第5期29卷 98-103页
作者： Xin-Xing Xu fanurs c.e.teh cheng-Jian Lin Jenny Lee Feng Yang Zhao-Qiao Guo Tian-Shu Guo Li-Jie Sun Xin-Zhi Teng Jia-Jian Liu Peng-Jie Li Peng-Fei Liang Lei Yang Nan-Ru Ma Hui-Ming Jia Dong-Xi Wang Sylvain Leblond Taras Lokotko Qing-Qing Zhao Huan-Qiao Zhang china Institute of Atomic energy Beijing 102413China Department of Physics The University of Hong KongPokfulam RoadHong KongChina college of Physics and Technology Guangxi Normal UniversityGuilin 541004China Beijing Kelixing Photoelectric Technology co. Ltd.Beijing 102413China
A double-sided silicon strip detector(DSSD)with active area of 48 mm x 48 mm and thickness of300μm has been developed. each side of DSSD consists of48 strips, each with width of 0.9 mm and inter-strip separation of 0... 详细信息
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